中國首款3DNAND閃存將滿足嵌入式存儲市場的應用需求

存儲芯片應用非常廣泛，也是中國芯片進口的最大項，而且?guī)缀醭?9%靠進口，也是中國芯片的最大短板。武漢長江存儲曾在2017年開發(fā)成功32層 Flash芯片，但是因為技術(shù)比較過時，市場已經(jīng)不是非常好，成本也相對比較高，只是小規(guī)模量產(chǎn)，量產(chǎn)數(shù)量只有幾萬片芯片，非常的鬧心。

紫光麾下武漢長江存儲在湖北武漢光谷正式宣布：64層256Gb 3D NAND Flash芯片已經(jīng)開始了量產(chǎn)。作為中國第1款64層3D Flash芯片，將滿足固態(tài)硬盤、平板手機 Flash和嵌入式存儲等主流市場應用需求，標志著武漢光谷已成功走出了一條高端芯片制造的大路，武漢這次立了大功了。3D NAND芯片是一種3維 Flash芯片技術(shù)，就像是建高樓，建的層數(shù)越高，越省地，在相同的“占地面積”之下樓層越高，能住的人越多。

武漢長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官和企業(yè)高級副總裁程衛(wèi)華這樣說：“隨著人工智能、5G的到來，特別是超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時代的到來， Flash芯片的需求將呈現(xiàn)爆炸性的增長。紫光長江存儲64層3D Flash芯片量產(chǎn)后，還將一條龍急速推出集成64層3D NAND Flash芯片的固態(tài)硬盤等非常多應用產(chǎn)品，為中國存儲器芯片打出一片天。

現(xiàn)在韓國和老美已經(jīng)量產(chǎn)96層3D Flash芯片，雖然這個64層 Flash還比不了96層的芯片，但也是業(yè)內(nèi)所有64層3D Flash芯片中，存儲密度最高的芯片，每片晶圓能夠切割出1千多顆芯片，也算還不錯了，有不錯的市場競爭力。

之所以說有不錯的競爭力，還有一個原因就是：Xtacking架構(gòu)。Xtacking架構(gòu)是長江存儲自研的一種突破性3D Flash芯片架構(gòu)，能夠在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲模塊。當兩片晶圓各自完工后，該技術(shù)只需一個處理步驟，就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道，將兩片晶圓鍵合。

相比傳統(tǒng)的韓國Samsung和老美Micron三維 Flash架構(gòu)，該技術(shù)可帶來更快的寫入和讀取傳輸速度、更高的存儲密度和更短的開發(fā)周期和產(chǎn)品上市周期，優(yōu)勢巨大。一句話說這種優(yōu)勢就是：長江存儲有Xtacking架構(gòu)后，64層 Flash芯片不僅比韓美 Flash芯片速度快非常多，而且速度能媲美一般的內(nèi)存芯片。