的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開關(guān)特性）?！ ?b class="flag-6" style="color: red">動(dòng)態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲?。骸 ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的開通過程 IGBT 在開通過程中，分為幾段時(shí)間 1.與MOSFET類似的開通過程，也是
2011-08-17 09:26:02
成正比的特性，通過檢測(cè)Uce（ON）的大小來判斷Ie的大小，產(chǎn)品的可靠性高。不同型號(hào)的混合驅(qū)動(dòng)模塊，其輸出能力、開關(guān)速度與du/dt的承受能力不同，使用時(shí)要根據(jù)實(shí)際情況恰當(dāng)選用?！ ∮捎诨旌向?qū)動(dòng)模塊
2011-08-17 09:46:21
來解決問題。有時(shí)候，用一個(gè)NPT進(jìn)行簡易并聯(lián)的效果是很好的，但是與一個(gè)電平和速度相同的PT器件相比，使用NPT會(huì)造成壓降增加。動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性是指IGBT在開關(guān)期間的特性。鑒于IGBT的等效電路，要
2012-07-09 14:14:57
IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向
2012-07-09 10:01:42
IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向
2012-07-09 11:53:47
適用于高頻切換的場(chǎng)合；IGBT 導(dǎo)通壓降低，耐壓高，所以適用于高壓大功率場(chǎng)合。所以從功耗的角度來說，應(yīng)用時(shí)要注意對(duì)于驅(qū)動(dòng)開關(guān)頻率、門極電阻和驅(qū)動(dòng)電壓的調(diào)節(jié)，以符合系統(tǒng)溫升的要求，并且對(duì)于系統(tǒng)中的做出調(diào)整
2022-09-16 10:21:27
IGBT在半橋式電機(jī)控制中的使用IGBT的特性和功能在直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。IGBT，也就是絕緣柵雙極型晶體管，是由
2015-12-30 09:27:49
上次我們討論了IGBT關(guān)斷過程中門極電壓對(duì)載流子的控制過程，得出結(jié)論：通過門極電阻改善IGBT關(guān)斷特性并不理想，主要因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT是雙極性器件，我們控制門極電壓實(shí)際上控制的是注入到N-基區(qū)的電子電流
2023-02-13 16:20:01
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
IGBT半橋電路的中間引出端通過均流電感并聯(lián)在一起，以提高每個(gè)IGBT半橋單元的動(dòng)態(tài)均流效果。IGBT模塊的正負(fù)端通過復(fù)合母排連接到直流支撐電容的兩極上。選用復(fù)合母排不但有助于減小IGBT開關(guān)過程產(chǎn)生
2015-03-11 13:18:21
并聯(lián)IGBT驅(qū)動(dòng)所用分開柵極電阻相比公用連接方式而言，可以改善動(dòng)態(tài)過程均流。這也可以降低由于閾值電壓VGEth 之間偏差引起的動(dòng)態(tài)不平衡。圖5為測(cè)試所用的示意圖，額外串聯(lián)的二極管用于有意增加并聯(lián)IGBT
2018-12-03 13:50:08
作為晶體管的一種，是由別的電路來控制的。具體點(diǎn)說，IGBT的簡化模型有3個(gè)接口，有兩個(gè)（集電極、發(fā)射極）接在強(qiáng)電電路上，還有一個(gè)接收控制電信號(hào)，叫作門極。給門極一個(gè)高電平信號(hào)，開關(guān)（集電極與發(fā)射極之間
2023-02-16 15:36:56
管并聯(lián)方案的時(shí)候也很好用?！ Gext：由工程師設(shè)置，包含Rgon（開通電阻）和Rgoff（關(guān)斷電阻），一般在設(shè)計(jì)時(shí)通過不同的充放電回路來設(shè)置不同的Rgon和Rgoff；柵極電阻對(duì)IGBT的開關(guān)
2021-02-23 16:33:11
電路的開關(guān)周期。二極管V應(yīng)選用正向過渡電壓低、逆向恢復(fù)時(shí)間短的軟特性緩沖二極管。 (3)、適當(dāng)增大柵極電阻Rg。實(shí)踐證明，Rg增大，使IGBT模塊的開關(guān)速度減慢，能明顯減少開關(guān)過電壓尖峰，但相應(yīng)的增加了
2012-06-19 11:26:00
能有著重要的影響?！ 『颖惫I(yè)大學(xué)省部共建電工裝備可靠性與智能化國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員，針對(duì)現(xiàn)階段仍存在的問題，對(duì)于不同功率循環(huán)下的IGBT的熱退化特性進(jìn)行了研究。設(shè)計(jì)了動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)，對(duì)不同的工作模式下IGBT模塊的退化
2020-12-10 15:06:03
1000V 的IGBT 通態(tài)壓降為2～3V 。IGBT 處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。2 ．動(dòng)態(tài)特性IGBT 在開通過程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds下降過程后期
