電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）7月12日，北京通美晶體技術(shù)股份有限公司（以下簡稱：北京通美）科創(chuàng)板IPO成功過會(huì)。北京通美作為磷化銦襯底行業(yè)的巨頭之一，其2020年磷化銦襯底產(chǎn)品市場占有率位居全球第二
2022-07-15 08:10:00
5153 本內(nèi)容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識(shí)
2011-11-03 17:45:134626 
隨著藍(lán)寶石材質(zhì)的應(yīng)用擴(kuò)及手機(jī)，不再只供應(yīng)LED照明，致藍(lán)寶石單晶出現(xiàn)需求大增，甚至供不應(yīng)求，單晶價(jià)格也因此在6月出現(xiàn)大漲.
2013-07-05 17:14:291394 之前曾看到過關(guān)于蘋果將會(huì)在下一代iPhone上使用更多藍(lán)寶石材質(zhì)的消息報(bào)道，而最近又傳出蘋果公司已經(jīng)與GT先進(jìn)技術(shù)公司簽訂了一份藍(lán)寶石采購訂單的消息。
2013-12-02 11:24:47933 業(yè)內(nèi)認(rèn)為，LED照明應(yīng)用暴發(fā)疊加藍(lán)寶石手機(jī)蓋板滲透率提升，藍(lán)寶石長晶及相關(guān)設(shè)備需求將大幅提升甚至出現(xiàn)供應(yīng)缺口。
2014-05-13 09:12:22957 LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。
2014-05-13 17:40:073742 顯示屏企業(yè)早就已經(jīng)玩開了，玩出了好多新花樣，可以概括為：5大新顯屏、5大新應(yīng)用、5大新模式。
2015-12-15 09:23:381147 近日，京東方的一款黑科技——物聯(lián)網(wǎng)透明顯示系統(tǒng)整體解決方案在日本引起關(guān)注，傳統(tǒng)的顯示屏被玩出了新花樣。
2017-01-19 10:39:13760 大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵（InGaN）和藍(lán)寶石襯底組成。該架構(gòu)運(yùn)行良好，并使LED制造商能夠提供效率超過150流明/瓦的產(chǎn)品。然而，該架構(gòu)確實(shí)存在一些缺點(diǎn)，這些缺點(diǎn)促使芯片制造商尋求其他選擇。
2019-01-17 08:21:0011042 
的專業(yè)襯底材料供應(yīng)商。公司根據(jù)不同的LED芯片應(yīng)用領(lǐng)域及其外延技術(shù)特征進(jìn)行適配的襯底材料開發(fā)，通過圖形化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、不同材料組合應(yīng)用、工藝制程實(shí)現(xiàn)等，為GaN LED芯片提供襯底材料綜合解決方案。 ? 目前，公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）、
2021-04-22 18:26:045676 硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
，通常將光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸線更好等特點(diǎn)，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所有能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著傳輸速率要求，晶
2020-11-04 07:49:15
，2013年1月達(dá)到140lm為/W。 硅芯片和藍(lán)寶石的區(qū)別，藍(lán)寶石是透明襯底，硅襯垂直結(jié)構(gòu)，白光出光均勻，容易配二次光學(xué)。硅襯底氮化鎵基LED直接白光芯片，熒光粉直涂白光芯片分布集中。 下一步怎么做呢
2014-01-24 16:08:55
`供應(yīng)藍(lán)寶石襯底！深圳永創(chuàng)達(dá)科技有限公司 聯(lián)系電話***齊先生 網(wǎng)址www.yochda.com適用于外延片生產(chǎn)商與PSS加工`
2012-03-10 10:44:06
天下風(fēng)云出我輩，一入江湖歲月催。P7，華為手機(jī)陣營門下新一代少俠，重儀表，擅拍照，近期苦修金鐘罩鐵布衫護(hù)體神功（推出藍(lán)寶石版），一時(shí)間驚動(dòng)了手機(jī)圈的諸位盟主，就此江湖告急，50位分舵主振臂響應(yīng)
2014-09-02 16:40:52
基于Plank黑體輻射定律，我們以鍍有高溫陶瓷的藍(lán)寶石光纖為黑體高溫傳感器構(gòu)建了高溫測試系統(tǒng)，并測試了運(yùn)動(dòng)乙炔焰的溫度。該結(jié)果對解決目前諸多工程實(shí)際應(yīng)用中瞬態(tài)高溫測試難題具有明顯地意義。
2019-10-24 07:15:03
工程實(shí)際應(yīng)用中瞬態(tài)高溫測試難題具有明顯地意義。二、系統(tǒng)原理 該系統(tǒng)由藍(lán)寶石黑體溫度傳感器、ST連接器、錐形石英光纖、耦合器、濾光片、光纖和光電探測器組成，其結(jié)構(gòu)見圖1。它的工作原理如下：當(dāng)藍(lán)寶石黑體
2018-10-24 14:11:58
的測量表征了薄膜樣品的結(jié)構(gòu)與性能,結(jié)果表明,襯底溫度對CuCrO2薄膜形貌結(jié)構(gòu)、光學(xué)、電學(xué)性能影響較大。當(dāng)襯底溫度為750℃時(shí),薄膜為結(jié)晶態(tài)。薄膜的可見光透過率隨襯底溫度提高有所增加。750
