第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山曾對(duì)媒體表示，2019年，第三代半導(dǎo)體進(jìn)入發(fā)展的快車道，2020年是中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展一個(gè)關(guān)鍵的窗口期。汽車、5G、消費(fèi)電子加速市場(chǎng)增長(zhǎng)，各大巨頭在碳化硅領(lǐng)域做布局。筆者梳理了最近華為哈勃科技的三筆投資，顯然也有這個(gè)意味。
2020-12-03 08:36:36
9022 3月15日，在深圳福田會(huì)展中心的論壇上，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長(zhǎng)趙靜分享2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)和中國(guó)第三代半導(dǎo)體的最新市場(chǎng)規(guī)模和應(yīng)用進(jìn)展。
2023-03-17 08:33:275138 
5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠均已卡位，三星加入南韓官方計(jì)劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局
2021-05-10 16:00:572569 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/程文智）不久前，有朋友分享一篇文章，說第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)很小，無法跟硅基半導(dǎo)體相比。看過文章之后，其實(shí)他說的是目前及未來幾年第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)量很小。作為一個(gè)新興技術(shù)，剛開始產(chǎn)量
2022-01-06 10:14:163678 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)近幾年高速增長(zhǎng)。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣，機(jī)構(gòu)投資整體更理性下，第三代半導(dǎo)體企業(yè)的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331414 
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠?b class="flag-6" style="color: red">電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上個(gè)世紀(jì)六七十年代，III-V族半導(dǎo)體的發(fā)展開辟了光電和微波應(yīng)用，與第一代半導(dǎo)體一起，將人類推進(jìn)了信息時(shí)代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL評(píng)估板是第三代完全集成的3端口開關(guān)。 KSZ8873RLL的兩個(gè)PHY單元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來說，第三代手機(jī)是指將無線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動(dòng)通信過渡技術(shù)——EDGE作者：項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個(gè)國(guó)家的1億多人采用GSM，有近100個(gè)國(guó)家的約9500萬用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
（PATRO）高解析強(qiáng)光抑制攝像機(jī)、帕特羅（PATRO）遠(yuǎn)距離紅外一體攝像機(jī)、帕特羅（PATRO）紅外防雷攝像機(jī) 正當(dāng)IR-III技術(shù)以新臉孔出現(xiàn)在紅外夜視市場(chǎng)時(shí)，市場(chǎng)上也出現(xiàn)了第三代陣列式紅外攝像機(jī)，造成
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代紅外技術(shù)，紅外夜視領(lǐng)域經(jīng)歷了一場(chǎng)場(chǎng)紅外技術(shù)新革命，引領(lǐng)著夜視監(jiān)控行業(yè)向更深更遠(yuǎn)的方向發(fā)展，給安防市場(chǎng)制造著一個(gè)又一個(gè)亮點(diǎn)。紅外技術(shù)早在60年代初期由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研發(fā)
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀搭載騰訊車聯(lián)，采用的是最新無限技術(shù)，無限流量隨便使用。擁有強(qiáng)大的互聯(lián)網(wǎng)功能，全程語音幫車主解決很多行車問題。行車
2019-01-08 15:44:58
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動(dòng)通信向
第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽能的介紹，諸多的評(píng)論都說到他的優(yōu)勢(shì)，小弟于是購(gòu)買了這種叫第三代的太陽能－砷化鎵太陽能模塊。想說，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
。Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）基于平衡、高效的結(jié)構(gòu)，可提高芯體性能、儲(chǔ)存器和I/O帶寬，以加速?gòu)臄?shù)據(jù)中心到邊緣的各種工作負(fù)載。 這些器件采用Int
2024-02-27 11:58:54
搶占第三代半導(dǎo)體材料戰(zhàn)略制高點(diǎn)，緊密配合國(guó)家產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略，布局一體化產(chǎn)業(yè)生態(tài)，由科技部、財(cái)政部、教育部三部委聯(lián)合指導(dǎo)的第六屆創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽之第二屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽（以下簡(jiǎn)稱“大賽”）即將于11月在北京舉辦總決賽。
2017-10-09 14:32:05630 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:003685 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)，最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365 
本文首先分別對(duì)第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行了概述，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17143246 繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:553813 8月28日，在2018“芯集坪山”中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，電子材料及第三代半導(dǎo)體成為重點(diǎn)話題。深圳市坪山區(qū)政府表示，為推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，坪山區(qū)即將出臺(tái)產(chǎn)業(yè)政策——《坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》。
2018-08-29 15:22:004563 我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入高速發(fā)展階段。從戰(zhàn)略上講，重視第三代半導(dǎo)體材料是整個(gè)國(guó)家的需要，也是我國(guó)發(fā)展的新機(jī)會(huì)。第三代半導(dǎo)體材料作為新材料產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，是全球戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新的制高點(diǎn)。
