造成永久性損壞。 di/dt與IGBT芯片特性有關(guān),也與關(guān)斷時(shí)器件電流有關(guān)。當(dāng)器件在短路或者過流狀態(tài)下關(guān)斷時(shí),集電極電壓過沖會格外大,有可能超過額定值,從而損壞IGBT。 所以如何抑制關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰,是一個(gè)值得探討的話題。 從集電極過沖電壓計(jì)算公式: V=
2022-08-23 11:02:045420 在超過額定電壓的情況下使用獨(dú)石陶瓷電容器會有問題嗎?
2017-11-10 11:57:484756 集電極開路電路、集電極開路晶體管電路、集電極開路工作原理、集電極開路TTL、集電極開路輸出接線圖、集電極開路優(yōu)缺點(diǎn)。
2023-02-01 08:59:17529 我們都知道,IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流的下降率較高,在較大功率的情況下,由于主回路存在較大的雜散電感(為什么要盡量降低雜散電感的一個(gè)原因),從而集電極和發(fā)射極產(chǎn)生很大的浪涌電壓,甚至?xí)?b class="flag-6" style="color: red">超過IGBT
2023-04-06 17:28:533808 IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。 反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷
2023-04-08 09:36:261456 端,集電極作為輸出端,而基極通過輸入信號與一個(gè)偏置電壓相連。 - 輸入信號被放大,但輸出與輸入信號的相位相同,不發(fā)生相位反轉(zhuǎn)。 - 共集電極電路具有電壓跟隨特性,輸出電壓的振幅近似等于輸入電壓振幅,并且輸出電阻比較低。 共基電路(Common Base): - 三極管的
2024-01-19 15:36:36539 關(guān)斷IGBT時(shí)由于電感中儲存有能量,集電極-發(fā)射極間會發(fā)生浪涌電壓。
2024-02-26 12:18:19936 失效問題?! ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT失效場合:來自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動勢、負(fù)載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底,IGBT失效主要是由集電極
2020-09-29 17:08:58
作為晶體管的一種,是由別的電路來控制的。具體點(diǎn)說,IGBT的簡化模型有3個(gè)接口,有兩個(gè)(集電極、發(fā)射極)接在強(qiáng)電電路上,還有一個(gè)接收控制電信號,叫作門極。給門極一個(gè)高電平信號,開關(guān)(集電極與發(fā)射極之間
2023-02-16 15:36:56
,后臺軟件實(shí)時(shí)監(jiān)控、自動處理目標(biāo)數(shù)據(jù),具有測試精度高、操作方便、高效等優(yōu)點(diǎn)。 該系統(tǒng)適用于中低壓IGBT模塊產(chǎn)品的高溫反偏測試,最大測試電壓為3500V。可以實(shí)現(xiàn)對IGBT器件集電極-發(fā)射極電壓Vce
2018-08-29 21:20:11
;——IGBT 集電極與發(fā)射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極-發(fā)射極的電流;——IGBT 的結(jié)溫。如果IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動電壓過低,則IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極
2018-10-18 10:53:03
控制脈沖的前后沿陡度和防止振蕩,減少IGBT集電極大的電壓尖脈沖,需在柵極串聯(lián)電阻Rg,當(dāng)Rg增大時(shí),會使IGBT的通斷時(shí)間延長,能耗增加;而減少RF又會使di/dt增高,可能損壞IGBT。因此應(yīng)根據(jù)
2012-07-18 14:54:31
出BC856BM-TP額定功率(在25°C時(shí))。BC856BM-TP額定功率=集電極發(fā)射極電壓× 集電極電流 +基極發(fā)射極電壓 ×基極電流=?65V x 100mA(基極電流非常小,可以忽略)=?6.5W請注意,BJT額定功率是會隨著溫度和表面安裝的不同而發(fā)生變化的。Digi-Key
2018-08-26 23:03:52
絕對最大額定值 符號參數(shù)值單位 VCES集電極 - 發(fā)射極電壓(VBE = 0)850 V. VCEO集電極 - 發(fā)射極電壓(IB = 0)450 V. VEBO發(fā)射極 - 基極電壓(IC
2020-07-02 10:52:07
4.DIPIPM 的簡化框圖。圖片由Powerex提供?! ×硪环N過流檢測技術(shù)稱為去飽和檢測,它基于監(jiān)測IGBT集電極電壓。正常工作期間,IGBT的集電極-發(fā)射極電壓非常低(典型值為1 V至4 V)。但是,在發(fā)生
2023-02-24 15:29:54
萬用表測量左邊這個(gè)起放大作用的NPN三極管,它的集電極電壓測得0.09伏,基極電壓測得0.58伏,按照書上的理論,在放大狀態(tài)下,發(fā)射結(jié)正偏導(dǎo)通,集電結(jié)反偏,也就是集電極的電壓應(yīng)該大于基極電壓,可是測出
2019-07-06 01:42:25
N型IGBT的門極、集電極、發(fā)射極怎么區(qū)分?
