反激式電源的開關(guān)過程分析
關(guān)于這個論題很多人已經(jīng)給出了它們的分析，不過呢寥寥幾句有時候帶給人更多的是疑惑和迷茫。參考了一些論文和分
2009-11-21 11:12:23
1154 IGBT是高頻開關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。
2023-04-06 17:31:175483 
IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制
2023-04-19 09:27:11569 本文就MOSFET的開關(guān)過程進行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:48549 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40506 
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路，評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
2024-03-15 10:25:51194 
，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性（開關(guān)特性）?！ 討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲?。骸 ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的開通過程 IGBT 在開通過程中，分為幾段時間 1.與MOSFET類似的開通過程，也是
2011-08-17 09:26:02
IGBT封裝過程中有哪些關(guān)鍵點？
2019-08-26 16:20:53
和驅(qū)動回路須保持最小回路漏感及嚴(yán)格的對稱布局，模塊應(yīng)盡量靠近，并優(yōu)化均衡散熱，以提高并聯(lián)IGBT的均流效果。4)串聯(lián)均流電感：交流輸出端串聯(lián)的電感可以抑制IGBT和二極管在開關(guān)過程中的電流變化率，可以大大
2015-03-11 13:18:21
，引起IGBT開關(guān)過程變慢，也導(dǎo)制開關(guān)過程損耗增加。在一些特定開關(guān)條件下IGBT模塊的寄生電容和等效寄生電感可能造成柵極嚴(yán)重振蕩問題，近而可能導(dǎo)致柵極過電壓。 圖11 驅(qū)動環(huán)路寄生電感分布在通常情況下，電纜長度或
2018-12-03 13:50:08
它搞清楚，更能理解IGBT開關(guān)過程中柵極驅(qū)動電壓的變化過程 簡化示意圖才好理解： 先命名： 反饋電容又稱米勒電容： 輸入電容： 輸出電容： 輸入電容Cies和米勒電容
2021-02-23 16:33:11
電壓（600V、1200V、1700V）均對應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級?？紤]到過載，電網(wǎng)波動，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
在IGBT短路時，假設(shè)在導(dǎo)通時短路，此時IGBT驅(qū)動電壓達(dá)到穩(wěn)定高值，就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時刻觸發(fā)外部電路短路，用示波器查看驅(qū)動電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時間內(nèi)響應(yīng)后，驅(qū)動電壓
2024-02-25 11:31:12
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動電路
2017-10-10 17:16:20
我需要設(shè)計一個類似與開關(guān)的電路，輸入信號A發(fā)生改變（在一個直流上加一個小脈沖，檢測到脈沖信號即發(fā)生改變），開關(guān)控制電路像開關(guān)一樣連通，將另外的一個信號B加到一個器件上。電路要求：開關(guān)過程時間一定要短，要是ps級（最大
2018-08-20 07:59:00
`` 本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 14:43 編輯
開關(guān)電源詳解，給大家分享``
2012-07-09 11:49:02
開關(guān)電源設(shè)計詳解
2012-08-04 09:42:38
就成為整個開關(guān)過程的重要因素。轉(zhuǎn)換過程的快慢,不僅決定了工作頻率的設(shè)計指標(biāo),而且對開關(guān)電源的效率、可靠性、壽命等帶來了很大影響。保護線路是否靈敏、可靠與完善,與開關(guān)器件的安全運行至關(guān)重要。----2.
