與武岳峰等中國(guó)基金所收購(gòu)的美國(guó) DRAM 廠 ISSI 合并，從 9 月中停牌迄今的兆易創(chuàng)新今 19 日再發(fā)出持續(xù)停牌公告，并正式揭露了即將與 ISSI 整并的消息！
2016-11-21 10:09:55
1769 早前曾報(bào)導(dǎo)過，中國(guó)NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新（Gigadevice）可能與武岳峰等中國(guó)基金所收購(gòu)的美國(guó)DRAM廠ISSI合并，從9月中停牌迄今的兆易創(chuàng)新19日再發(fā)出持續(xù)停牌公告，并正式揭露了即將與ISSI整并的消息！
2016-11-21 14:00:583126 和?x16 配置中均可提供高達(dá)?2133Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，并可與1.5V DDR3實(shí)現(xiàn)100%兼容。目前，華邦的?DRAM 產(chǎn)品布局包括1Gb-4Gb DDR3、128Mb-2Gb DDR
2022-04-20 16:04:032554 
DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2022-11-28 09:17:063907 DDR4，開發(fā)版使用的是DDR3。DRAM：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，內(nèi)部存儲(chǔ)單元的以電容電荷表示數(shù)據(jù)，1代表有電荷，0代表無(wú)數(shù)據(jù)。DRAM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)答，所以成本低，集成度高。但是存取速度不如SRAM。? 2.DDR?常見頻率100MHZ，133MHZ，166M，200MHz。?計(jì)算容量：行地址位row=
2022-02-07 06:15:06
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11
我們公司屬進(jìn)口原裝正品存儲(chǔ)IC現(xiàn)貨代理分銷商：1、主要是在MEMORY、FLASH、SRAM、SDRAM、DDR方面?zhèn)溆鞋F(xiàn)貨庫(kù)存，且價(jià)格方面也有優(yōu)勢(shì)2、。主營(yíng)品牌有ISSI、SPANSION
2018-11-20 14:40:55
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數(shù)，但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個(gè)文件里：搜索了一下有下面幾個(gè)文件比較像，但我不知到時(shí)哪一個(gè)，請(qǐng)各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
反應(yīng)。如果燒寫內(nèi)核時(shí)候直接運(yùn)行內(nèi)核的話，板子會(huì)在解壓內(nèi)核的時(shí)候死掉。初步判斷，是地址空間的問題。 開發(fā)板的DRAM是128M，NANDFLAHS 128M，公司自己板子的DRAM是256M，NANDFLAHS 也是256M，是不是公司板子的地址映射有問題？請(qǐng)問怎么改？
2019-02-21 12:42:59
這款DDR芯片，其大小為128MB。 一般對(duì)于嵌入式設(shè)備，可能需要的內(nèi)存大于128MB，那怎么實(shí)現(xiàn)呢？ 可以通過兩片DDR級(jí)聯(lián)，例如上述兩片DDR級(jí)聯(lián)，級(jí)聯(lián)后存儲(chǔ)容量為128M * 2 = 256MB。 當(dāng)然也可以直接選取256MB的DDR咯。
2020-09-16 15:30:27
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-25 15:41 編輯
大家好！我最近有一個(gè)問題很疑惑，我的TI 原裝的TMS320DM8168的開發(fā)板上有8片DDR3，每片128M，每四片一個(gè)
2018-05-25 00:25:27
Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號(hào)線是漏極開路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM
2008-12-04 10:16:36
`本開發(fā)板板載了一片高速 DDR3 SDRAM， 型號(hào)：MT41J128M16JT-093， 容量：256MByte（128M*16bit），16bit 總線。開發(fā)板上 FPGA 和 DDR
2021-07-30 11:23:45
控制器的地址空間都是512MB。所以說如果DRAM控制器“力所能及”512MB。此處我們用了每個(gè)的128M地址空間。圖2圖3圖2和圖3所示，為兩顆16位寬的DDR2，掛在DMC1上，地址線、片選、時(shí)鐘等
2015-08-17 20:30:17
