Micro LED被視為是抵御OLED的終極武器，目前國際大廠與臺廠紛紛鴨子劃水默默研發(fā)，更是吸引LCD與LED兩大陣營分頭進(jìn)擊。不過，現(xiàn)階段的Micro LED還有許多技術(shù)瓶頸待突破，近期
2016-10-14 10:09:05
1009 65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
，這一成果標(biāo)志著該校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。（圖片來源：西安郵電大學(xué)官網(wǎng)）近年來，我國在氧化鎵的制備上連續(xù)取得突破性進(jìn)展，從去年的2英寸到6英寸，再到最新的8英寸，氧化鎵制備技術(shù)越來越
2023-03-15 11:09:59
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會
2019-03-14 06:45:11
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇?！ ∩罡h(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
技術(shù)迭代。2018 年，氮化鎵技術(shù)走出實驗室，正式運用到充電器領(lǐng)域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù)，當(dāng)時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
波段，隨著襯底、外延、芯片和封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，藍(lán)光激光器的性能在不斷提升。 圖3、（a）氮化鎵/藍(lán)寶石模板和（b）GaN自支撐襯底的位錯缺陷對比（圖中暗斑為位錯缺陷） 在襯底方面，早期的氮化鎵
2020-11-27 16:32:53
的關(guān)鍵時刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢已經(jīng)過驗證，這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應(yīng)用，并使其定位為最適合未來5G無線基礎(chǔ)設(shè)施的實際促技術(shù)，其轟動性市場影響可能會遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出手機(jī)連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？
2021-06-17 10:56:45
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報價、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及，使
2021-11-28 11:16:55
有限公司承辦。 本屆論壇為期3天，同期二十余場次會議，25日上午 “氮化鎵材料與器件技術(shù)”分會如期召開，分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子
2018-11-05 09:51:35
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場上的應(yīng)用。意法半導(dǎo)體和MACOM為提高意法半導(dǎo)體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產(chǎn)量而合作多年，按照目前時間安排，意法半導(dǎo)體預(yù)計2018年開始量產(chǎn)樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳達(dá)優(yōu)勢供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。篘V6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對
2021-01-08 17:02:10
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關(guān)
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在開發(fā)中。微控制器和數(shù)字信號處理器（DSP），也可以用來實現(xiàn)目前軟開關(guān)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優(yōu)化的磁性材料，已經(jīng)可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加，因此成本的控制非常關(guān)鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢，隨著硅基氮化鎵技術(shù)的成熟，它能以最大的性價比優(yōu)勢取得市場的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優(yōu)勢，實單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲?。篘V6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
Apple Watch 3將采用Micro LED顯示面板，也令整個行業(yè)都炸開了鍋?！ ∷髂嵩诤诵娘@示技術(shù)方面一直都有著舉足輕重的地位，對于Micro LED索尼自己其實也一直在不斷研發(fā)。早在2012
2017-08-16 10:15:41
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
