、晶體管輸出的特點(diǎn) 晶體管輸出又稱為雙極性晶體管輸出（Bipolar Transistor Output），使用PNP或NPN型雙極晶體管作為控制元件。在控制電壓作用下，通過(guò)電流調(diào)節(jié)控制晶體管的放大倍數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)輸出的開關(guān)控制。 1、優(yōu)點(diǎn)： （1）高速：晶體管
2023-08-25 15:41:31
416 晶體管和電子管的區(qū)別 晶體管和電子管都是電子器件，它們分別代表了不同的技術(shù)水平。由于晶體管取代了電子管并成為了現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，兩者之間的主要差異有助于我們了解晶體管的優(yōu)點(diǎn)。 一、結(jié)構(gòu)差異 晶體管
2023-08-25 15:21:013031 最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。
2023-07-26 18:21:58998 
在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因?yàn)殡娦盘?hào)在每個(gè)晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43253 光電晶體管（Phototransistor）是一種光控半導(dǎo)體器件，它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發(fā)生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場(chǎng)效應(yīng)型等。
2023-05-16 16:13:16259 
世界首款3D芯片工藝即將由無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個(gè)示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個(gè)縱向晶體管的記憶存儲(chǔ)單元。該芯片由韓國(guó)國(guó)家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
高頻晶體管（High Frequency Transistor）是一種用于高頻信號(hào)放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管，高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數(shù)，因此廣泛應(yīng)用于無(wú)線電通信、雷達(dá)、導(dǎo)航、廣播電視等領(lǐng)域。
2023-02-25 15:05:441050 晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
2023-02-17 16:32:49866 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350D-Q
2023-02-09 21:24:56
0 NPN/PNP電阻搭載晶體管-PUMD3
2023-02-09 19:12:030 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350D
2023-02-07 19:25:420 FinFET確切的說(shuō)，是一個(gè)技術(shù)的代稱。世界上第一個(gè)3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功，當(dāng)時(shí)英特爾稱其為 “Tri-Gate”（三柵極晶體管）。
2022-07-08 15:04:261549 和電阻R2可以有多種匹配方式，因此數(shù)字晶體管的種類很多。 數(shù)字晶體管有很多優(yōu)點(diǎn)，例如：1.減少安裝面積，2.減少安裝時(shí)間，3.減少元件數(shù)量等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。 內(nèi)置電阻器的晶體管最早由 ROHM 開發(fā)并獲得專利。 IC：可通過(guò)晶體管的最大電流理論值
2022-05-12 18:07:011741 晶體管簡(jiǎn)介
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如
2022-02-09 12:34:230 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1211274 新的微加工技術(shù)可用于生產(chǎn)有史以來(lái)最小的3D晶體管，尺寸是目前主流商用產(chǎn)品的三分之一。
2018-12-12 09:40:482861 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；（1）容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，（2）開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，
2018-11-26 17:51:2014305 目前3D晶體管成為代工產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)，但很多人關(guān)于這個(gè)技術(shù)的細(xì)節(jié)不是很了解，我們?cè)谶@里介紹一下。
2015-12-28 14:34:1211367 
IBM在Common Platform技術(shù)論壇上展示了藍(lán)色巨人對(duì)未來(lái)晶圓的發(fā)展預(yù)測(cè)，Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的聯(lián)盟，旨在研究3D晶體管
2013-02-20 23:04:307669 近日消息，英特爾計(jì)劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動(dòng)芯片上，以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升，但對(duì)于“3D晶體管”技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造，參與舊金山國(guó)際電子產(chǎn)品大會(huì)的專家們
2012-12-11 09:05:451014 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:24921 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241179 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:244748 本文核心議題： 通過(guò)本文介紹，我們將對(duì)Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:277091 
什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術(shù)上講，應(yīng)該是三個(gè)門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:012992 本文通過(guò)高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:1870 為了在硅芯片上擠入更多的元件，英特爾已開始大規(guī)模生產(chǎn)基于3-D晶體管的處理器。這一舉動(dòng)不僅延長(zhǎng)了摩爾定律(根據(jù)該定律，每塊芯片上的晶體管數(shù)量每?jī)赡昃蜁?huì)翻一番)的壽命
2012-07-09 11:11:341040 
晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的基石，而Intel 此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發(fā)明，甚至可以說(shuō)是重新發(fā)明了晶體管。半個(gè)多世紀(jì)以來(lái)，晶體管一直都在使用2-D 平面結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在終于邁入
2012-01-18 15:28:52146 Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個(gè)微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401274 近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎(jiǎng)”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎(jiǎng)。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變
2011-10-23 01:01:04867 (一)晶體管材料與極性的判別,1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性
2011-09-29 14:18:172557 在本周于舊金山召開的英特爾開發(fā)者大會(huì)(IDF)中，英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細(xì)節(jié)，并進(jìn)一步說(shuō)明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計(jì)概念。
2011-09-16 09:23:43811 場(chǎng)效應(yīng)管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
2010-03-31 10:06:22873 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:107860 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:513472 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3013116 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:465735 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:055540 晶體管的開關(guān)作用
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
2009-11-06 16:58:423053 絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有
2009-11-05 11:40:14570 晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:533776 晶體管實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)一 三極晶體管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測(cè)量晶體管輸入輸出特性的測(cè)量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:1637
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