的SOC包含兩個(gè)硬核ARM A9，以及ARTIX-7邏輯。板子還有一顆128M x 16 bit DDR3 CLK800MHz，一塊128M字節(jié) NAND FLASH，PS端 33.333Mhz晶振
2021-07-29 07:19:33
我使用Hyperlynx 8.0進(jìn)行了模擬，如下所示： 將FPGA和DRAM芯片的DQ連接到54.5歐姆傳輸線，IBIS模型從Xilinx和Micron網(wǎng)站下載。 DRAM芯片可支持DDR
2020-06-08 07:42:56
將達(dá)到3200MT/s，于2012年推出市場(chǎng)，到2013年時(shí)運(yùn)行電壓將改進(jìn)至1V。然而到了2011年1月，三星電子宣布完成DDR4 DRAM模塊的制造和測(cè)試，采用30nm級(jí)工藝，數(shù)據(jù)傳輸率為
2022-10-26 16:37:40
1. 嵌入式的內(nèi)存內(nèi)存的發(fā)展從DRAM到廣泛使用的SDRAM，到之后一代的DDR（或稱DDR1），然后是DDR2和DDR3進(jìn)入大眾市場(chǎng)，2015年開始DDR4進(jìn)入消費(fèi)市場(chǎng)。單片機(jī)領(lǐng)域中，使用較多
2021-12-17 07:44:44
來源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長(zhǎng)15.5%。主要原因來自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
我是一名labview FPGA程序員，使用的是NI 7975 fpga模塊，它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應(yīng)該從芯片到芯片之間會(huì)有多少延遲？這是DDR3 DRAM雙端口（同時(shí)讀寫操作可能??）???
2020-05-20 14:42:11
我碰到很多研發(fā)對(duì)DDR的分類不太了解，包括工業(yè)級(jí)，商業(yè)及，汽車級(jí)，軍工級(jí)，的區(qū)分定義。還有就是每個(gè)行業(yè)級(jí)別的內(nèi)存廠家排名都不一樣的。商業(yè)級(jí)的大家應(yīng)該都很了解，就是三星，海力士，鎂光，華邦等，工業(yè)級(jí)
2016-12-20 15:10:20
,MRAM(非易失性存儲(chǔ)器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit-512Mbit9.DDR2/DDR3 SDRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2013-08-27 09:34:11
年收購(gòu)電子芯片，收購(gòu)電子IC，收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片，收購(gòu)內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌，回收DDR，收購(gòu)DDR?。。
2021-04-28 18:17:53
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 10:36 編輯
我想用DM6446做圖像處理， 我目前的板子是合眾達(dá)的，DDR是128M，而TI的默認(rèn)文檔都是256M內(nèi)存的配置，請(qǐng)問我應(yīng)該怎么修改 才能符合我自己的應(yīng)用？ 還有我想做智能圖像處理，偏重識(shí)別方面的，采用那款產(chǎn)品比較好呢？
2018-06-22 05:53:03
P25Q256HFlashSPI256M2.3-3.6v 普冉P25Q128HFlashSPI128M2.3-3.6v 普冉P25Q640HFlashSPI64M2.3-3.6v 普冉
2020-02-22 16:36:16
求RK3399+4顆DDR3 PCB文件
2022-06-23 20:14:15
溫控產(chǎn)品解決方案NetCol8000-C房間級(jí)冷凍水智能溫控產(chǎn)品產(chǎn)品描述：華為NetCol8000-C系列是針對(duì)中低密度、中大型數(shù)據(jù)中心制冷需求設(shè)計(jì)的制冷末端產(chǎn)品，其通常與冷水機(jī)組、水泵、冷卻塔等
2021-08-31 07:57:11
本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
【來源】：《電子與電腦》2010年02期【摘要】：<正>泰克公司日前宣布,為中國(guó)推出首款直流電源PWS2000-SC簡(jiǎn)體中文系列,以支持中國(guó)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)工
2010-04-23 11:27:11
習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)***以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。DDR的核心...
