IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和
2022-07-08 16:50:21
4084 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:429922 
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。
2023-03-15 09:23:39888 本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:48549 
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路，評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
2024-03-15 10:25:51194 
對IGBT的開通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負(fù)偏壓則對關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計中，還要注意開通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等
2012-07-25 09:49:08
，暫時不用考慮，重點(diǎn)考慮動態(tài)特性（開關(guān)特性）。 動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲?。骸 ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的開通過程 IGBT 在開通過程中，分為幾段時間 1.與MOSFET類似的開通過程，也是
2011-08-17 09:26:02
降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態(tài)壓降為 2 ～ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。 動態(tài)特性 IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為 MOSFET 來運(yùn)行的，只是在漏源
2012-07-09 14:14:57
）；2、通過觀察IGBT的柵極波形，評估IGBT驅(qū)動板是否能為IGBT開啟提供足夠的驅(qū)動電流；3、獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評估Rgon與Rgoff的選擇是否合適；4、觀察開通、關(guān)斷過程
2019-09-11 09:49:33
IGBT封裝過程中有哪些關(guān)鍵點(diǎn)？
2019-08-26 16:20:53
減小由于開關(guān)過程的差異造成的電流不均衡，通過均流電感的合理設(shè)計可以確保并聯(lián)IGBT的動態(tài)均流效果滿足設(shè)計要求。5)降額使用：即使IGBT模塊的選擇、共用驅(qū)動電路和優(yōu)化布局已達(dá)到最優(yōu)，但其靜態(tài)和動態(tài)性能
2015-03-11 13:18:21
作為Rg，1/3部分作為Re。輔助Re 能夠降低由于功率換流回路雜散電感不對稱引起的動態(tài)電流不平衡。圖7為由輔助Re形成的一個負(fù)反饋機(jī)制開通過程，其中一個IGBT開關(guān)速度快，另一個則相對較慢，近而在雜散電感
2018-12-03 13:50:08
關(guān)損耗的影響如下 可見，開通損耗受柵極電阻的影響要更大?！ ⊥?，反向恢復(fù)損耗受開通電阻的影響也可以在規(guī)格書中查到?！ 〖纳娙荩骸 ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的寄生電容影響動態(tài)性能，它是芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的固有特性，把
2021-02-23 16:33:11
二階微分方程： IGBT開通過程的理想波形如圖3所示，開通瞬態(tài)門極電壓尖峰主要發(fā)生在開通延遲階段（圖中未畫出門極電壓尖峰）。 圖3.IGBT開通理想波形這個時候IGBT還沒有開通，由于開通瞬態(tài)IGBT
2021-04-26 21:33:10
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過程中，熱性能變化對于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級和電流大小，那么IGBT的開通時間和關(guān)斷時間是否相同，如果不相同，哪個時間更長一些？并且，在設(shè)計IGBT
2024-02-25 11:06:01
IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動變頻器，此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
1000V 的IGBT 通態(tài)壓降為2～3V 。IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。2 ．動態(tài)特性IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds下降過程后期
2018-10-18 10:53:03
形?！ ?、逆變橋動態(tài)過程分析 1）開通時刻電流由上管IGBT→電感或者負(fù)載→N線→上母線電容； 2）關(guān)斷時刻電感進(jìn)行續(xù)流→負(fù)載→N線→下母線電容→下二極管?！ ?、IGBT模塊損耗組成部分 IGBT