2015-11-26 00:00:45
TCL2575D無圖像萬用表測行管集電極電壓就圖聲正常 故障時(shí)電源指示燈閃爍,調(diào)高加速極電壓有圖像但有一條從上到下的回掃線測行管集電極電壓,圖像聲音就變正常
2012-08-26 16:28:48
的監(jiān)控;正常工作時(shí),集電極-發(fā)射極電壓非常低(典型值為1 V至4 V)。然而,如果發(fā)生短路事件,IGBT集電極電流上升到驅(qū)動IGBT退出飽和區(qū)并進(jìn)入線性工作區(qū)的電平。這導(dǎo)致集電極-發(fā)射極電壓快速升高
2019-07-24 04:00:00
` 如圖3-17所示是運(yùn)用電阻將電流變化轉(zhuǎn)換成電壓變化的典型電路,這也是三極管的集電極負(fù)載電阻電路?! ‘?dāng)電流流過R1時(shí),在R1上產(chǎn)生電壓降使R1的下端(VT1管集電極,電路中的A點(diǎn))發(fā)生改變。當(dāng)
2011-09-22 18:00:27
為什么IGBT在集電極和射極之間要并聯(lián)一個(gè)二極管呢?
2023-03-16 11:42:38
為什么說理想情況下,集電極電壓對集電極電流沒有影響,且集電極結(jié)點(diǎn)等同高阻抗電流源?
2021-06-24 07:18:08
為何串聯(lián)型穩(wěn)壓電路集電極電流減小而集-發(fā)射極的電壓增大?
2013-05-07 21:39:48
如題 求助 有哪些型號的光耦集電極和發(fā)射極間電壓可以大于700伏
2015-09-09 20:41:30
。IGBT的缺點(diǎn),一是集電極電流有一個(gè)較長時(shí)間的拖尾——關(guān)斷時(shí)間比較長,所以關(guān)斷時(shí)一般需要加入負(fù)的電壓加速關(guān)斷;二是抗DI/DT的能力比較差,如果像保護(hù)MOS管一樣在很大的短路電流的時(shí)候快速關(guān)斷MOS管極可
2022-06-08 16:03:07
看出,即使流過保險(xiǎn)絲的電流大于額定電流小于或者等于常規(guī)不熔斷電流時(shí),保險(xiǎn)絲也不會發(fā)生熔斷現(xiàn)象。同時(shí),保險(xiǎn)絲具有延時(shí)性能,也不一定能馬上熔斷(TT延時(shí),T延時(shí),F(xiàn)延時(shí)性能) 例如:額定電流是2A,當(dāng)
2018-02-27 14:09:03
,如果發(fā)生短路事件,IGBT集電極電流上升到驅(qū)動IGBT退出飽和區(qū)并進(jìn)入線性工作區(qū)的電平。這導(dǎo)致集電極-發(fā)射極電壓快速升高。上述正常電壓電平可用來表示存在短路,而去飽和跳變閾值電平通常在7 V至9 V
2019-10-06 07:00:00
。含有IGBT過流信息的Vce不直接送至EXB841的集電極電壓監(jiān)視腳6,而是經(jīng)快速恢復(fù)二極管VD1,通過比較器IC1輸出接至EXB841的腳6,其目的是為了消除VD1正向壓降隨電流不同而異,采用閾值
2009-01-21 13:06:31
工作。對實(shí)驗(yàn)?zāi)K進(jìn)行了以下特性測試:- IGBT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 (Vc sat) 在 25 和 150°C 的溫度下,集電極電流 Ic = 0.25 x Inom 和 Ic = I nom,柵極兩端
2023-02-22 16:53:33
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關(guān)負(fù)載。開關(guān)頻率:- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓:- 24V。平均最大電流:- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會有什么影響?