2021-09-14 09:04:30
有個(gè)非BGA還合封了DDR的版本，很是欣喜，但點(diǎn)開一看，SIP的DDR只有64M，跑IPKVM有點(diǎn)夠嗆（除了推流還得實(shí)現(xiàn)HID和一個(gè)noVNC以供從網(wǎng)頁(yè)端操作），不知道后續(xù)會(huì)不會(huì)有合封更大內(nèi)存的D1S/F133版本
2021-12-28 07:24:55
你好。
我們正在使用通過 EIM 總線連接的 imx6 和 fpga。
當(dāng)cpu發(fā)生中斷時(shí)，從EIM Memory中讀取CS0的數(shù)據(jù)。
我們基本上把CS0分配為一個(gè)128M的區(qū)域。
我有個(gè)
2023-05-19 08:50:45
麻雀加核計(jì)劃：MQ增加雙核內(nèi)置128M版本，MQ-Pro則增加四核版本
2022-03-15 14:45:30
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78Pin FBGA Tray
2022-05-31 11:17:55
ISSI是一家國(guó)際性的高科技公司，專門從事設(shè)計(jì)，開發(fā)，制造和銷售集成電路存儲(chǔ)器，是北美最大的SRAM制造商之一，ISSI的核心產(chǎn)品包括高速，低功耗的SRAM，中，低容量的DRAM.EEPROM
2009-11-05 11:59:05
10 該文提出一種基于素域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗(yàn)碼的方法。該方法是Lan 等所提出基于有限域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗(yàn)碼的方法在素域上的推廣，給出了一類更廣泛的基于素域構(gòu)造的準(zhǔn)循
2010-03-05 17:04:523 該文提出一種基于素域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗(yàn)碼的方法。該方法是Lan 等所提出基于有限域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗(yàn)碼的方法在素域上的推廣，給出了一類更廣泛的基于素域構(gòu)造的準(zhǔn)循
2010-03-06 10:38:1513 W9412G6IH datasheet pdf資料(2M*4 Banks*16 Bits DDR SDRAM)
The W9412G6IH is a 128M DDR SDRAM
2010-03-27 17:27:3540 紐曼s999固件升級(jí):S999TV4.0支持N制CA卡固件（機(jī)身內(nèi)存128M）和S999TV4.0增加股票信息（機(jī)身內(nèi)存4G）。
2010-04-25 18:47:39186 什么是交換機(jī)間系統(tǒng)接口(ISSI)
交換機(jī)間系統(tǒng)接口(ISSI: Inter-Switching System Interface)
交換機(jī)間系統(tǒng)接口(ISSI)是一個(gè)在
2008-11-27 08:47:141265 DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術(shù)門檻
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預(yù)期下，相繼投入產(chǎn)能擴(kuò)充競(jìng)賽，這也使得DRAM供過于求
2009-11-17 10:10:49590 iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場(chǎng)主流
11月24日消息，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測(cè)，DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場(chǎng)出貨
2009-11-25 09:21:44511 Winbond -DRAM 64M 128M 256M SDRAM
產(chǎn)品規(guī)格 ‧64M 128M 256M SDRAM ‧128M 256M DDR1
2010-01-08 16:59:011451 臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441094 DDR3來臨2010年DRAM市場(chǎng)云開月明
2009年DRAM 市場(chǎng)烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時(shí)期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲
2010-01-26 09:54:00549 IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
IDT公司推出首款針對(duì)DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場(chǎng)的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、
2010-01-26 16:53:32646 IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
新器件可提高企業(yè)、移動(dòng)及嵌入式計(jì)算系統(tǒng)的可靠性、性能和電源效率
IDT公司（Integrated Device Technology, Inc.）推出首款
2010-01-27 08:34:25801 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 安華高推出首款電子標(biāo)志LED燈
Avago Technologies（安華高科技）今日宣布推出業(yè)內(nèi)第一款適合戶外和室內(nèi)電子標(biāo)志應(yīng)用，采用表面貼裝封
2010-03-19 09:17:36825 針對(duì)低密度PLD設(shè)計(jì)人員對(duì)單個(gè)器件低成本、低功耗和高系統(tǒng)集成的需求，萊迪思半導(dǎo)體(Lattice)日前推出新的MachXO2 PLD系列。與MachXO
2010-12-01 08:51:451058 
賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案，成為其無(wú)需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充
2011-01-26 16:45:37641 本文研究高速 數(shù)據(jù)傳輸 中的低密度校驗(yàn)(LDPC)碼編碼的原理、有效編解碼算法以及基于低密度校驗(yàn)編碼的編碼調(diào)制系統(tǒng)的分析和設(shè)計(jì)方法。LDPC 碼是一類能夠達(dá)到Shannon 極限性能的線性分