2023-02-24 16:47:34
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
(潮光光耦網(wǎng)整理編輯)2012-04-03 變頻器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生產(chǎn)的一種IGBT門極驅(qū)動光耦合器，其內(nèi)部集成集電極發(fā)射極電壓欠飽和檢測電路
2012-07-06 16:28:56
電路的要求，設(shè)計一種可靠，穩(wěn)定的IGBT驅(qū)動電路。 IGBT驅(qū)動電路特性及可靠性分析 門極驅(qū)動條件 IGBT的門極驅(qū)動條件密切地關(guān)系到他的靜態(tài)和動態(tài)特性。門極電路的正偏壓uGS、負(fù)偏壓
2012-09-09 12:22:07
的門極驅(qū)動條件密切地關(guān)系到他的靜態(tài)和動態(tài)特性。門極電路的正偏壓uGS、負(fù)偏壓-uGS和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。其中
2009-09-04 11:37:02
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
?！ ?.2 電壓測量 IGBT 開通和關(guān)斷過程中電壓的完整觀測可以直接使用示波器探頭, 但對于開通時IGBT 電壓拖尾過程和通態(tài)飽和壓降的測量, 則需要使用箝位電路( 見圖5) 。原因在于此時示波器的Y
2018-10-12 17:07:13
晶體管組成的復(fù)合晶體管，它的轉(zhuǎn)移特性與MOSFET十分類似。為了便于理解，這里我們可通過分析MOSFET來理解IGBT的轉(zhuǎn)移特性。圖2.MOSFET截面示意圖當(dāng)MOSFET的柵極-源極電壓VGS=0V
2019-10-17 10:08:57
如圖所示，Pspice仿真mosfet開通過程，通過仿真得到的波形如圖所示（藍(lán)色是Vds，紅色是Vgs，綠色是Id），與課本上給的開通過程有區(qū)別。想請教一下仿真圖中的幾個問題：為什么電流Id上升
2019-06-04 20:39:14
生產(chǎn)線投入使用；（4）2015年10月，中車永電/上海先進(jìn)聯(lián)合開發(fā)的國內(nèi)首個具有完全知識產(chǎn)權(quán)的6500V高鐵機(jī)車用IGBT芯片通過高鐵系統(tǒng)上車試驗(yàn)；（5）2016年5月，華潤上華/華虹宏力基于6英寸
2021-03-22 19:45:34
畫出了IGBT一個橋臂的典型結(jié)構(gòu)。在正常運(yùn)行時，兩個IGBT將依次開通和關(guān)斷。如果兩個器件同時導(dǎo)通，則電流急劇上升，此時的電流將僅由直流環(huán)路的雜散電感決定。圖1 電壓源逆變器的典型結(jié)構(gòu)當(dāng)然， 沒有誰故意使兩個
2019-04-23 08:00:00
動態(tài)特性是指傳感器對于隨時間變化的輸入量的響應(yīng)特性。只要輸入量是時間的函數(shù)，則其輸出量必將是時間的函數(shù)。研究動態(tài)特性的標(biāo)準(zhǔn)輸入形式有三種，即正弦、階躍和線性，而經(jīng)常使用的是前兩種。
2020-04-29 06:28:27
傳感器在測量過程中，要能夠準(zhǔn)備感知被測量，使之不失真地轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的電學(xué)信號。衡量傳感器這一指標(biāo)主要在其靜態(tài)特性和動態(tài)特性，下面介紹一下何謂傳感器的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。靜態(tài)特性 傳感器的靜態(tài)特性是指
2016-04-26 15:33:26
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-11 14:30 編輯
在使用28335調(diào)試的過程中，當(dāng)暫停程序時，出現(xiàn)IGBT開通，使IGBT燒壞，換用IPM，仍然出現(xiàn)此問題，所以應(yīng)該不是驅(qū)動
2018-06-11 08:01:47
中的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
，通態(tài)電阻等）-- 截止時有漏電流；-- 最大的通態(tài)電流有限制；-- 最大的阻斷電壓有限制；-- 控制信號有功率要求，等等。（3）：電子開關(guān)的動態(tài)開關(guān)特性有限制：-- 開通有一個過程，其長短與控制信號
2018-10-25 16:11:27
IGBT的門極驅(qū)動條件密切地關(guān)系到他的靜態(tài)和動態(tài)特性。門極電路的正偏壓uGS、負(fù)偏壓-uGS和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度
2012-06-11 17:24:30
整個混合開關(guān)的頻率響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)樣品該實(shí)驗(yàn)基于溝槽場停止IGBT芯片的樣品，該芯片的額定阻斷電壓高達(dá)1200 V，標(biāo)稱電流高達(dá)200 A，厚度為125μm。通過質(zhì)子輻照改善了IGBT的頻率特性，相關(guān)技術(shù)在
2023-02-22 16:53:33