2010-04-24 09:00:59
用本征硅材料制作PNP管要容易很多。某種半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的誕生并不是一天就可以達(dá)到盡善盡美的，需要通過大量試驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)積累。早期生產(chǎn)的場效應(yīng)管大部分是結(jié)型場效應(yīng)管，這種結(jié)型場效應(yīng)管在結(jié)構(gòu)方面與PNP晶體管
2012-05-22 09:38:48
氧化鋁晶體導(dǎo)報(bào) 工藝情報(bào)交流記者李博民高工2011-10-20 長LED藍(lán)寶石的5N 氧化鋁 ，鐵必須小于5pp， 硅小于5pp， 鋯小于1pp ，鈦小于1pp，銅小于1ppm，鎳小于1pp，釔
2011-12-20 10:03:56
襯底要用5個(gè)9氧化鋁原料。 不能用4個(gè)9氧化鋁塊。用4個(gè)9燒的燒的晶體長不出優(yōu)質(zhì)的藍(lán)寶石。因?yàn)闊o機(jī)雜質(zhì)的是燒不掉的。有的客戶用4n粉或者3n氧化鋁粉去用氫氣氧氣燒成晶體，雖然融化后就晶體密度大了
2011-12-20 10:06:24
AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上，藍(lán)寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。2：芯片四面發(fā)光﹐具有出色的Pattern圖。3：亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。4：雙電極
2016-11-04 14:50:17
《藍(lán)寶石晶體論壇》 高級工程師-王愛民2011-11-18生產(chǎn)藍(lán)寶石晶體主要消耗的原料為5N高純氧化鋁粉體，塊體 。目前國內(nèi)生產(chǎn)高純氧化鋁的主流技術(shù)有三種：多重結(jié)晶法、醇鹽水解法、直接水解法。1
2011-12-20 10:16:26
進(jìn)行的AlGaInP紅光垂直結(jié)構(gòu)超高亮度LED芯片制作方法。首先進(jìn)行MOCVD外延，再以高熱導(dǎo)率Si、SiC、金屬等材料作為襯底，將LED外延層粘接在其上并制成芯片。其結(jié)構(gòu)為:工藝制作先在高熱導(dǎo)率材料
2010-06-09 13:42:08
解決的問題，以開發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍(lán)寶石襯底的候選者之一，藍(lán)寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 編輯
用JTAG讓你的FPGA玩出新花樣第1部分：JTAG是什么？第2部分：JTAG如何的工作第3部分：查詢JTAG鏈第4部分：運(yùn)行
2012-03-20 15:03:58
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
TG傳輸門電路中。當(dāng)C端接+5，C非端接0時(shí)。源極和襯底沒有連在一起，為什么當(dāng)輸入信號改變時(shí)，其導(dǎo)通程度怎么還會(huì)改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號變化無關(guān)?。《鴷险f起導(dǎo)通程度歲輸入信號的改變而改變？為什么?求詳細(xì)解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
【TechWeb報(bào)道】前不久有媒體質(zhì)疑蘋果的藍(lán)寶石玻璃計(jì)劃可能流產(chǎn)，因?yàn)楫a(chǎn)能和成本問題無法讓所有iPhone6都裝上，所以不得不繼續(xù)使用康寧大猩猩玻璃。不過今天，供應(yīng)鏈的消息表示，蘋果與GT
2014-02-13 17:53:40
很多做半導(dǎo)體、藍(lán)寶石襯底的企業(yè)都需要對產(chǎn)品進(jìn)行真空包裝，但是市面上的真空包裝機(jī)五花八門的機(jī)子給要選擇符合自己公司的設(shè)備非常的困難。你買設(shè)備肯定是想買到質(zhì)量好，性價(jià)比比較高的設(shè)備生產(chǎn)供應(yīng)商。下面來為
2014-05-29 15:26:26
)藍(lán)寶石制作圖形藍(lán)寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進(jìn)行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進(jìn)行芯片制造和測試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
請大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
的InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長出PN后，將藍(lán)寶石襯底切除再連接上傳統(tǒng)的四元材料.制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光芯片。⑤ AIGaInN碳化硅(sic)背面出光法。美國Cre。公司是采用sic襯底
2013-06-10 23:11:54
學(xué)會(huì)了如何點(diǎn)亮LED燈，那么接下來的就是如何把手中的這顆LED燈玩出新花樣，在上一篇文章的基礎(chǔ)上這次我加入了按鍵去抖和LED呼吸燈的程序。根據(jù)電路原理圖可知，按鍵一端分別連接PA0和PA1，另一端連接GND。也就是說當(dāng)PA0或PA1按下的時(shí)候，按鍵與GND導(dǎo)通，使得IO端口短接到...