2011-06-14 16:33:360 據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場(chǎng)追蹤報(bào)告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術(shù)在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場(chǎng)。第一季度DDR3模組出貨量達(dá)到1.507億個(gè)，占全球總體DRAM模組市場(chǎng)的87
2012-05-03 09:19:12871 
歐司朗光電半導(dǎo)體推出首款板上芯片LED—Soleriq E，是高能效筒燈的理想光源。
2012-07-05 09:42:191077 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊 ：萊迪思(lattice)半導(dǎo)體公司近日宣布，推出MachXO2系列超低密度FPGA控制開發(fā)套件。該套件適用于低成本的復(fù)雜系統(tǒng)控制和視頻接口設(shè)計(jì)的樣機(jī)開發(fā)。新加入了MachXO2-4000
2012-10-24 15:10:093158 ISSI-SRAM選型,有需要的下來看看。
2016-12-11 21:39:2636 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動(dòng) DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動(dòng) DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12749 DDR 控制器部產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān) 概述 DDR DRAM內(nèi)存控制器要滿足眾多市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的需求。一款出色的內(nèi)存控制器必須能夠增加存儲(chǔ)器接口的帶寬，滿足CPU、圖形處理、系統(tǒng)實(shí)時(shí)DRAM的延遲需求，同時(shí)符合
2017-11-18 18:23:122521 基于編碼的密碼系統(tǒng)具備抵抗量子計(jì)算的天然優(yōu)勢(shì)。針對(duì)傳統(tǒng)的基于Goppa碼構(gòu)造的密碼方案存在密文擴(kuò)展率大和密鑰量大的問題，利用低密度生成矩陣（ LDGM）碼和哈希函數(shù)構(gòu)造了一個(gè)可證明安全的簽密方案
2017-12-12 11:06:470 三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38834 DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0091644 Crucial近日推出服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品系列新品--128GB DDR4 LRDIMM。 其為該公司至今以來所推出的產(chǎn)品中密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊，新的DDR4服務(wù)器內(nèi)存具備從2666MTbit/s起跳的速度，可提升每部服務(wù)器所安裝的內(nèi)存容量，以充分運(yùn)用CPU和服務(wù)器硬件效能。
2018-06-25 10:34:002096 繼儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格走跌之后，原本報(bào)價(jià)尖挺的DRAM也開始松動(dòng)，其中，連續(xù)八季漲價(jià)的DDR3率先走跌，臺(tái)灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品，將首當(dāng)其沖。
2018-08-08 10:31:143377 三年前，DRAM廠商ISSI被中資私有化引回國(guó)內(nèi)市場(chǎng)后，關(guān)于ISSI的最終去向一直備受行業(yè)關(guān)注，如今去向已定。A股芯片設(shè)計(jì)公司北京君正將拿下ISSI的控制權(quán)。
2018-11-12 17:02:024566 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56845 NorFlash S29GL128P 外擴(kuò)存儲(chǔ)模塊 容量128M Bit
可直接接入帶有32I/Os接口的Open系列開發(fā)板
型號(hào) NorFlash Board (B)
2019-12-30 09:31:352375 
N55S128是一個(gè)128M位(16M字節(jié))的SPI串行式Mask ROM。 規(guī)格數(shù)據(jù)
2020-02-12 11:23:451681 
SK 海力士公司宣布，其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM），創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約 27%，因其無(wú)需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2019-11-19 11:08:21649 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布，摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)已搭載美光的低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM 芯片。
2020-04-25 10:32:51689 美國(guó)ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場(chǎng)提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態(tài)RAM
2020-05-28 15:30:26929 低功耗SRAM和中低密度DRAM。 IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有糾錯(cuò)(ECC)功能的異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Async SRAM),該器件內(nèi)置獨(dú)立的ECC單元，極大程度提升了數(shù)據(jù)的完整性;同時(shí)得益于先進(jìn)的設(shè)計(jì)理念及65nm的制程工藝,期耗、讀寫速度均處于業(yè)界領(lǐng)先水平