EMI。 在分析MOS管的開通過程，還需要結(jié)合MOS管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性以及實(shí)際的電路進(jìn)行分析?！ ∫?2V的驅(qū)動電壓，Vth為4.5V，開通Vds電壓為24V的MOS管為例?！ ≡趖0~t1階段
2023-03-22 14:52:34
起主導(dǎo)作用，二極管損耗隨著電感的增加而從24.6mJ提高至29.7mJ，增幅為20%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果的總動態(tài)損耗盡管在開通過程中，dI/dt和寄生電感可降低IGBT的電壓，但在關(guān)斷過程中，它也增大IGBT
2018-12-10 10:07:35
柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
時，為獲得最小導(dǎo)通壓降，應(yīng)選取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，當(dāng)Uge增加時，導(dǎo)通時集射電壓Uce將減小，開通損耗隨之減小，但在負(fù)載短路過程中Uge增加，集電極電流Ic也將隨之增加，使得IGBT
2016-11-28 23:45:03
信號、脈沖信號、斜坡信號、隨機(jī)噪聲信號及正弦信號。這是因?yàn)橐恍?fù)雜的信號可分解為階躍信號序列、脈沖信號序列，或用傅里葉變換展開，分解為若干個正弦信號之和。測量系統(tǒng)的動態(tài)特性可以由時域過渡過程曲線或
2018-01-24 13:32:47
的過程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。1、MOSFET柵極電荷特性與開關(guān)過程基于柵極電荷的MOSFET的開通過程如圖1所示，此圖
2016-11-29 14:36:06
？我們再來看下IGBT關(guān)斷電阻與關(guān)斷損耗的關(guān)系，通過圖2可以看出IGBT的關(guān)斷電阻對關(guān)斷損耗的影響甚微。圖2. IGBT關(guān)斷損耗與門極電阻關(guān)系從以上兩張圖片可知，通過門極電阻影響IGBT關(guān)斷特性似乎并不
2023-02-13 16:11:34
MOS管的門極開通電壓典型值為多少伏？那么IGBT的門極開通電壓典型值又為多少伏呢？
2019-08-20 04:35:46
提高了50V，達(dá)到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對于600V IGBT3的改進(jìn)：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動態(tài)特性
2018-12-07 10:16:11
安裝過程我們看到，它在安裝過程中發(fā)揮的作用。產(chǎn)品性能，我們應(yīng)用IGBT過程中，開通過程對IGBT是比較緩和的，關(guān)斷過程中是比較苛刻。大部分損壞是關(guān)斷造成超過額定值。我們看到紅色區(qū)線條件下，關(guān)斷的時候
2012-09-17 19:22:20
利用試驗(yàn)?zāi)B(tài)分析法獲得了某機(jī)槍結(jié)構(gòu)的模態(tài)參數(shù)，分析了機(jī)槍的動態(tài)特性，并通過基于模態(tài)試驗(yàn)的靈敏度分析方法，獲得了影響該機(jī)槍動態(tài)特性的敏感部位，為改善機(jī)槍動態(tài)
2009-10-10 14:29:07
13 本文在分析IGBT的動態(tài)開關(guān)特性和過流狀態(tài)下的電氣特性的基礎(chǔ)上，通過對常規(guī)的IGBT推挽驅(qū)動電路進(jìn)行改進(jìn)，得到了具有良好過流保護(hù)特性的IGBT驅(qū)動電路。該電路簡單，可靠，易用
2009-10-15 11:12:3977 實(shí)驗(yàn)七：一階動態(tài)電路的動態(tài)過程
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?. 觀察一階動態(tài)電路的動態(tài)過程。6. 確定電路的時間常數(shù) 。二、實(shí)
2008-09-25 15:32:249013 
傳感器的動態(tài)特性
動態(tài)特性是指傳感器對于隨時間變化的輸入量的響應(yīng)特性。只要輸入量是時間的函數(shù)，則其輸出量必將是時間的函
2009-05-19 08:38:172886 
控制系統(tǒng)動態(tài)特性的時域測試
控制系統(tǒng)的動態(tài)特性是指系統(tǒng)在動態(tài)過程(過渡過程)中輸出量對于輸入量的時間函數(shù)關(guān)系。由于大多數(shù)控制
2009-07-25 10:53:423319 
IGBT開關(guān)等效電路和開通波形電路
2010-02-17 17:22:572966 
IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582159 
在核動力蒸汽發(fā)生器(SG)運(yùn)行過程中，其逆動力學(xué)效應(yīng)使其動態(tài)特性難以辨識。為提高蒸汽發(fā)生器動態(tài)特性辨識的效果，提出了基于小波神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的蒸汽發(fā)生器動態(tài)過程辨識的新方法。辨
2011-09-28 14:01:4412 串聯(lián)晶閘管在大脈沖電流下的開通過程研究_王晨
2017-01-07 17:16:231 并聯(lián)IGBT模塊靜動態(tài)均流方法研究_肖雅偉
