JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會，微電子產(chǎn)業(yè)標準全球領導制定機構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導性標準演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
3509 和?x16 配置中均可提供高達?2133Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，并可與1.5V DDR3實現(xiàn)100%兼容。目前，華邦的?DRAM 產(chǎn)品布局包括1Gb-4Gb DDR3、128Mb-2Gb DDR
2022-04-20 16:04:032554 
最近我在調(diào)試自制6657板子的DDR3初始化，發(fā)現(xiàn)一個很奇怪的現(xiàn)象，百思不得其解，我分別用GEL和KEYSTONE DDR3 INIT 在6657EVM開發(fā)板上做DDR3初始化，是沒有問題的，我用
2019-01-08 10:19:00
供了計算寄存器字段值并顯示結(jié)果的公式。每一個方程都包含一個-1，因為寄存器域是根據(jù)DDR3時鐘周期-1。編程時間值的目的是用DRAM時鐘來計算它們，循環(huán)和四舍五入到下一個最高的整數(shù)值。圖 17
2018-01-18 22:04:33
大家好，為了能夠leveling成功，DDR3的布線約束需要規(guī)定到每一片DRAM的CLK長度與DQS長度差值不能超過一定范圍。但是根據(jù)6678或者6670開發(fā)板，其中關于DQS和CLK長度差的布線
2019-01-02 15:21:58
嗨，我是FPGA領域的新手?，F(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
與DDR3的天下了.如果覺得上面的說明依然不夠有力，那么請看下面：下圖來自韓國（hynix）原廠文檔截圖。這是文檔中的DDR2圖形處理記憶體?！ ∵@是 DDR3記憶體可以看見最高規(guī)格的DDR3為
2011-02-23 15:27:51
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
概述: JS-9300A內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
1概述 當今計算機系統(tǒng)DDR3存儲器技術已得到廣泛應用，數(shù)據(jù)傳輸率一再被提升，現(xiàn)已高達1866Mbps.在這種高速總線條件下，要保證數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量的可靠性和滿足并行總線的時序要求，對設計實現(xiàn)提出
2014-12-15 14:17:46
通過DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過命名怎樣算出內(nèi)存的大小？
2017-06-15 21:19:11
各位朋友有沒有遇到過DDR3 Vref 信號上100nF濾波電容失效的情況？我們板子用到了2顆DDR3芯片，VREFCA和VREFDQ管腳各自通過兩個10K電阻分壓得到0.76V。主芯片上還有一個MEM_VREF管腳也是通過兩個1K電阻分壓得到0.76V。
2019-02-19 10:41:35
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應用在計算機及電子產(chǎn)品領域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
DDR3基礎詳解最近在IMX6平臺下做DDR3的測試接口開發(fā)，以前在學習嵌入式時，用的是官方源碼，沒有做過多的研究。此時需要仔細研究DDR3的引腳與時序，此篇是我在學習DDR3做的歸納與總結(jié)，其中有
2021-07-28 09:02:52
共享交流一下，DDR3布線技巧
2016-01-08 08:17:53
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3，也沒有復用總線將DDR3的CS直接拉到地的話，DDR3初始化不成功所以說DDR3的CS信號是通過沿采樣的嗎，電平采樣不行？無法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好！關于DDR3，之前有小結(jié)過如果進行DDR3的SW leveling和進行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時，如果進行DDR3的問題定位，現(xiàn)小結(jié)一下，附上相關文檔。如有相關問題，可在樓下跟帖討論。謝謝！
2018-06-21 04:01:01
專家，你好，想節(jié)省代碼設計的周期，請問是否可以提供6670的DDR3的驅(qū)動例子？謝謝
2018-06-21 13:34:52
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
你好，ISE版本為13.3，modelsim版本為10.1c 64bit.MIG工具為ddr3生成mcb。modelsim的transcript窗口中的消息如下
2019-07-08 08:44:42
? ? ? BeagleBone的參考設計中，DDR3設計是DDR3 Device without VTT Termination。而其他的AM335X的參考設計都是有VTT Termination
2018-06-21 03:05:42
FPGA如何對引腳進行分塊？是由VCC的電壓不同進行自行設計分塊？還是每個塊的引腳都是固定的？在進行DDR3與FPGA的硬件連接時，由FPGA的芯片手冊得采用SSTL_15電壓標準，即VDDQ
2021-11-29 16:10:48
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設計。Gowin DDR3 參考設計可在高云官網(wǎng)下載，參考設計可用于仿真，實例化加插用戶設計后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
Achieving High Performance DDR3 Data Rates in Virtex-7 and Kintex-7 FPGAs。Xilinx官方DDR3資料。
2016-05-27 16:39:58
，甚至轉(zhuǎn)虧為盈。不過，受第二季電子廠拉貨速度減緩影響，DRAM價格4月底顯疲態(tài)；根據(jù)集邦科技的報價，近期DDR3 1Gb eTT（有效測試顆粒）均價已跌破3美元關卡，跌至2.87美元，和3月底的3.04
2010-05-10 10:51:03