2023-01-04 09:00:04
,如果發(fā)生短路事件,IGBT集電極電流上升到驅(qū)動IGBT退出飽和區(qū)并進(jìn)入線性工作區(qū)的電平。這導(dǎo)致集電極-發(fā)射極電壓快速升高。上述正常電壓電平可用來表示存在短路,而去飽和跳變閾值電平通常在7 V至9 V
2018-07-30 14:06:29
對于TVS管電壓鉗位的方法不太懂,原理圖上說是把集電極的電壓反饋到柵極上,但柵極的輸入電壓是有限制的啊,最高只能到十多伏,而集電極經(jīng)過鉗制的電壓有幾百伏,反饋到柵極豈不是要燒了IGBT?
2013-10-20 19:27:02
圖片中TR1與TR3 VBE相等為什么能推的 集電極電流與發(fā)射極電流相等呢?
2014-02-18 21:55:57
程中,經(jīng)常需要關(guān)注的。額定的工作電流、過載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流;當(dāng)IGBT模塊的集電極電流增大時(shí),產(chǎn)生的額定損耗也將變大。 與此同時(shí),開關(guān)損耗也會增大,IGBT模塊的發(fā)熱也更加嚴(yán)重
2023-03-23 16:01:54
,采取措施減緩IGBT的關(guān)斷速度,該方法能夠在開關(guān)延時(shí)、過壓和損耗之間取得較好的折中。國內(nèi)飛仕得數(shù)字驅(qū)動就有該功能,有興趣的可以去了解一下!那向門極注入電流又是怎么實(shí)現(xiàn)的呢?這就是我們常說的集電極電壓
2023-02-13 16:11:34
,信號3為IGBT集電極和發(fā)射極之間電壓信號,信號4為直流側(cè)電容電壓波形??梢钥吹?b class="flag-6" style="color: red">集電極和發(fā)射極之間電壓為0-10V,而我測量門極和發(fā)射極之間電壓為0-1V,所以是不是IGBT壞了?我以為沒加驅(qū)動信號
2016-01-09 12:10:23
共集電極三極管能放大電壓,而三極管本身就是可以放大電流的,這樣應(yīng)該來說共集電極接法的三極管能夠進(jìn)行功率放大,可是好像書上不是這樣的,請問我的錯(cuò)誤在哪?
2017-05-28 17:13:31
請問下,為什么推挽電路中上管NPN集電極電源什么作用?因?yàn)?點(diǎn)電壓永遠(yuǎn)是6點(diǎn)電壓-0.7v,似乎和NPN集電極12v電源沒什么關(guān)系
2022-05-12 09:51:22
請問二極管正向?qū)ê?,發(fā)射極和集電極的電壓差是多少啊
2023-10-12 11:42:39
的一部分集電極-基極電壓Vce.一旦Vcb超過1v,Q1的集電極電流保持高得足以使Ic1的反饋輸入高于1.25v.該電壓反過來又使IC1關(guān)機(jī)。隨著輸出電壓的增加.R7兩端的電壓差減?。⑶耶?dāng)電壓差降至
2021-05-11 07:47:48
具有高級有源鉗位(AAC)功能,為多電平變換器設(shè)計(jì)提供簡單、安全的IGBT 驅(qū)動器。IGBT 出現(xiàn)短路故障時(shí),所有IGBT 無需以特定的關(guān)斷時(shí)序來避免IGBT集電極過電壓。而是在檢測到故障時(shí)立即關(guān)斷IGBT,AAC 功能可以將IGBT 的集電極電壓限定在安全工作區(qū)內(nèi)。
2019-04-20 16:09:39
共集電極電路 共集電極電路又稱為射極輸出器、電壓跟隨器。此電路的優(yōu)點(diǎn)是輸入電阻很高、輸出電阻很低,多用于輸入極、輸出極或緩沖極。  
2009-03-03 17:53:1545 共集電極的單管逆變電路
2008-10-23 21:30:411883 下圖是利用IGBT過流集電極電壓檢測和電流傳感器檢測的綜合保護(hù)電路,電路工作原理是:負(fù)載短路(或IGBT因其它故障
2009-01-21 13:16:101368 應(yīng)用檢測IGBT集電極電壓的過流保護(hù)原理
圖10是應(yīng)用檢測IGBT集電極電壓的過流保
2009-01-21 13:18:311938 單管集電極驅(qū)動電路
LD接在半導(dǎo)體三極管BG的集電極上,LD的預(yù)偏置電流IB由電阻RB支路提供。BG工作在導(dǎo)通-截止的開關(guān)狀態(tài)。當(dāng)Vin為“0
2009-03-06 17:00:411226
集電極調(diào)幅電路圖
圖中,設(shè)基極激勵(lì)信號電壓(即載波電壓)為:υo = Vocosωot
2009-03-22 11:14:396482
集電極飽和電壓的測定電路圖
2009-08-15 17:17:54686 電容的額定電壓
電容器的額定電壓是指電容器在規(guī)定的溫度范圍內(nèi),能夠連續(xù)可靠工作的最高直流電壓或交流電壓的有效值。額定電壓的大小與電容器
2009-08-21 16:39:2610409 集電極是什么意思
在三極管中,集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電極.用符號C表示.也可以表述為,集電極是三極管的供電端.常見輸入為+5