2018-11-02 08:58:001930 記者近日從中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國(guó)際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽全球總決賽頒獎(jiǎng)典禮上獲悉，順義正在加快布局第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，位于中關(guān)村順義園內(nèi)的第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地已于日前竣工，總面積達(dá)7.1萬平方米，吸引了一批重點(diǎn)項(xiàng)目相繼入駐，將形成千億級(jí)產(chǎn)業(yè)規(guī)模。
2018-12-31 17:08:001851 耐威科技大力發(fā)展MEMS、導(dǎo)航、航空電子三大核心業(yè)務(wù)，并積極布局第三代半導(dǎo)體、無人系統(tǒng)等潛力業(yè)務(wù)，致力于成為具備高競(jìng)爭(zhēng)門檻的一流民營(yíng)科技企業(yè)集團(tuán)。
2019-05-09 15:31:194919 
近日， 江豐電子在互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司目前可以滿足大部分第三代半導(dǎo)體所需的靶材技術(shù)和供應(yīng)，部分貴金屬及稀土靶材除外。
2019-06-03 17:40:094531 第三代半導(dǎo)體，又稱寬禁帶半導(dǎo)體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。
2019-09-23 10:32:171019 近幾年，國(guó)內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線，種種跡象表明，第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來哪些影響？國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:328668 “萬畝千億”平臺(tái)添新引擎。3月20日上午，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶嘉興科技城，為順利推進(jìn)氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
2020-03-21 10:13:042866 解密第三代半導(dǎo)體材料：華為小米緊追，突破歐美鎖喉的新武器 傳感器技術(shù) A股半導(dǎo)體材料板塊徹底爆了，這還是在前夜美股出現(xiàn)午夜驚魂大跌一場(chǎng)之后！ 探究A股半導(dǎo)體概念股硬氣扛住外盤影響的原因，是前一晚一則
2020-09-10 11:26:202444 7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 ，資本市場(chǎng)聞風(fēng)而動(dòng)，第三代半導(dǎo)體概念股集體大漲。 國(guó)家重要政策大力支持第三代半導(dǎo)體行業(yè)，半導(dǎo)體板將迎來重大利好。LED產(chǎn)業(yè)鏈包括華燦光電、乾照光電、三安光電等都在積極布局第三代半導(dǎo)體。
2020-09-15 14:03:292416 周二盤中，第三代半導(dǎo)體板塊沖高，截至發(fā)稿，聚燦光電拉升封板，派瑞股份大漲近15%，乾照光電、易事特、臺(tái)基股份等個(gè)股紛紛走高。 粵開證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體是十四五重要發(fā)展方向，據(jù)國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2020-11-03 15:58:30743 圖爺說 近期，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體概念異軍突起，在上周五大盤低迷的情況下依然創(chuàng)下較好的市場(chǎng)表現(xiàn)。人們的關(guān)注點(diǎn)也開始聚焦在半導(dǎo)體身上。 很多人可能人云亦云，跟風(fēng)購(gòu)買了半導(dǎo)體股票
2020-09-26 11:04:023798 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299 
從上面的數(shù)據(jù)可以看出，在第一代半導(dǎo)體面前，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國(guó)外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因?yàn)樯庥卸嗝吹拇?，是因?yàn)閲?guó)防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時(shí)，這是一個(gè)增量市場(chǎng)，也是企業(yè)可以尋求的增長(zhǎng)空間。
2020-09-29 14:16:004865 在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會(huì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，與會(huì)專家紛紛表示，近年來我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快，基本形成了從晶體生長(zhǎng)到器件研發(fā)制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時(shí)，我國(guó)在高速軌道交通
2020-10-09 16:44:513357 聞風(fēng)而動(dòng)，第三代半導(dǎo)體概念股集體大漲。 國(guó)家重要政策大力支持第三代半導(dǎo)體行業(yè)，半導(dǎo)體板將迎來重大利好。LED產(chǎn)業(yè)鏈包括華燦光電、乾照光電、三安光電等都在積極布局第三代半導(dǎo)體。 全球風(fēng)口之上的產(chǎn)業(yè) 據(jù)了解，第三代半導(dǎo)體以氮化鎵
2020-10-13 15:47:503360 2020年，新基建產(chǎn)業(yè)站在了風(fēng)口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中，第三代半導(dǎo)體承擔(dān)著重要角色。 有消息稱，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃之中，計(jì)劃2021年至2025
2020-10-27 10:36:302890 目前，國(guó)家2030計(jì)劃和十四五國(guó)家研發(fā)計(jì)劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。在10月16日，國(guó)星光電舉辦了2020第一屆國(guó)星之光論壇，而論壇的主角之一，就是第三代半導(dǎo)體。那么到底什么是第三代半導(dǎo)體
2020-10-29 18:26:404897 
。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:374305 些新興材料中，碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來看相對(duì)較為成熟，，因此這兩種材料也成為近年來市場(chǎng)布局的重點(diǎn)。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會(huì)發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1287783 2020年，第三代半導(dǎo)體站在了產(chǎn)業(yè)風(fēng)口。國(guó)產(chǎn)化替代、新基建的熱潮，無疑又給其添上一把火。
2020-12-07 09:53:352346 招商引資名單中。 問題來了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對(duì)于IGBT、MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來哪些技術(shù)變革？ 為了回答這些問題，小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312552 最近，“我國(guó)將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體？發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 ，什么材料會(huì)再領(lǐng)風(fēng)騷？記者采訪了專家。? 禁帶寬度，是用來區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特，較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427 近期，阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢(shì)，“第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)”位列第一。達(dá)摩院指出，第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)并正在打開應(yīng)用市場(chǎng)。未來5年，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景。