2017-01-08 10:11:415 會減低；MOS就是MOSFET的簡稱了；IGBT和MOS是全控器件，是電壓型驅(qū)動，即通過控制柵極電壓來開通或關(guān)斷器件；可控硅是半控器件，電流型驅(qū)動，即給柵極通一定的電流，可以是可控硅開通，但是一旦開通
2017-05-14 10:09:4253166 
在正常情況下IGBT的開通速度越快，損耗越小。但在開通過程中如有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流和吸收電容的放電電流，則開通的越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易導(dǎo)致IGBT損壞。因此應(yīng)該降低柵極驅(qū)動
2017-05-17 14:18:332996 
特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測試原理，設(shè)計并搭建壓接式IGBT模塊的動態(tài)開關(guān)特性測試平臺。采用Ansoft Q3D軟件對測試平臺的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:013 對于壓接式IGBT器件，封裝結(jié)構(gòu)引起的寄生參數(shù)不一致將導(dǎo)致開通瞬態(tài)過程中并聯(lián)IGBT芯片的電流分布不一致，使部分芯片在開關(guān)瞬態(tài)過程中的電流過沖太大，從而降低了開通性能。采用寄生參數(shù)提取、電路建模
2018-01-07 11:04:087 IGBT作為具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域?，F(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及低的開關(guān)損耗。作為開關(guān)器件，研究它的開通和關(guān)斷過程當(dāng)然是必不可少的，今天我們就來說說IGBT的開通過程。
2019-01-01 15:04:0048899 
IGBT的驅(qū)動條件與IGBT的特性密切相關(guān)。在設(shè)計柵極驅(qū)動電路時,當(dāng)柵極驅(qū)動電壓大于閾值電壓時IGBT即可開通,一般情況下閾值電壓Uge(th)=5～6V。這樣即可以使IGBT在開通時完全飽和
2019-07-26 09:46:2516179 
動態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高，動態(tài)均流問題對整個系統(tǒng)的影響就越大。
2020-05-02 17:21:0010468 
IGBT器件T1通過雙脈沖信號兩次開通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導(dǎo)通過電阻RGon來調(diào)節(jié)的，VCC是直流母線電壓。
2020-05-02 17:51:003613 
IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:315907 ，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。 由于寄生參數(shù)以及負(fù)載特性的影響，IGBT的實(shí)際開通與關(guān)斷過程比較復(fù)雜，如圖1為IGBT的開通關(guān)斷過程示意圖，圖中柵極驅(qū)動波形較為理想化，集電極電流以及集電極-發(fā)射極電壓的波形大致上是實(shí)際波形，只有細(xì)節(jié)被理想化。
2021-02-19 09:31:1215196 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET的開通過程和開通損耗資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-04 08:55:5057 在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td（on）、關(guān)斷延遲td（off）、上升時間tr和下降時間tf來進(jìn)行描述。
2021-05-06 10:06:016718 
這個時候IGBT還沒有開通，由于開通瞬態(tài)IGBT輸入電容相當(dāng)于短路，因此門極電流Ig快速上升至峰值電流，隨后門極電容會逐漸被充電至開啟閾值電壓Vge,th，米勒平臺Vgep，最后到Vcc，門極電流也逐漸減小至0。
2022-04-26 15:14:326085 如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。
2022-08-25 09:47:265204 IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。
2023-01-10 09:05:471975 在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對方法。
2023-02-10 14:05:506736 
上一篇，我們寫了基于感性負(fù)載下，IGBT的開通過程，今天，我們就IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行一個敘述。對于IGBT關(guān)斷的可以基于很對方面進(jìn)行分析，而今
天我們從電壓電流對IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行分析。
2023-02-22 15:21:339 （一）IGBT雙脈沖測試的意義 對比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)； 評估驅(qū)動電阻是否合適； 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩； 評估二極管的反向恢復(fù)行為和安全