2009-08-23 13:17:36
課程簡介：本課程基于STM32F103RC講解，通過從MCU上電開始啟動開始分析，詳解MCU的運行過程，講師“東方青”多年從事開發(fā)經(jīng)驗而言，學(xué)習(xí)Cortex-M系列的MCU，我們不僅僅只是會使用固件
2021-11-03 07:58:18
詳解射頻和微波開關(guān)的基本知識
2021-05-20 06:06:49
HiveSQL解析過程詳解
2019-06-04 16:27:33
PS2251-61量產(chǎn)詳解過程
2012-04-05 09:21:03
, 圖3 中IGBT 的t r、t f 均大于給定值, 但這并不意味著損耗的上升, 因為開關(guān)損耗還取決于開關(guān)過程中電壓電流的"重疊"程度, 而圖3中的"重迭"明顯
2018-10-12 17:07:13
《LabVIEW與Matlab的聯(lián)合仿真過程詳解.pdf》有需要的xdjm就拿去吧。
2015-12-23 22:59:28
【PDF】LabVIEW與Matlab的聯(lián)合仿真過程詳解
2015-12-04 19:50:28
DC/DC開關(guān)電源中接地反彈的詳解
2021-01-28 06:17:31
重講述二極管的開關(guān)過程（也叫二極管的動態(tài)特性）及其帶來的影響。任何開關(guān)器件的狀態(tài)切換并不是一蹴而就的，在這切換的期間發(fā)生了什么是工程師值得注意的地方。因為結(jié)電容的存在，二極管在零偏置、正向?qū)?、反向截止這三個狀態(tài)之間切換時，會有一個過渡。
2020-10-29 10:24:29
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
可表示為： 其中τi＝ (Rg+RG) (Cge+Cgc) 上式表明， τi越大， 關(guān)斷延遲時間越長?！ ?.3 導(dǎo)通至關(guān)斷的過程 IGBT在開關(guān)過程中， 可能會有電壓或電流的突變， 這將引起器件
2011-09-08 10:12:26
的IGBT 的性能。（2）獲取IGBT 在開關(guān)過程的主要參數(shù)，以評估Rgon及Rgoff 的數(shù)值是否合適，評估是否需要配吸收電路等。（3） 考量IGBT在變換器中工作時的實際表現(xiàn)。例如二極管的反向恢復(fù)
2021-02-25 10:43:27
柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
`模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開關(guān)管的尖峰 辦法`
2016-01-21 21:19:49
盡管MOSFET在開關(guān)電源、電機控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師對于MOSFET開關(guān)過程仍然有一些疑惑，本文先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷
2016-11-29 14:36:06
電子DIY過程詳解.pdf
2011-08-05 11:58:57
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
的溝道電流In在開關(guān)過程中與門極電壓有如下關(guān)系：式中，Kp為與器件結(jié)構(gòu)和載流子特性相關(guān)的系數(shù)，Vge,th為閾值電壓。說到這里大家可能有點明白了，我們控制IGBT門極電壓實際上控制的是內(nèi)部MOS，直接
2023-02-13 16:11:34
一.硬開關(guān)和軟開關(guān)二. 零電壓開關(guān)和零電流開關(guān)開關(guān)過程中電壓和電流均不為零，出現(xiàn)了重疊。電壓、電流變化很快，波形出現(xiàn)明顯得過沖，導(dǎo)致開關(guān)噪聲。在原電路中
2009-06-24 23:13:58
0 極諧振軟開關(guān)過渡三相PWM逆變器研究新進展
摘要：軟開關(guān)技術(shù)在DC/DC變換，單相DC/AC變換方面得到了很大的發(fā)展并獲得了大量的實際應(yīng)用，在三相DC/AC逆變器方
2009-07-25 10:04:421123 IGBT開關(guān)式自并激微機勵磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用
本文以HWKT—09型微機勵磁調(diào)節(jié)器為例，詳盡地闡述了IGBT開關(guān)式自并激微機勵磁系統(tǒng)的基本原理，并重點討論了IGBT在開關(guān)勵
2009-11-13 15:41:39910 
新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。
2010-05-25 09:05:201169 
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中，功率MOSFET動態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在
2011-03-15 15:19:17557 IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。 IGBT 集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關(guān)
2011-09-14 10:51:361812 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程
2011-09-14 17:39:1765 圖文詳解T60機器拆解過程.
2012-04-24 15:12:4037 開關(guān)電源各功能電路詳解開關(guān)電源各功能電路詳解開關(guān)電源各功能電路詳解
2015-12-14 18:00:50181 反激式開關(guān)電源設(shè)計詳解(上)，新手需要可以看看。
2016-07-12 15:29:4354 開關(guān)電源的系統(tǒng)設(shè)計詳解
2017-01-14 11:18:4522 引入IGBT基區(qū)存儲電荷造成的等效電容及模塊封裝鍵合絲帶來的寄生電感，考慮反并聯(lián)PIN二極管行為模型，從而有針對性地實現(xiàn)了完整中電壓大功率IGBT模塊行為模型。同時提出了新的米勒電容函數(shù)擬合方法，量化分析行為模型完整開關(guān)過程中典型行為與模型參
2018-03-08 09:21:360 本文主要介紹了簡單的電磁加熱電路圖大全（加熱開關(guān)控制/變頻電源電路圖詳解）。電磁感應(yīng)加熱的基本過程，可以看出實現(xiàn)電磁感應(yīng)加熱至少需要整流單元、功率開關(guān)管、功率開關(guān)管驅(qū)動控制單元、加熱線圈單元
2018-03-22 10:06:49113630 
基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解mosfet開關(guān)過程資料