大幅降低電流在保護(hù)板上的損耗，隨著手機(jī)充電功率達(dá)到200W，電池端的電流達(dá)到20A。傳統(tǒng)硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導(dǎo)熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無需導(dǎo)熱材料，降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過程相結(jié)合，以更低的成本進(jìn)行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
33μF400V。
另一顆規(guī)格為47μF400V。
差模電感采用磁環(huán)繞制，外套熱縮管絕緣。
橙果這款65W氮化鎵充電器內(nèi)部采用兩路PI的電源芯片，對應(yīng)兩顆不同大小的變壓器，組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進(jìn)行設(shè)計。集成功率級諸如EPC23102為設(shè)計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
了當(dāng)時功率半導(dǎo)體界的一項大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達(dá)了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
9月17日，深交所上市公司深康佳A（康佳集團(tuán)）發(fā)布公告稱，擬出資15億元與重慶兩山產(chǎn)業(yè)投資有限公司（以下簡稱重慶兩山）合資成立重慶投資建設(shè)康佳半導(dǎo)體光電研究院。并以該研究院為主體投資不超過25.5億元采購Micro LED相關(guān)的機(jī)器設(shè)備，開展Micro LED相關(guān)的產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
2019-09-18 10:39:171285 10月31日，“未來之境”康佳APHAEA未來屏全球發(fā)布會在重慶舉行，康佳在現(xiàn)場發(fā)布了APHAEA未來屏新品，是基于5G、8K、AI、IoT以及云技術(shù)，圍繞Micro LED超大屏以及智慧屏而打造。
2019-11-01 15:04:334580 10月31日，瞄準(zhǔn)Micro LED等新型顯示技術(shù)的重慶康佳半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園在璧山國家高新區(qū)正式開工建設(shè)，總投資共300億元。同日，康佳發(fā)布首款Micro LED系列產(chǎn)品Smart Wall，標(biāo)志著
2019-12-10 09:23:12746 康佳集團(tuán)近日舉行新品發(fā)布會，對標(biāo)三星推出了118寸4K、117寸6K，甚至236寸8K的Micro LED顯示器。
2019-12-13 15:35:433402 昨（17）日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體行業(yè)沉積設(shè)備供應(yīng)商愛思強(qiáng)（AIXTRON）宣布，康佳集團(tuán)已訂購了多個AIX G5+C和AIX 2800G4-TM MOCVD系統(tǒng)，以建立該公司基于GaN（氮化鎵）和砷磷材料的Mini及Micro LED的批量生產(chǎn)能力。
2020-03-18 13:56:24836 /Micro LED的批量生產(chǎn)能力。這一舉措為聯(lián)建光電與康佳共同推進(jìn)Mini/Micro LED的商用化進(jìn)程奠定了基礎(chǔ)。
2020-03-19 16:03:583021 也是康佳自去年發(fā)布8K的Micro LED電視后，首次實現(xiàn)了5G+8K電視直播的落地和應(yīng)用。有鑒于此，也被很多業(yè)界人士視為康佳Micro LED的5G直播首秀。
2020-06-15 16:55:133426 的技術(shù)成果開始一一展現(xiàn)?，F(xiàn)在市場上已可見到搭載MiniLED背光技術(shù)的顯示產(chǎn)品，Micro LED的示范技術(shù)也持續(xù)突破演進(jìn)。
2020-07-21 10:27:022372 
據(jù)報道，德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(xué)（KAUST）研究團(tuán)隊達(dá)成合作，雙方將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48576 前不久，康佳發(fā)布了全球首款Micro LED手表，并引起了行業(yè)高度重視。然而，除此款產(chǎn)品爆火外，康佳還研發(fā)出了P0.375全球首個玻璃基板上最小間距的Micro LED顯示屏。相關(guān)人士坦言，康佳
2021-01-18 11:26:315103 以康佳為代表的國內(nèi)彩電廠商已經(jīng)開始加快在Mini/Micro LED領(lǐng)域的研發(fā)生產(chǎn)進(jìn)程。
2020-11-11 10:16:113194 國產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破，三大核心芯片實現(xiàn)自主可控，性能達(dá)到國際先進(jìn)水準(zhǔn)。氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運行速度比舊式傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)加快了二十
2020-12-18 10:26:523387 今天，2020 重慶 Micro LED 產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新論壇暨康佳半導(dǎo)體顯示技術(shù)及產(chǎn)品發(fā)布會開幕，在會上，康佳集團(tuán)正式發(fā)布了 APHAEA Micro LED 未來屏產(chǎn)品矩陣，涵蓋點間距從 P1.2