2023-02-22 15:07:1511 ，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。 由于寄生參數(shù)以及負(fù)載特性的影響，IGBT的實(shí)際開通與關(guān)斷過程比較復(fù)雜，如圖1為IGBT的開通關(guān)斷過程示意圖，圖中柵極驅(qū)動波形較為理想化，集
2023-02-22 15:08:431 2.1 短路類型 2.2 橋臂直通短路在進(jìn)行IGBT短路實(shí)驗(yàn)的過程中，我們通常使用“退飽和電路”進(jìn)行器件的短路保護(hù)。那么退飽和電路的實(shí)現(xiàn)機(jī)理是什么樣的？另外，短路負(fù)載對短路特性有什么樣的影響呢？本文主
2023-02-22 15:14:446 與母線電壓相減使IGBT模塊電壓下降，因此不需要為開通過程增加吸收電容），而合理地增加吸收電容可以解決該問題。
2023-02-23 09:11:1216 ? ▌ 01動態(tài)特性 ??近期，關(guān)于用于全國大學(xué)生智能車節(jié)能信標(biāo)組的100W無線充電系統(tǒng)正在測試。使用MOS半橋作為發(fā)送線圈的功率驅(qū)動電路。由于半橋電路中MOS管的功率消耗主要發(fā)生在開關(guān)管的動態(tài)切換過程
2023-02-24 10:22:111 一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，不同的行業(yè)對使用IGBT時，對于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個開關(guān)器件，開通和關(guān)斷的過程
2023-05-25 17:16:251262 
8.2.12.1開通過程，0
2022-03-08 09:22:21234 
IGBT的開關(guān)特性是通過對門極電容進(jìn)行充放電來控制的，實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對IGBT進(jìn)行開通，再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
2023-07-04 14:54:051699 
采用TCAD器件仿真和工藝仿真軟件對芯片進(jìn)行結(jié)構(gòu)仿真、特性仿真、電場分布仿真和工藝仿真。
2023-07-13 10:31:54869 
重要意義。為了全面獲得電-熱-力綜合影響下壓接型 IGBT 芯片的動態(tài)特性，該文結(jié)合雙脈沖測試
電路原理，研制出具備電-熱-力靈活調(diào)節(jié)的壓接型 IGBT 芯片動態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺。通過對動態(tài)特性
實(shí)驗(yàn)平臺關(guān)鍵問題進(jìn)行有限元仿真計算，實(shí)現(xiàn)平臺回路寄生電感、IGBT 芯片表面壓力分布
2023-08-08 09:58:280 IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
對比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)；
評估驅(qū)動電阻是否合適；
開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:32786 
和性能，動態(tài)測試是必不可少的。下面將詳細(xì)介紹IGBT動態(tài)測試的參數(shù)。 1. 開通特性測試（Turn-on Characteristics Test）： 開通特性測試是通過控制IGBT的輸入信號，來檢測
2023-11-10 15:33:51885 MOS管開通過程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對措施
2023-11-27 17:52:431378 
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
IGBT開通過程發(fā)生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點(diǎn)，因此在各種電源、驅(qū)動、變換和控制系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 ，以及普通功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高頻開關(guān)能力。IGBT因其獨(dú)特的特性在電力電子、變頻器、UPS（不間斷電源）等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 然而，由于IGBT技術(shù)本身的復(fù)雜性和高頻、高溫環(huán)境等外部因素的影響，IGBT導(dǎo)通過程中容易出現(xiàn)過流和短路故障，給
2024-02-18 11:14:37247 的重要指標(biāo)，直接影響著設(shè)備的工作效率和可靠性。 開通時間 開通時間是指從驅(qū)動信號施加到IGBT導(dǎo)通的時間。在開通過程中，當(dāng)控制極（門極）施加一個適當(dāng)?shù)恼妷簳r，控制電流通過絕緣柵而在MOS層形成電子-空穴對。電子從N型區(qū)向P型區(qū)注入，并
2024-02-20 11:19:16280
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