2018-05-10 10:53:114 haohaolinux 的撥碼開關(guān)視頻。
2018-06-20 02:59:003161 IGBT作為具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域?，F(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及低的開關(guān)損耗。作為開關(guān)器件，研究它的開通和關(guān)斷過程當(dāng)然是必不可少的，今天我們就來說說IGBT的開通過程。
2019-01-01 15:04:0048899 
東莞訊普電子的技術(shù)員指出以下幾點：1.經(jīng)過工程師的研究分析,會造成輕觸開關(guān)過回流焊后變黃大多是采用6T塑膠料,因為6T塑膠料本身就比較容易吸收水份,如果這塑膠吸收的水份比較少的話,估計按鍵在受熱
2019-07-29 09:21:532136 本文研究了逆變器核心開關(guān)器件IGBT主要參數(shù)的選擇， 分析三相逆變電路拓?fù)浼肮β势骷?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的應(yīng)用特點，根據(jù)其特點選擇合適額定電壓，額定電流和開關(guān)參數(shù)。以及優(yōu)化設(shè)計柵電壓，克服Miller效應(yīng)的影響，確保在IGBT應(yīng)用過程中的可靠性。
2019-07-17 08:45:346729 
動態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高，動態(tài)均流問題對整個系統(tǒng)的影響就越大。
2020-05-02 17:21:0010468 
快恢復(fù)二極管主要用作續(xù)流二極管，與快速開關(guān)三極管并聯(lián)后面帶感性負(fù)載，如Buck，Boost變換器的電感、變壓器和電機，這些電路大部分是用恒脈脈寬調(diào)制控制。
2020-10-02 17:30:007971 
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-
2021-02-19 09:31:1215196 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供詳解IGBT系統(tǒng)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-16 08:40:5535 在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td（on）、關(guān)斷延遲td（off）、上升時間tr和下降時間tf來進行描述。
2021-05-06 10:06:016718 
ADG200：DI CMOS保護雙SPST模擬開關(guān)過時數(shù)據(jù)表
2021-05-07 18:47:308 移相全橋為主電路的軟開關(guān)電源設(shè)計詳解(電源技術(shù)審稿費多少)-移相全橋為主電路的軟開關(guān)電源設(shè)計詳解 ? ? ? ? ? ??
2021-08-31 19:20:43117 開關(guān)電源電路圖詳解(通信電源技術(shù)審稿費)-開關(guān)電源電路圖詳解，有需要的可以參考！
2021-09-16 09:38:27562 開關(guān)電源詳解(肇慶理士電源技術(shù)公司)-關(guān)于開關(guān)電源的各部分詳解，大家可以去看看
2021-09-29 17:44:19141 IGBT短路測試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 修復(fù)水環(huán)真空泵軸承位磨損的過程詳解
2022-03-07 10:33:164 本文介紹了米勒效應(yīng)的由來，并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-
2022-03-26 18:33:364680 大家好，這期我們再聊一下IGBT的開關(guān)損耗，我們都知道IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開關(guān)暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會釋放功率，對外做功產(chǎn)生熱量。那為什么IGBT開關(guān)過程
2022-04-19 16:00:383402 IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。
2022-05-24 09:56:242215 
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。
2023-01-10 09:05:471975 IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。
2023-02-07 16:14:42988 
上一篇，我們寫了基于感性負(fù)載下，IGBT的開通過程，今天，我們就IGBT的關(guān)斷過程進行一個敘述。對于IGBT關(guān)斷的可以基于很對方面進行分析，而今
天我們從電壓電流對IGBT的關(guān)斷過程進行分析。
2023-02-22 15:21:339 IGBT的開關(guān)時間說明 IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)
2023-02-22 15:08:431 目錄 1、IGBT的工作原理和退飽和 1.1 IGBT 和 MOSFET結(jié)構(gòu)比較 1.2 IGBT 和 MOSFET 在對飽和區(qū)的定義差別 1.3 IGBT 退飽和過程和保護 2、電感短路和直通短路
2023-02-22 15:14:446 1.對比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能。
2.獲取IGBT在開關(guān)過程的主要參數(shù)，以評估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適，評估是否需要
2023-02-24 09:41:421 一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，不同的行業(yè)對使用IGBT時，對于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個開關(guān)器件，開通和關(guān)斷的過程
2023-05-25 17:16:251262 
針對電熱協(xié)同電路仿真，以IGBT為例：功率管的導(dǎo)通和開關(guān)損耗, 每一次的開關(guān)過程，Rds的電阻都是一直變化的，從大到小或者從小到大，而且開關(guān)的過程DS之間是有電流的，功率損耗會使IGBT發(fā)熱，功耗
2023-05-29 17:11:58425 
前言：為了方便理解MOSFET的開關(guān)過程及其損耗，以Buck變換器為研究對象進行說明（注：僅限于對MOSFET及其驅(qū)動進行分析，不涉及二極管反向恢復(fù)等損耗。）
