STM32L0芯片F(xiàn)LASH編程簡(jiǎn)單演示

這里就STM32L053芯片的FLASH編程做個(gè)簡(jiǎn)單演示并做些提醒，以供有需要的人參考。

一般來講，F(xiàn)LASH編程主要包括擦除、代碼編程、Option字修改操作，關(guān)于Option編程下面不做介紹。STM32L0芯片的擦除除了支持全片擦除外，再就是支持頁擦除，每頁的大小為128Bytes，即32個(gè)字。編程可以按字或按半頁【64Bytes】編程。單頁擦除、單字編程以及半頁編程的時(shí)間都是一樣的，大概3.2ms左右，這點(diǎn)在芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)上也明確出來了。

這里提醒兩點(diǎn)。第一點(diǎn)，在做擦除或編程時(shí)，要注意地址對(duì)齊的問題，頁擦除時(shí)地址要128字節(jié)對(duì)齊，字編程注意4字節(jié)對(duì)齊，半頁編程時(shí)注意64字節(jié)對(duì)齊。還有一點(diǎn)就是做半頁編程時(shí)，半頁編程的執(zhí)行代碼要放到RAM里進(jìn)行，這點(diǎn)手冊(cè)也強(qiáng)調(diào)了。

下面演示字編程、頁編程、頁擦除的操作。這里我先以字編程模式寫5個(gè)字，然后以半頁編程模式對(duì)5個(gè)半頁進(jìn)行FLASH編程，并記錄二者所花的時(shí)間，看看字編程時(shí)間跟半頁編程的是否一致。另外，在完成5個(gè)半頁編程之后，又進(jìn)行了頁擦除操作，擦除剛才已編程的5個(gè)半頁中的1頁，即最后應(yīng)只剩下3個(gè)半頁的內(nèi)容【注：對(duì)于STM32L0系列芯片，內(nèi)部FLASH被擦除后內(nèi)容為全0】。

下面代碼截圖是基于STM32Cube庫(kù)來組織的，主要涉及到字編程、半頁編程、頁擦除三個(gè)操作，對(duì)應(yīng)著綠色下劃線的3個(gè)庫(kù)函數(shù)。

其中，半頁編程的執(zhí)行代碼需配置到RAM里去運(yùn)行。另外，Period1和Period2分別來存放寫5個(gè)字和5個(gè)半頁的編程時(shí)間，并放在指定的FLASH位置。編譯運(yùn)行后我們可以看到如下結(jié)果：

上面截圖是經(jīng)過運(yùn)行后芯片內(nèi)部的部分FLASH空間的內(nèi)容。5個(gè)紅色方框圍住的數(shù)據(jù)乃5個(gè)字編程后的結(jié)果，藍(lán)色方框內(nèi)的數(shù)據(jù)乃5次半頁編程后的結(jié)果，但最終只看到3個(gè)半頁的編程內(nèi)容，那是因?yàn)楹竺鎯蓚€(gè)半頁的內(nèi)容經(jīng)頁擦除操作后而消失了。

用來統(tǒng)計(jì)編程時(shí)間的定時(shí)器的計(jì)數(shù)頻率為1MHz，顯然Period1和Period2基本是相等的，將它們?cè)俪?后所得編程時(shí)間都是3.3ms的樣子。顯而易見，進(jìn)行批量代碼編程時(shí)采用半頁編程更高效。

前面說了做半頁編程時(shí)其執(zhí)行代碼需放到RAM運(yùn)行，該代碼在STM32cube庫(kù)的這個(gè)文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c里面。實(shí)現(xiàn)該操作對(duì)于不同的IDE在處理上稍有差異。這里基于ARM MDK進(jìn)行簡(jiǎn)單配置，劃分點(diǎn)RAM出來給它用。

關(guān)于STM32L0系列FLASH編程的演示就介紹到這里，愿能幫到有需之人以節(jié)省些時(shí)間和精力。

責(zé)任編輯：lq6

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