DDR3的IP核配置完畢后，產(chǎn)生了好多文件，請問如何調(diào)用這些文件實現(xiàn)DDR3的讀寫呢？看了一些文章，說是要等到local_init_done為高電平后，才能進行讀寫操作。請問DDR3的控制命令如
2016-01-14 18:15:19
看完保證你會做DDR3的仿真
2015-09-18 14:33:11
效能，不會在零售市場成為技術主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會在零售市場成為技術主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
嗨，我正在設計一個定制FPGA板＆amp;我將使用帶有Kintex（XC7K160T-2FFG676C）FPGA的DDR3 RAM。我閱讀了xilinx＆amp; amp; amp; amp
2020-04-17 07:54:29
可能會跳過這個4Gb單位元元容量，也就是說屆時單條DDR2的DRAM模塊，容量最大可能只會到4GB。而DDR3模塊容量將從1GB起跳，目前規(guī)劃單條模塊到16GB也沒問題（注意：這里指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不在此限）。
2011-12-13 11:29:47
我是一名labview FPGA程序員，使用的是NI 7975 fpga模塊，它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應該從芯片到芯片之間會有多少延遲？這是DDR3 DRAM雙端口（同時讀寫操作可能??）???
2020-05-20 14:42:11
自己畫的6657的板，發(fā)現(xiàn)DDR3初始化有問題，初始化參數(shù)是按照芯片手冊來設置的，寫數(shù)據(jù)進去會出錯。初步懷疑是DDR3布線問題,請問TI的大神們，6657對DDR3的布線有什么具體的要求嗎？或者是
2018-06-21 05:42:03
MT41J25616XX用于DDR3芯片。當我們使用MIG工具配置DDR3時，對于我們的FPGA，此DDR3組件未顯示在支持的DDR3組件列表中。如果我們使用“創(chuàng)建自定義部件”添加我們的芯片，那么
2019-02-18 09:01:37
設計滿足大容量數(shù)據(jù)緩存要求，并具有較強的可移植性?！‰S著寬帶雷達技術的發(fā)展，超高速和寬帶采樣已成為基本要求［１］，超高速采集系統(tǒng)需要相匹配的數(shù)據(jù)緩存設計，DDR3 SDRAM是當前最常用的高效方案
2018-08-02 09:34:58
Xilinx Virtex-6系列FPGA中使用MIG3.7 IP核實現(xiàn)高速率DDR3芯片控制的設計思想和設計方案。針對高速實時數(shù)字信號處理中大容量采樣數(shù)據(jù)通過DDR3存儲和讀取的應用背景，設計和實現(xiàn)了
2018-08-30 09:59:01
大量收購現(xiàn)代DDR3長期回收現(xiàn)代ddr3，高價收購現(xiàn)代DDR3.大量求購現(xiàn)代DDR3.深圳帝歐專業(yè)電子回收，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com
2021-10-13 19:12:25
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2021-10-13 19:18:05
現(xiàn)在因為項目需要，要用DDR3來實現(xiàn)一個4入4出的vedio frame buffer。因為片子使用的是lattice的，參考設計什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來實現(xiàn)這個vedio
2015-08-27 14:47:57
大家好，我在DDR3規(guī)格中發(fā)現(xiàn)JEDEC79-3E定義VOH（DC）是DC輸出高測量級別（用于IV曲線線性）。但是沒有關于如何測量高輸出直流輸出的指南，特別是當信號在高電壓時有環(huán)時，請參見附圖。誰能
2019-04-17 13:59:13
自建Spartan6 DDR3仿真平臺
2019-08-01 06:08:47
怎樣對DDR3芯片進行讀寫控制呢？如何對DDR3芯片進行調(diào)試？
2021-08-12 06:26:33
本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術，中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
正常啟動。DDR 供應商給的建議是之前 c die 是舊版 和Q DIE 制程不同需要主芯片廠確認是否有驗證這個必須主控驗證，客戶可直接和主控確認；如果主控已經(jīng)認證客戶直接調(diào)試應該就可以這個和選用的新的DDR3型號有關系么，還是直接調(diào)試相關參數(shù)就可以解決了？
2018-07-27 07:04:39
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 11:34 編輯
各位專家好！剛剛學習DSP,還沒有入門。實驗室購買了TMS320C6678開發(fā)板。請問：1、為什么DSP需要外接DDR3?2
2018-06-20 00:40:57
iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流
11月24日消息，根據(jù)市場研究機構(gòu)iSuppli的最新預測，DDR3(Double Data Rate 3)標準型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨
2009-11-25 09:21:44511 DDR3將是2010年最有前景市場
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世
2009-12-15 10:28:14769 
臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年PC主流內(nèi)存標準從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441094 DDR3來臨2010年DRAM市場云開月明
2009年DRAM 市場烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時期，終于守得云開見月明。春季溫和復蘇，夏季迎來光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲
2010-01-26 09:54:00549 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準備應用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3
報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:18955 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:114257 
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場追蹤報告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場。第一季度DDR3模組出貨量達到1.507億個，占全球總體DRAM模組市場的87
2012-05-03 09:19:12871 
總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對于初學者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:37
36 DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側(cè)的，測試起來相當方便；但是，DDRII和III就不一樣了，
2017-11-06 13:44:108454 
雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設計中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0091644 只要遵循適當?shù)牟襟E，對KeyStone DSPs的DDR3 DRAM控制器的初始化是直接的。然而，如果省略了某些步驟，或者如果以錯誤的順序執(zhí)行一些序列敏感的步驟，DDR3操作將是不可預測的。
2018-04-28 11:09:349 繼儲存型快閃存儲器價格走跌之后，原本報價尖挺的DRAM也開始松動，其中，連續(xù)八季漲價的DDR3率先走跌，臺灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品，將首當其沖。
2018-08-08 10:31:143377 我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量，封裝，速度等級等信息。
2019-03-03 11:04:151909 
DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎上采用的新型設計，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:000 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設計資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設計，二、DDR電路的信號完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設計建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:000 從成本的角度來看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 據(jù)外媒消息，日益嚴重的DDR3短缺，導致價格飛漲，三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計劃。
2021-03-19 10:45:261622 DDR4相比DDR3的相關變更點相比DDR3，DDR4存在諸多變更點，其中與硬件設計直接相關的變更點主要有：? 增加Vpp電源；? VREFDQ刪除；? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0028 是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。DDR的核心...
2021-11-10 09:51:03154 ??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測試例程，Vivado也提供了一個DDR的example，但卻是純Verilog代碼，比較復雜，這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下，用很簡單的程序就可以進行DDR3的測試。
2022-08-16 10:28:581241 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915 DDR3 SDRAM使用雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)來實現(xiàn)高速操作。雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)是一種8n預取架構(gòu)，其接口經(jīng)過設計，可在I/O引腳上每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。
DDR3 SDRAM的單個讀或?qū)懖僮饔行У匕?/div>
2023-02-06 10:12:003 本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術進行詳細的比較，分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089 DDR3是2007年推出的，預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56517 
是目前使用最為廣泛的計算機內(nèi)存標準，它已經(jīng)服務了計算機用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術的進步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標準工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標準則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003901 法人方面解釋說：“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導，因此，中臺灣企業(yè)在半導體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 已全部加載完成
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