2021-01-13 10:16:082362 為應(yīng)對(duì)氣候變化，我國(guó)提出，二氧化碳排放力爭(zhēng)于2030年前達(dá)到峰值，努力爭(zhēng)取2060年前實(shí)現(xiàn)“碳中和”?？商嵘茉崔D(zhuǎn)換效率的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱。目前，第三代
2021-03-25 15:19:163618 
第三代半導(dǎo)體Central issue 2020年10月，國(guó)星光電成功舉辦了首屆國(guó)星之光論壇，論壇上國(guó)星光電宣布將緊抓國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇，迅速拓展第三代半導(dǎo)體新賽道。近期，國(guó)星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體
2021-04-22 11:47:102719 ? 第三代半導(dǎo)體材料是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)，是國(guó)家新材料發(fā)展計(jì)劃的重中之重?！笆奈濉逼陂g，我國(guó)將在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2021-06-17 09:11:0410311 據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體主要制造商已達(dá)147家。
2022-07-20 15:16:351477 半導(dǎo)體列入國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)；與此同時(shí)，在地方政策方面，北京、深圳、江蘇、成都、廈門、泉州、蕪湖等均已發(fā)布或正在研究推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的扶持政策。
2022-08-02 08:57:381568 如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對(duì)新材料、新工藝
2022-08-02 15:12:291447 
近年來，「第三代半導(dǎo)體」這個(gè)名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來「第三代半導(dǎo)體」在電動(dòng)車、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長(zhǎng)，使得其越來越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501264 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164204 第三代半導(dǎo)體是一種新型的半導(dǎo)體材料，它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件，從而提高電子設(shè)備的性能。
2023-02-16 15:29:259966 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:54
2 作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體，它們通常都具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912 領(lǐng)域的性能方面表現(xiàn)不佳，但還有性價(jià)
比助其占據(jù)市場(chǎng)。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP）為代表，主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)楣?b class="flag-6" style="color: red">電子、微電
子、微波功率器件等。第三代半導(dǎo)體以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金
2023-02-27 15:20:113 第三代半導(dǎo)體列入國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)；與此同時(shí)，在地方政策方面，北京、深圳、江蘇、成都、廈門、泉州、蕪湖等均已發(fā)布或正在研究推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的扶持政策。毋庸置疑，隨著國(guó)家
2023-02-27 15:21:454 日前，在南京世界半導(dǎo)體大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)委員、第三代半
導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露：國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確，第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方
向，現(xiàn)在到了動(dòng)議討論實(shí)施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018 伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源和人工智能的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，對(duì)相關(guān)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛，于是第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)應(yīng)運(yùn)而生。近年國(guó)內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼，同時(shí)對(duì)高壓、高電流
2022-01-10 16:34:43700 
第三代半導(dǎo)體具有廣泛的應(yīng)用，已成為戰(zhàn)略物資，被美國(guó)列入301管制清單。檢測(cè)是提高半導(dǎo)體器件質(zhì)量與可靠性的重要保障，廣電計(jì)量作為國(guó)有檢測(cè)機(jī)構(gòu)，在我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展過程中，秉承國(guó)企擔(dān)當(dāng)，為光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域構(gòu)筑了較為全面的能力。
2022-06-20 15:33:031866 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442621 
能與成本?未來有何發(fā)展目標(biāo)?...... 前言： 憑借功率密度高、開關(guān)速度快、抗輻照性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于電力電子、光電子學(xué)和無線通信等領(lǐng)域，以提高設(shè)備性能和效率，并成為當(dāng)前半導(dǎo)
2023-09-18 16:48:02365 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06695 5G、快充、UVC，第三代半導(dǎo)體潮起
2023-01-13 09:06:003 第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 2023年11月29日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”成功召開，是德科技參加第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測(cè)試方案
2023-12-13 16:15:03244 
第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月，第三代半導(dǎo)體被寫入“十四五”規(guī)劃，在技術(shù)、市場(chǎng)與政策的三力驅(qū)動(dòng)下，近年來國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36431 
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