2022-01-24 07:35:33
嗨伙計(jì)們，我是ADS模擬的新手，并且正在尋找使用Momentum進(jìn)行簡單傳輸線仿真的分步教程。我必須對非常復(fù)雜的布局執(zhí)行EMI仿真，首先需要一些提示，如何設(shè)置端口并正確定義襯底和層結(jié)構(gòu)。特別是布局
2019-04-17 16:11:15
以上、藍(lán)寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。 2：芯片四面發(fā)光、具有出色的Pattern 3：亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(zhǔn)(8.6mil) 4：雙電極結(jié)構(gòu)、其耐高電流方面要稍差于
2018-01-31 15:21:20
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
我們循環(huán)燈又新花樣了，希望能做個(gè)新的象電表等。{:4_100:}
2013-10-27 18:34:14
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發(fā)性異常，找不出規(guī)律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善?！ 腖ED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
）透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底，其出光功率是傳統(tǒng)AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上，藍(lán)寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。（2）芯片四面發(fā)光，具有出色的Pattern
2017-12-22 09:43:34
請教，襯底的缺陷密度對結(jié)深有什么影響
2019-04-26 07:50:15
適合5G應(yīng)用的高頻襯底材料
2021-01-25 06:49:51
，N歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴(kuò)展距離，把擴(kuò)展電阻降至最小;第四步，將金屬化凸點(diǎn)的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護(hù)二極管(ESD)的硅載體上。 3藍(lán)寶石襯底過渡法： 按照傳統(tǒng)
2018-08-31 20:15:12
`高溫型鈦/硅壓力傳感器產(chǎn)品概述高溫型鈦/硅壓力傳感器是用硅-藍(lán)寶石半導(dǎo)體敏感元件制造的壓力傳感器和變送器，可在最惡劣的工作條件下正常工作，并且可靠性高，精度好，溫度誤差極小，性價(jià)比高。產(chǎn)品特點(diǎn)：1
2013-07-03 15:33:20
藍(lán)寶石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED襯底材料的選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用
2009-11-17 09:39:204932 所謂的“MP6”？！艾諾PVP“V8000HD”新年新花樣
當(dāng)MP3退出江湖、MP4不再新潮、MP5曇花一現(xiàn)之時(shí)……又有廠商開始提出了Portable Visual
2009-12-31 09:20:001023 電池新創(chuàng)意 環(huán)保新花樣
核心提示：正是人們對環(huán)保觀念的日漸深入，回收廢舊電池在不知不覺間成了習(xí)慣。雖然
2010-03-22 08:32:01827 國產(chǎn)LED藍(lán)寶石晶片開始規(guī)?；a(chǎn)
4月10日消息，青島嘉星晶電科技股份有限公司LED藍(lán)寶石襯底晶片項(xiàng)目近日在青島投產(chǎn)，預(yù)計(jì)3年
2010-04-12 17:02:51540 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281388 
LED襯底材料有哪些種類
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:254039 極特先進(jìn)科技公司日前宣布，該公司的韓國客戶OCI Company， Ltd.的新制造工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)藍(lán)寶石晶錠和晶棒。OCI公司是GT光伏產(chǎn)品的長期客戶，現(xiàn)在也是GT的藍(lán)寶石設(shè)備客戶。
2012-03-29 09:03:111429 教你選擇合適的大功率LED芯片:加大尺寸法，硅底板倒裝法，藍(lán)寶石襯底過渡法，陶瓷底板倒裝法。
2012-04-01 11:49:491480 繼2月份宣布量產(chǎn)4英寸和6英寸藍(lán)寶石襯底后，蘇州海鉑晶體有限公司（以下簡稱“海鉑晶體”）再次宣布：公司已于近期順利生產(chǎn)出10英寸晶錠，良品率達(dá)80%以上。目前中國臺(tái)灣一家外延