2023-06-23 09:16:001354 
什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT
2022-05-26 09:52:271472 
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下
2022-07-21 17:53:513005 
在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時間tr和下降時間tf來進行描述。圖5是IGBT整個開關(guān)過程的波形。
2023-07-12 11:07:38326 
IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動電路，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543326 的導(dǎo)通損耗。然而，即使使用最新的IGBT，當(dāng)其關(guān)斷時也會存在能耗問題。在這種情況下，使用IGBT反向并聯(lián)二極管就會變得非常重要。在這篇文章中，我們將詳細(xì)解釋IGBT反向并聯(lián)二極管的作用。 IGBT的開關(guān)過程 在了解IGBT反向并聯(lián)二極管的作用之前，我們需要
2023-08-29 10:25:571118 RL78啟動過程詳解
2023-09-28 16:39:32744 
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
、N型漏源和門極組成。因其高電壓和高電流開關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過控制門極電壓來實現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件，以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028172 PD通信的基本原理 PD通信的相關(guān)過程 PD通信是一種公共無線通信技術(shù)，它可以在沒有任何網(wǎng)絡(luò)支持的情況下，讓用戶在附近的范圍內(nèi)相互通信。PD通信的基本原理是通過無線電波的發(fā)送和接收，實現(xiàn)用戶之間
2023-10-27 14:31:09738 型和N型的雙極晶體管構(gòu)成，加上一個溫度補償二極管和一個高抵抗柵控晶體管。 在IGBT的應(yīng)用中，RCD緩沖電路起到了重要的作用。RCD緩沖電路能夠防止IGBT在開關(guān)過程中因超壓、電流浪涌等突發(fā)事件而受到損害。因此，正確選擇RCD緩沖電路中的各元件參數(shù)對于確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性非常重要。 首先，我們需要選擇合適的
2023-11-20 17:05:44545 詳解開關(guān)電源RCD鉗位電路工作過程，為什么它能夠吸收能量？
2023-12-06 16:14:40326 
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2023-12-05 09:17:250 速度、效率、損耗、應(yīng)用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理： 硬開關(guān)模式下，當(dāng)IGBT開關(guān)從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)時，由于電流和電壓較大，會產(chǎn)生大量的開關(guān)損耗。而在軟開關(guān)模式下，IGBT在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中能夠在合適的時機通過控制電壓和電流的波形，來減少開關(guān)損耗。 開關(guān)速度： 硬開關(guān)
2023-12-21 17:59:32658 IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點說明 IGBT是一種高壓開關(guān)器件，它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點，具有許多獨特的優(yōu)勢。在本文中，我們將詳細(xì)地探討IGBT的優(yōu)點，以便更好地理解其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。 首先
2024-01-04 16:35:47790 的作用下，它可以自動調(diào)整電流，以確保電路的穩(wěn)定性。 續(xù)流二極管的開關(guān)過程主要包括以下幾個階段： 正向電壓作用階段：當(dāng)電路中的正向電壓作用于續(xù)流二極管時，二極管導(dǎo)通，電流可以順利地通過。此時，電感元件中的磁場逐
2024-01-12 18:09:06586 
一個IGBT用不同的驅(qū)動板會得到不一樣的效果嗎？為什么？ 當(dāng)使用不同的驅(qū)動板驅(qū)動同一個 IGBT 時，會產(chǎn)生不同的效果。這是因為驅(qū)動板在控制 IGBT 的開關(guān)過程中起著重要的作用，不同的驅(qū)動板具有
2024-01-15 11:26:04356 IGBT開通過程發(fā)生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點，因此在各種電源、驅(qū)動、變換和控制系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 ，以及普通功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高頻開關(guān)能力。IGBT因其獨特的特性在電力電子、變頻器、UPS（不間斷電源）等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 然而，由于IGBT技術(shù)本身的復(fù)雜性和高頻、高溫環(huán)境等外部因素的影響，IGBT導(dǎo)通過程中容易出現(xiàn)過流和短路故障，給
2024-02-18 11:14:37247 退飽和電路的實現(xiàn)機理是什么樣的？IGBT退飽和過程和保護 退飽和電路的實現(xiàn)機理是當(dāng)IGBT工作在飽和狀態(tài)時，通過引入一定的電路設(shè)計和調(diào)整，使IGBT在過載或故障情況下能夠自動退出飽和狀態(tài)，以保護
2024-02-18 14:51:51423 十分重要，正確的驅(qū)動電路設(shè)計將直接影響IGBT的性能和穩(wěn)定性。以下將詳細(xì)介紹IGBT對驅(qū)動電路的要求。 電源和電流能力： IGBT的開關(guān)過程需要大量的電源能量和電流能力。驅(qū)動電路需要提供足夠的電流來形成電流增益，以確保IGBT的快速開關(guān)和關(guān)閉。此外，驅(qū)動電路還需要穩(wěn)定的電源來確保IGBT的
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