2010-03-04 15:51:5919446 共集電極放大器,共集電極放大器是什么意思
共集電極放大電路是三種晶體管放大電路中一種.它的輸入信號與輸出信號的公共端是三極管的集電極。
2010-03-05 11:37:4614269 優(yōu)化高電壓IGBT,優(yōu)化高電壓IGBT是什么意思
中心議題:
優(yōu)化高電壓IGBT
解決方案:
高側(cè)晶體管
2010-03-24 09:49:201162 安全駕駛儀的額定電壓 額定電壓是指安全駕駛儀需要的電源的電壓。由于一般的反測速雷達(dá)都使用汽
2010-01-04 14:02:11642 三極管導(dǎo)通時(shí),集電極輸出低電平;三極管關(guān)斷時(shí),集電極輸出懸空,因此該電路在工作時(shí)需要外接負(fù)載電阻和電源。只要電阻的阻值和電源電壓的數(shù)值選擇得當(dāng),就能夠做到既保證輸出的高、低電平符合要求,輸出端三極管的負(fù)載電流又不過大。
2017-11-09 12:17:53145604 GBT 是三端器件,芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)包含有柵極、集電極和發(fā)射極,等效電路如圖2-1所示,在IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間加+15V標(biāo)準(zhǔn)電壓,則IGBT導(dǎo)通,如果集電極有上拉電阻,集電極和發(fā)射極電壓將會
2017-11-09 15:19:1013831 提出一種采用IGBT集電極漏電流對其芯片性能退化進(jìn)程進(jìn)行監(jiān)控的健康狀態(tài)監(jiān)測方法?;?b class="flag-6" style="color: red">IGBT基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體物理和器件可靠性物理學(xué),對IGBT電氣特征量一一集電極漏電流的產(chǎn)生機(jī)理、運(yùn)行規(guī)律與性能
2018-01-16 15:59:324 本文開始闡述了什么是共集電極電路和共集電極放大電路的基本結(jié)構(gòu),其次闡述了共集電極放大電路的功能與工作原理,最后介紹了共集電極放大電路的特性及詳細(xì)的共集電極放大電路計(jì)算與分析。
2018-03-27 14:06:52203764 陶瓷電容是可以說是我們常用的電容器之一,和其他的電容相比,陶瓷電容溫度較高,容量大,耐潮濕性好等等。正因?yàn)檫@些作用而被大家熟知和使用。有小伙伴提出在超過額定電壓的情況下使用陶瓷電容有問題嗎?小編根據(jù)
2018-05-26 15:59:141482 一旦發(fā)生短路,IGBT的集電極電流增加到超過既定值,則C-E間的電壓急劇增加。
2018-05-29 14:43:5942 一旦發(fā)生短路,IGBT的集電極電流增加到超過既定值,則C-E間的電壓急劇增加。根據(jù)這種特性,可以將短路時(shí)的集電極電流控制在一定的數(shù)值以下,但是在IGBT上仍然有外加的高電壓、大電流的大負(fù)荷,必須
2018-06-20 08:00:0040 當(dāng)IGBT在高性能應(yīng)用中高速接通和斷開時(shí),總會發(fā)生過壓。例如,當(dāng)關(guān)閉負(fù)載電流電路時(shí),集電極發(fā)射極電壓突然上升,達(dá)到非常高的峰值。由開關(guān)引起的過電壓會嚴(yán)重?fù)p壞甚至破壞開關(guān)晶體管。
2018-08-02 15:33:476527 IGBT由柵極(G)、發(fā)射極(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。
2019-04-24 15:38:2383762 通用集電極放大器在其發(fā)射極負(fù)載上產(chǎn)生輸出電壓,該輸出電壓與輸入信號同相,在許多方面,公共集電極配置(CC)是相反的共發(fā)射極(CE)配置,因?yàn)檫B接的負(fù)載電阻從R C 的集電極端子變?yōu)镽 E 的發(fā)射極端子。
2019-06-27 15:39:267475 給三極管各電極加上適當(dāng)?shù)闹绷?b class="flag-6" style="color: red">電壓后,各電極才有直流電流。三極管基極電壓用UB表示,UC是集電極電壓,UE是發(fā)射極電壓。
2020-01-17 13:48:12124860 三極管有三個(gè)電極分別叫基極b、發(fā)射極e和集電極c,這三個(gè)電極加上不同的電壓就會使三極管處于不同的狀態(tài),這三種狀態(tài)我們分別可稱作放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)。
2020-02-03 18:52:5911581 三極管分為pnp型三極管和npn型三極管,集電極用c表示!基極用b表示!發(fā)射極用e表示!不管是什么型號的電路圖中,凡是發(fā)射極都是有箭頭的。發(fā)射極箭頭的方向就是電流的方向!