2020-05-28 14:54:37662 標(biāo)準(zhǔn) DDR 面向服務(wù)器、云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和消費(fèi)類應(yīng)用，支持更寬的通道寬度、更高的密度和不同的形狀尺寸。DDR4 是這一類別目前最常用的標(biāo)準(zhǔn)，支持高達(dá) 3200 Mbps 的數(shù)據(jù)速率。DDR5 DRAM 的運(yùn)行速度高達(dá) 6400 Mbps，預(yù)計(jì)將在 2020 年問世。
2020-06-08 16:54:235847 
美國(guó)ISSI存儲(chǔ)器公司的主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。該公司還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存存儲(chǔ)器產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。近年來對(duì)復(fù)雜半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)
2020-07-11 10:44:36911 
階段不斷增強(qiáng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施。通過SRAM芯片，DRAM和Flash產(chǎn)品系列來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。 從開始到生產(chǎn)，汽車市場(chǎng)的設(shè)計(jì)周期可能為3-4年。然后生產(chǎn)將再運(yùn)行5-6年。后期支持的需求已經(jīng)存在了數(shù)年。ISSI致力于為客戶提供汽車生產(chǎn)計(jì)劃階段所需的長(zhǎng)期支持。ISSI與客戶合作以
2020-08-27 10:08:37523 ISSI是一家無(wú)晶圓廠的半導(dǎo)體公司，為以下主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)開發(fā)和銷售高性能集成電路：汽車和通信，工業(yè)和醫(yī)療以及數(shù)字消費(fèi)者。ISSI的主要產(chǎn)品是SRAM，DRAM存儲(chǔ)，包括NOR閃存，NAND閃存和托管
2020-08-27 10:14:23630 1 月 27 日消息 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商美光科技今日宣布批量出貨基于 1α （1-alpha） 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:031970 美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來或?qū)⒌采w美光所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442202 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼： MU）今日宣布，已開始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM （LPDDR5
2021-02-26 12:02:252828 據(jù)外媒消息，日益嚴(yán)重的DDR3短缺，導(dǎo)致價(jià)格飛漲，三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計(jì)劃。
2021-03-19 10:45:261622 美國(guó)ISSI公司是為汽車和通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年來對(duì)精密半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)
2021-04-08 15:44:021587 
為解決現(xiàn)有基于人工設(shè)計(jì)特征行為識(shí)別方法缺少多類異常行為分類研究和受人工影響大等問題，提出和實(shí)現(xiàn)了基于粗糙集的多類中低密度人群異常行汋識(shí)別算法。該算法首先提取目標(biāo)人群的人欻、幀泙均加速度、矩形框的距離
2021-06-17 16:52:053 大尺度低密度新媒體空間的彈性沉浸體驗(yàn)設(shè)計(jì)
2021-06-25 14:20:127 ISSI公司主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存儲(chǔ)芯片。還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。主要是應(yīng)用在汽車、通信、數(shù)字消費(fèi)以及工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)的設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。
2021-08-24 17:25:57681 是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。DDR的核心...
2021-11-10 09:51:03154 合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺(tái)的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:572298 Microchip 為在產(chǎn)品壽命為 20 年的嵌入式系統(tǒng)中設(shè)計(jì)低密度 NOR 閃存提供了理由，這些系統(tǒng)經(jīng)常面臨 EOL 組件的挑戰(zhàn)。
2022-08-17 16:52:25578 
（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。? “ ?三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm
2022-12-21 11:08:29521 出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:54756 
DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103378 
據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿足，買方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型，但對(duì)于DDR4采購(gòu)量增幅不定。預(yù)計(jì)PC DRAM季度合約價(jià)變化幅度將在10～15%之間，其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195
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