2018-10-18 10:53:03
以下的條件： IGBT的柵電容比VMOSFET大得多，所以要提高其開關(guān)速度，就要有合適的門極正反向偏置電壓和門極串聯(lián)電阻?！ ?1)門極電壓 任何情況下，開通狀態(tài)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓都不能超過參數(shù)表給出
2012-07-18 14:54:31
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
，BIPOLAR適用于中速開關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過這兩者的復(fù)合化，既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件，同時(shí)也是兼顧低飽和
2019-05-06 05:00:17
，BIPOLAR適用于中速開關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過這兩者的復(fù)合化，既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件，同時(shí)也是兼顧低飽和
2019-03-27 06:20:04
(潮光光耦網(wǎng)整理編輯)2012-04-03 變頻器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生產(chǎn)的一種IGBT門極驅(qū)動(dòng)光耦合器，其內(nèi)部集成集電極發(fā)射極電壓欠飽和檢測(cè)電路
2012-07-06 16:28:56
-uGS和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。其中門極正電壓uGS的變化對(duì)IGBT的開通特性，負(fù)載短路能力和duGS/dt電流有較大
2012-09-09 12:22:07
的門極驅(qū)動(dòng)條件密切地關(guān)系到他的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。門極電路的正偏壓uGS、負(fù)偏壓-uGS和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。其中
2009-09-04 11:37:02
描述TIDA-00675可使用負(fù)載開關(guān)動(dòng)態(tài)開啟/關(guān)閉負(fù)載，從而降低功耗。設(shè)計(jì)指南說明了開關(guān)頻率、占空比和放電電阻的使用如何影響功耗。特性通過動(dòng)態(tài)開啟/關(guān)閉負(fù)載來降低功耗頻率、占空比和負(fù)載電流對(duì)功耗
2022-09-20 07:17:32
、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長外
2018-08-27 20:50:45
和器件
特性相關(guān)的三個(gè)主要功率
開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還
通過舉例說明二
極管的恢復(fù)
特性是決定MOSFET 或
IGBT導(dǎo)通
開關(guān)損耗的主要因素，討論二
極管恢復(fù)性能對(duì)于硬
開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
通能耗，可通過恢復(fù)與IGBT組合封裝的二極管相同的二極管來測(cè)量，典型的Eon2測(cè)試電路如圖2所示。IGBT通過兩個(gè)脈沖進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換來測(cè)量Eon。第一個(gè)脈沖將增大電感電流以達(dá)致所需的測(cè)試電流，然后第二個(gè)脈沖
2020-06-28 15:16:35
能耗的功率損耗；Eon2則包括了與二極管恢復(fù)相關(guān)的硬開關(guān)導(dǎo)通能耗，可通過恢復(fù)與IGBT組合封裝的二極管相同的二極管來測(cè)量，典型的Eon2測(cè)試電路如圖2所示。IGBT通過兩個(gè)脈沖進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換來測(cè)量Eon
2018-09-28 14:14:34
、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。 什么是IGBT？IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型
2022-04-01 11:10:45
、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 MOS管與IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示
2020-07-19 07:33:42
【不懂就問】說MOS管是壓控型器件，而IGBT是流控型器件導(dǎo)致了他們工作原理和結(jié)構(gòu)的完全不一樣那么既然都是可以當(dāng)作開通關(guān)斷或者放大作用的管子且門極驅(qū)動(dòng)的話，都要接上電阻來控制開短的快慢，為什么要分電壓電流型呢？電路中根據(jù)U=IR，只要有回路，壓流是共存的，這怎么分得開呢？
2018-07-04 10:10:27
，究竟它是如何辦到的？讓我們來進(jìn)一步深入了解?！ ?b class="flag-6" style="color: red">通過TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件，正如其開發(fā)的目的，結(jié)合了高效率和快速的開關(guān)功能，它在
2020-07-07 08:40:25