2012-08-03 14:30:581973 
目前在LED制程中，藍(lán)寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰(zhàn)，但是考慮到成本與良率，藍(lán)寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢.由于藍(lán)寶石硬度僅次于鉆石，因此對它進(jìn)行減薄與表面平坦化加
2012-10-18 09:58:491507 目前市場上LED用到的襯底材料有藍(lán)寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國市場上99%的襯底材料是藍(lán)寶石，而就全球範(fàn)圍來看，藍(lán)寶石襯底的LED市場份額也占到95%以上
2012-11-28 09:22:542067 隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算及物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)的迅速發(fā)展，這些新技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用能否在一定程度解決交通行業(yè)諸多問題？為此，a&s傳媒邀請到杭州?？低晹?shù)字技術(shù)股份有限公司交通事業(yè)部總經(jīng)理徐志軍給我們一起分享2016智能交通解決方案及應(yīng)用有哪些“新花樣”？
2016-11-07 15:58:03937 谷歌人工智能又出新花樣 DeepMind為機(jī)器人造夢 隨著神經(jīng)科學(xué)揭示了在夢中鞏固記憶的重要性，谷歌人工智能（AI）公司DeepMind開創(chuàng)了一種新技術(shù)，讓機(jī)器人做夢，目的是提高學(xué)習(xí)效率。
2016-11-30 11:34:11878 影響LED藍(lán)寶石晶圓制造的質(zhì)量和成本因素
2017-02-08 01:00:09
16 今天的高亮度LED的主要技術(shù)是氮化鎵（GaN）在藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）襯底上。這些材料是受歡迎的，因?yàn)樗玫降陌l(fā)光二極管明亮，高效，并持續(xù)很長一段時(shí)間。
2017-05-27 09:44:218 當(dāng)代LED大部分是由一個(gè)組合的氮化銦鎵（InGaN）和藍(lán)寶石襯底。建筑作品，使得LED制造商提供150 lm/W，然而過量的參展功效產(chǎn)品，建筑也有一些缺點(diǎn)，鼓勵(lì)芯片制造商尋求其他選擇。
2017-06-01 10:49:394 在共享單車、共享雨傘相繼亮相之后，共享經(jīng)濟(jì)又玩新花樣，成都共享書屋來了。9月20日，成都市城區(qū)街頭一處共享書屋引來不少市民及拍攝者關(guān)注。借閱者僅需用手機(jī)掃一掃書屋玻璃門上的二維碼，就可以開柜借書或還書。該共享書屋大約占地5平方米，借書超過3天，將收取0.5元/天的費(fèi)用。
2017-09-21 09:02:471722 一、LED藍(lán)寶石基板加工工藝 首先對于藍(lán)寶石基板來說，它在成為一片合格的襯底之前大約經(jīng)歷了從切割、粗磨、精磨、以及拋光幾道工序。以2英寸藍(lán)寶石為例： 1.切割：切割是從藍(lán)寶石晶棒通過線切割機(jī)切割成
2017-10-12 16:32:068 。到了20世紀(jì)20年代，福特汽車公司也采用了垂直整合方法，福特公司決定自己制造汽車用的鋼鐵材料。從那以後，垂直整合方法已經(jīng)應(yīng)用到全球絕大部分類型的制造業(yè)中，其中也包括了藍(lán)寶石襯底制造業(yè)。 位于美國伊利諾伊州Bensenville的Rubicon公司所要做的是
2017-10-24 10:21:315 將項(xiàng)目的效果呈現(xiàn)在看房者面前。下面就來談一下，VR結(jié)合房地產(chǎn)玩出的新花樣。 VR模擬規(guī)劃，保證整體結(jié)構(gòu)，滿足開發(fā)商要求 建筑結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，使得現(xiàn)有的建筑結(jié)構(gòu)計(jì)算和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)已經(jīng)無法準(zhǔn)確的測試建筑整體結(jié)構(gòu)安全，也
2018-03-30 10:53:003316 自動(dòng)鉛筆是一種相當(dāng)常見的文具，但最近在Kickstarter上亮相的Magno卻把自動(dòng)筆玩出了新花樣。它號稱是世界上第一支磁力控制的自動(dòng)鉛筆，位置精度遠(yuǎn)勝于其他對手。Magno由高品質(zhì)鋁合金所打造
2018-04-03 06:02:002767 生物識(shí)別的特性使它一出現(xiàn)便成為21世紀(jì)的新寵，面部、聲音或指紋等技術(shù)變得越來越重要。隨著科技的不斷發(fā)展，如今生物識(shí)別玩出了新花樣。