2020-12-19 10:14:593069 至P0.12等多形態(tài)、多場景小間距產(chǎn)品，加快實現(xiàn)全場景顯示應(yīng)用。其中，康佳集團(tuán)全球首發(fā)Micro LED手表APHAEA Watch，其搭載的P0.12 AM-LTPS Micro LED微晶屏，點間距
2020-12-21 17:03:36961 近日，加拿大Micro LED初創(chuàng)企業(yè)VueReal宣布其專有的倒裝芯片Micro LED結(jié)構(gòu)研究獲得突破，可實現(xiàn)垂直LED結(jié)構(gòu)所具有的高良率和低成本特點，良率超99.9%。
2020-12-23 15:55:02870 12月18日，康佳發(fā)布了全球首款Micro LED手表——APHAEA Watch，該手表采用的是2英寸的Micro LED微晶屏，續(xù)航時間可達(dá)35天。Micro LED手表的發(fā)布是中國第一次在顯示技術(shù)領(lǐng)域走在了世界前面。
2020-12-23 17:22:101027 在“2020重慶Micro LED產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新論壇暨康佳半導(dǎo)體顯示技術(shù)及產(chǎn)品發(fā)布會”上，康佳集團(tuán)發(fā)布全球首款Micro LED手表APHAEA Watch，以及以這款手表為代表的Micro LED未來屏產(chǎn)品矩陣。
2020-12-25 13:50:002100 LED的量產(chǎn)問題，據(jù)外媒報道稱，加拿大公司VueReal宣布其Micro LED屏幕技術(shù)取得了突破，良率高達(dá)99.9996%。公司一直致力于研究倒裝結(jié)構(gòu)的Micro LED芯片。 據(jù)了解，VueReal的發(fā)光芯片大小僅為8微米，其生產(chǎn)過程基于兩步臺面工藝，跟其它廠商使用通孔工藝，這會導(dǎo)致結(jié)構(gòu)
2020-12-30 10:27:383265 8月11日下午14：00，「UMicro 重塑新章」洲明Micro LED新品發(fā)布會在福永總部盛大召開。洲明集團(tuán)顯示產(chǎn)品線總裁田守進(jìn)、Micro LED技術(shù)部總經(jīng)理張金剛、產(chǎn)品管理部總經(jīng)理萬庚，在云端全方位展示洲明最新COB LED微間距的技術(shù)突破與產(chǎn)品研發(fā)成果。
2022-08-12 09:27:161279 “公司正在積極推進(jìn)
Micro LED產(chǎn)業(yè)化工作，已建成MicroLED全制程批量生產(chǎn)線，
Micro LED芯片開始進(jìn)入量產(chǎn)階段?！?/div>
2022-08-29 15:13:41913 氮化鎵（GaN）基Micro LED由于在新一代顯示技術(shù)、高速可見光通信等方面有著廣泛的應(yīng)用前景，吸引了眾多研究者的關(guān)注。相比于常規(guī)尺寸LED，Micro LED可實現(xiàn)更高的顯示分辨率與更高的調(diào)制速率。
2023-02-01 10:18:56469 氮化鎵技術(shù)是由美國物理學(xué)家威廉·貝克（William Beck）于1962年突破的技術(shù)。（該答案未能證實） 1993年，Nichia公司首先研制成發(fā)光亮度超過lcd的高亮度GaInN/AlGaN異質(zhì)結(jié)藍(lán)光LED，使用摻Zn的GaInN作為有源層，外量子效率達(dá)到2.7%，峰值波長450
2023-02-16 17:48:442805 據(jù)高工LED調(diào)研了解，目前康佳已建成了 MLED 芯片量產(chǎn)線，自主研發(fā)的 4 吋Mini LED 芯片和Micro LED 芯片等高端芯片實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，芯片整體性能、結(jié)構(gòu)性與可靠性處于行業(yè)領(lǐng)先水平
2023-05-30 17:34:40370 對于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)：一是保持技術(shù)領(lǐng)先，以市場為導(dǎo)向推動 Micro LED 的產(chǎn)業(yè)化。以客戶需求為導(dǎo)向，對芯片、巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)持續(xù)攻關(guān)。二是以客戶為導(dǎo)向，推動 Mini LED 的銷售規(guī)?；??！?b class="flag-6" style="color: red">康佳在半年報中劃定了新目標(biāo)。
2023-08-28 14:21:34400 采用國星光電自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)路線，實現(xiàn)＞50多萬顆Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，轉(zhuǎn)移良率＞99.9%。此外，國星Micro LED研發(fā)平臺未來還可支持12寸以內(nèi)基板上芯片多次拼接鍵合。
2023-12-12 14:36:17234 氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導(dǎo)體材料，在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進(jìn)步中，氮化鎵芯片的研發(fā)過程至關(guān)重要。下面將詳細(xì)介紹氮化
2024-01-10 10:11:39264 已全部加載完成
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