2020-02-12 20:01:1511713 電壓跟隨器是共集電極電路,信號從基極輸入,射極輸出,故又稱射極輸出器?;鶚O電壓與集電極電壓相位相同,即輸入電壓與輸出電壓同相。
2021-03-17 20:50:0817 當(dāng)igbt在高性能應(yīng)用中高速接通和斷開時(shí),總會發(fā)生過壓。例如,當(dāng)關(guān)閉負(fù)載電流電路時(shí),集電極 - 發(fā)射極電壓突然上
2021-03-26 18:03:302841 保險(xiǎn)絲電壓的額定值應(yīng)根據(jù)它們可以安全施加至交流和/或直流電路的電壓來確定。保險(xiǎn)絲可以在低于或等于其額定電壓的任何電壓下工作。
2022-07-14 10:20:393533 IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓應(yīng)力。哪怕這電壓尖峰時(shí)間很短,也可能對IGBT造成永久性損壞。
2022-08-08 18:07:265633 我們都知道IGBT發(fā)生短路故障時(shí)會發(fā)生退飽和現(xiàn)象,如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓,同時(shí)集電極電流也上升至額定電流的5-6倍,因此IGBT發(fā)生短路時(shí)的瞬時(shí)功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906 因此集電極開路的輸出視為NPN晶體管,它允許電流吸收到公共端。對于這樣集電極開路電路,必須有一個(gè)電源才能使輸出正常工作。當(dāng)我們要求未連接任何電源時(shí)計(jì)算輸出電壓時(shí),電壓不會發(fā)生變化。必須計(jì)算輸出端的電壓以了解集電極開路電路的正常運(yùn)行。
2023-01-08 15:03:012856 今天給大家分享的是:集電極開路電路、集電極開路晶體管電路、集電極開路工作原理、集電極開路TTL、集電極開路輸出接線圖、集電極開路優(yōu)缺點(diǎn)。
2023-01-13 09:48:30908 IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS,集電極電流IC類似于漏極電流ID,集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。
2023-02-14 13:50:406431 IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極
2023-02-24 10:56:127 共集電極放大電路(Emitter Follower)是一種常用的放大電路,也被稱為電壓跟隨器。它的基本組成是一個(gè)NPN型晶體管,其中基極接入輸入信號,發(fā)射極接入輸出負(fù)載電路,集電極接地。與其他放大電路不同的是,共集電極放大電路的輸出信號與輸入信號具有相同的極性。
2023-02-27 11:15:505909 共集電極放大電路也被稱為電壓跟隨器或者隨動放大器。在共集電極放大電路中,輸入信號通過耦合電容C1輸入到晶體管的基極,輸出信號則從晶體管的發(fā)射極處取出。
2023-02-27 11:16:422497 額定電壓(Nominal voltage):電池正負(fù)極材料因化學(xué)反應(yīng)所造成的電位高低之差,利用些關(guān)系,所產(chǎn)生的電壓,稱為額定電壓,不同的正負(fù)極材料,產(chǎn)生的電壓不同,如:鉛酸電池-2V/CELL, 鋰離子電池3.6V/CELL。
2023-04-24 14:44:4816971 額定電壓公式的意義在于,當(dāng)電器設(shè)備的額定電壓為 Un時(shí),其所能承受的最大電壓為Vn。這個(gè)公式的根號3是因?yàn)樵谌嚯娐分校?b class="flag-6" style="color: red">電壓的有效值是相電壓的根號3倍。