2018-05-02 16:12:002512 本文首先介紹了藍(lán)寶石的概念及對藍(lán)寶石的行業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，其次闡述了藍(lán)寶石行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀，最后分析了藍(lán)寶石行業(yè)發(fā)展的四大趨勢。
2018-05-18 15:13:3614810 
從結(jié)構(gòu)圖中看出，si襯底芯片為倒裝薄膜結(jié)構(gòu)，從下至上依次為背面Au電極、si基板、粘接金屬、金屬反射鏡（P歐姆電極）、GaN外延層、粗化表面和Au電極。這種結(jié)構(gòu)芯片電流垂直分布，襯底熱導(dǎo)率高，可靠性高；發(fā)光層背面為金屬反射鏡，表面有粗化結(jié)構(gòu)，取光效率高。
2018-08-17 15:11:393864 最近幾年，蘋果公司又一次次表示，"藍(lán)寶石"將廣泛應(yīng)用于便攜移動(dòng)設(shè)備上的覆蓋玻璃，包括iPhone、ipad、ipod等等。
2018-12-01 10:21:519261 關(guān)鍵詞：iPhone6 , 藍(lán)寶石 , iWatch , 藍(lán)寶石屏 2014-9-2 13:43:21 上傳 下載附件 (50.1 KB) 蘋果的一舉一動(dòng)，甚至一個(gè)消息都會(huì)牽動(dòng)果粉的神經(jīng)。隨著
2019-01-10 07:37:02166 關(guān)鍵詞：手機(jī)顯示屏 , 藍(lán)寶石材料 , iPhone5 在經(jīng)過2010-2011年的瘋狂擴(kuò)產(chǎn)后，藍(lán)寶石材料行業(yè)隨即經(jīng)歷了產(chǎn)能嚴(yán)重供大于求帶來的低潮，藍(lán)寶石材料價(jià)格也不斷持續(xù)走低，2寸平片襯底
2019-01-17 09:16:02307 關(guān)鍵詞：可穿戴 臺(tái)灣臺(tái)北--(美國商業(yè)資訊)--全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下綠能研究部門LEDinside最新發(fā)表的《2014年全球藍(lán)寶石襯底市場報(bào)告》指出，2014年底即將推出
2019-01-23 14:09:01272 傳統(tǒng)的LED芯片采用正裝結(jié)構(gòu)，上面通常涂敷一層環(huán)氧樹脂，下面以藍(lán)寶石作為襯底。一方面，由于藍(lán)寶石的導(dǎo)熱性較差，有源層產(chǎn)生的熱量不能及時(shí)地釋放，而且藍(lán)寶石襯底會(huì)吸收有源區(qū)的光線，即使增加金屬反射層也無
2019-03-27 16:49:5018776 互動(dòng)投影技術(shù)的應(yīng)用隨著2010的世博會(huì)過后快速地發(fā)展起來，再加上近幾年來ARVR以及全息投影的快速崛起，互動(dòng)投影玩出了很多新花樣，如海底撈開的首家智能智慧餐廳就大量使用了互動(dòng)投影，更常見的是博物館及展廳的應(yīng)用，那在這些應(yīng)用的背后有一群專注于互動(dòng)投影創(chuàng)新的小伙伴們！
2019-03-28 08:38:213582 高工產(chǎn)研LED研究所（GGII）通過對國內(nèi)LED外延片及芯片制造企業(yè)的長期追蹤，綜合市場占有率、產(chǎn)品質(zhì)量、研發(fā)能力、品牌美譽(yù)度、服務(wù)能力等各方面因素，評選出2019年中國藍(lán)寶石（2、4、6英寸）襯底晶片TOP10的企業(yè)。
2019-05-10 17:10:3717030 
、Si，因此形成了三條不同的技術(shù)路線。從當(dāng)前LED用襯底行業(yè)發(fā)展來看，藍(lán)寶石襯底仍為LED襯底主流，硅襯底綜合性價(jià)比高，有望引領(lǐng)市場，同時(shí)，在LED下游應(yīng)用領(lǐng)域市場平穩(wěn)增長的拉動(dòng)下，上游LED襯底材料需求將持續(xù)增長。
2019-07-30 15:14:033717 目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。
2019-10-04 17:35:001111 
目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計(jì)，使用硅襯底制作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的制造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底低90%。
2019-09-12 16:03:313794 據(jù)報(bào)道，武漢大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法，提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵（InGaN/GaN）倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 圖形化藍(lán)寶石襯底已經(jīng)在可見光LED領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，其優(yōu)勢在于它不僅能有效改善外延生長質(zhì)量，還可以提高LED的光提取效率?；谙冗M(jìn)的半導(dǎo)體仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，我司技術(shù)人員開發(fā)出了納米圖形襯底（NPSS