2023-04-24 14:51:054495 額定電壓是指電氣設(shè)備的標(biāo)稱電壓,即電氣設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造時(shí)規(guī)定的電氣參數(shù),例如交流電機(jī)的額定電壓為380V,發(fā)電機(jī)的額定電壓為6600V等。額定電壓在設(shè)備制造時(shí)已經(jīng)確定,與電網(wǎng)電壓的實(shí)際運(yùn)行情況無關(guān)。
2023-04-24 14:56:167652 IGBT的輸出特性通常表示的是以柵極-發(fā)射極電壓VGE為參變量時(shí),漏極電流IC和集電極-發(fā)射極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。
2023-06-06 10:52:37757 為什么要規(guī)定額定電壓?額定電壓輸出電流怎么測試? 額定電壓是為了確保電氣設(shè)備在正常運(yùn)行時(shí)能夠提供穩(wěn)定的電壓供應(yīng)。額定電壓是指電氣設(shè)備能夠穩(wěn)定運(yùn)行的電壓范圍,設(shè)備在這個(gè)電壓范圍內(nèi)可以正常工作并且
2023-11-09 09:42:33670 如何抑制IGBT集電極過壓尖峰
2023-12-04 16:51:42716 IGBT集電極電壓超過額定電壓會發(fā)生什么?
2023-12-08 16:55:30455 三極管集電極電壓和基極電壓 三極管是一種常見的電子元器件,被廣泛應(yīng)用于電子電路中。它具有放大和開關(guān)特性,常用于放大信號、控制電壓和電流等應(yīng)用。三極管的集電極電壓和基極電壓是三極管的兩個(gè)重要電壓參數(shù)
2023-12-07 14:46:231415 額定電壓:首先要查看三極管的規(guī)格書或數(shù)據(jù)表,找到其額定的最大集電極-發(fā)射極電壓(VCEO)和最大集電極-基極電壓(VCBO)。這些額定電壓值是指三極管能夠安全工作的最大電壓范圍。
2024-01-02 18:06:57258 是法拉(簡稱F)。電容值越大,表示電容器能夠存儲的電荷越多。常見的電容值有微法(簡稱μF)、納法(簡稱nF)和皮法(簡稱pF)等。 其次,額定電壓是指電容器所能承受的最大電壓。超過額定電壓,電容器可能會發(fā)生擊穿、短路等故
2024-02-03 14:49:03259 膝電壓的概念、原理、影響因素以及應(yīng)用進(jìn)行詳細(xì)闡述。 膝電壓是指在IGBT導(dǎo)通狀態(tài)下,集電極與發(fā)射極之間的電壓降,通常以Vce(sat)表示。在IGBT的工作過程中,膝電壓是導(dǎo)通階段IGBT的主要損耗之一,其大小直接影響著器件的效率和性能特點(diǎn)。因此,正確地
2024-02-03 16:23:43288 導(dǎo)通時(shí),當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓,電流開始通過IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC(集電極電流)上升到特定值時(shí),VCE(集電極-發(fā)射極電壓)下降的速度。
2024-02-06 10:42:42268 什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象? IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28481 (Gate-Turn-Off)晶閘管的器件。在正常情況下,IGBT的啟動最低電壓通常為數(shù)伏。 IGBT的工作原理是將控制信號作用于柵電極,從而在集電極和發(fā)射極之間形成導(dǎo)通通道。當(dāng)柵電極和發(fā)射極之間的電壓為正,柵電極下方的N型極區(qū)就會形成一個(gè)N溝道,該通道連接到集電極,使之導(dǎo)通。當(dāng)柵電極和發(fā)射極之間的電壓為
2024-03-12 15:38:18229 主要參數(shù)如下: ? ? ??1. 最大額定電壓:這是指在正常工作條件下,IGBT能夠承受的最大集電極-發(fā)射極電壓。超過這個(gè)電壓可能導(dǎo)致器件損壞。 ? ? ??2. 最大額定電流:這是指在正常工作條件
2024-03-22 08:37:2932
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