2021-02-23 11:01:28464 
據(jù)其介紹，目前公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）、圖形化復(fù)合材料襯底（MMS），廣泛應(yīng)用于氮化鎵基LED芯片制造。公司建立了廣東省半導(dǎo)體襯底工程技術(shù)研究中心，圍繞下一代氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)行襯底與外延一體化研發(fā)，持續(xù)拓展藍(lán)寶石襯底技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域。
2021-04-01 11:01:182495 
行業(yè)周知，LED芯片的襯底材料主要有藍(lán)寶石、砷化鎵、硅、碳化硅等。其中，全球LED藍(lán)寶石襯底需求約占LED襯底總需求的比重達(dá)83%，而PSS在GaN-LED外延片襯底的比重達(dá)99%以上。
2021-04-19 14:27:441630 
在高清RGB顯示屏芯片領(lǐng)域，正裝、倒裝和垂直結(jié)構(gòu)“三足鼎立”，其中以普通藍(lán)寶石正裝和倒裝結(jié)構(gòu)較為常見，垂直結(jié)構(gòu)通常是指經(jīng)過襯底剝離的薄膜LED芯片，襯底剝離后邦定新的基板或者可以不邦定基板，做成垂直
2021-05-05 17:28:002083 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:203871 
硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:081130 先進(jìn)制程工藝進(jìn)度緩慢的情況下，多芯片整合封裝成了半導(dǎo)體行業(yè)的大趨勢，各家不斷玩出新花樣。
2023-02-23 10:04:33515 藍(lán)寶石陶瓷基板是一種高硬度、高強(qiáng)度、高熔點(diǎn)的陶瓷材料，其主要成分是氧化鋁（Al2O3）。藍(lán)寶石陶瓷基板的制備方法是在高溫高壓下燒結(jié)制成。藍(lán)寶石陶瓷基板的晶體結(jié)構(gòu)具有六方晶系，其晶體密度為3.98 g/cm3，熔點(diǎn)為2040℃。
2023-04-25 15:38:04400 
藍(lán)寶石是一種高硬度、高強(qiáng)度、高熔點(diǎn)的陶瓷材料，其主要成分是氧化鋁（Al2O3）。藍(lán)寶石陶瓷基板的制備方法是在高溫高壓下燒結(jié)制成。藍(lán)寶石陶瓷基板的晶體結(jié)構(gòu)具有六方晶系，其晶體密度為3.98 g/cm3，熔點(diǎn)為2040℃。
2023-05-05 16:35:28345 
藍(lán)寶石是一種高硬度、高強(qiáng)度、高熔點(diǎn)的陶瓷材料，其主要成分是氧化鋁（Al2O3）。藍(lán)寶石陶瓷基板的制備方法是在高溫高壓下燒結(jié)制成。藍(lán)寶石陶瓷基板的晶體結(jié)構(gòu)具有六方晶系，其晶體密度為3.98 g/cm
2023-05-17 08:42:00522 
最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍(lán)寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過金屬有機(jī)氣象外延(MOCVD)進(jìn)行外延制備。由于異質(zhì)
2023-06-14 14:00:551654 
電路、大規(guī)模集成電路等光電元器件的制造中。同時(shí)，藍(lán)寶石熔點(diǎn)高、強(qiáng)度高、光透性高以及化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)等特性被廣泛應(yīng)用于智能設(shè)備、航空航天等領(lǐng)域。GaN（氮化鎵）基LED芯片主要以藍(lán)寶石基板作為襯底材料，而其結(jié)構(gòu)組成中
2022-03-15 13:50:03399 
SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結(jié)構(gòu)將有源硅層與襯底的硅層分開。而在傳統(tǒng)的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:031124 
電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54516 近日，廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān)，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺(tái)，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
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