更低（對(duì)于IGBT來說是集電極電流、集電極-發(fā)射極間電壓）。不言而喻，Vd-Id特性也是導(dǎo)通電阻特性。根據(jù)歐姆定律，相對(duì)Id，Vd越低導(dǎo)通電阻越小，特性曲線的斜率越陡，導(dǎo)通電阻越低。IGBT的低Vd（或
2018-12-03 14:29:26
更高的電氣可靠性、穩(wěn)定性和安全性。表1 RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的電子參數(shù)RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的開關(guān)特性參數(shù)如表2所示，由此可見
2019-04-09 06:20:10
晶體管組成的復(fù)合晶體管，它的轉(zhuǎn)移特性與MOSFET十分類似。為了便于理解，這里我們可通過分析MOSFET來理解IGBT的轉(zhuǎn)移特性。圖2.MOSFET截面示意圖當(dāng)MOSFET的柵極-源極電壓VGS=0V
2019-10-17 10:08:57
困難，可以用萬用表測(cè)量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測(cè)得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體二極管。IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域
2021-05-14 09:24:58
的功率損耗；Eon2則包括了與二極管恢復(fù)相關(guān)的硬開關(guān)導(dǎo)通能耗，可通過恢復(fù)與IGBT組合封裝的二極管相同的二極管來測(cè)量，典型的Eon2測(cè)試電路如圖2所示。IGBT通過兩個(gè)脈沖進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換來測(cè)量Eon
2017-04-15 15:48:51
和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊?。?dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長外，IGBT
2019-03-06 06:30:00
電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔?，因此，只要電路參?shù)設(shè)置合適，一般輸出電壓可以比輸入電壓高很多倍。它有三個(gè)工作狀態(tài)：截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。三極管一般是弱電中使用，而且出現(xiàn)在開關(guān)作用
2023-02-13 15:43:28
電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔?，因此，只要電路參?shù)設(shè)置合適，一般輸出電壓可以比輸入電壓高很多倍。它有三個(gè)工作狀態(tài)：截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。三極管一般是弱電中使用，而且出現(xiàn)在開關(guān)作用
2023-02-08 17:22:23
的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào)，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來判斷是IGBT還是MOS管。同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有，除非
2021-03-02 13:47:10
當(dāng)二極管的正向電流變化時(shí)，其正向電阻也在發(fā)生微小的變化，正向電流愈大，正向電阻愈小，反之則大。在一些控制電路中，在利用這一特性實(shí)現(xiàn)電路的控制功能。在電子開關(guān)電路中，利用二極管正向電阻和反向電阻相差
2021-01-22 16:10:45
區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給
2012-06-19 11:36:58
延遲時(shí)間與Ic在25°C時(shí)的關(guān)系圖關(guān)斷延遲時(shí)間與Ic在25°C時(shí)的關(guān)系圖從測(cè)試結(jié)果可知，隨著開關(guān)電流Ic的減小，關(guān)斷延遲時(shí)間顯著增加。因此僅僅通過選定門極驅(qū)動(dòng)電阻來簡單地計(jì)算死區(qū)時(shí)間是不夠精確的。在
2019-04-23 08:00:00
，通態(tài)電阻等）-- 截止時(shí)有漏電流；-- 最大的通態(tài)電流有限制；-- 最大的阻斷電壓有限制；-- 控制信號(hào)有功率要求，等等。（3）：電子開關(guān)的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性有限制：-- 開通有一個(gè)過程，其長短與控制信號(hào)
2018-10-25 16:11:27
IGBT的門極驅(qū)動(dòng)條件密切地關(guān)系到他的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。門極電路的正偏壓uGS、負(fù)偏壓-uGS和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度
2012-06-11 17:24:30
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測(cè)試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
整個(gè)混合開關(guān)的頻率響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)樣品該實(shí)驗(yàn)基于溝槽場(chǎng)停止IGBT芯片的樣品，該芯片的額定阻斷電壓高達(dá)1200 V，標(biāo)稱電流高達(dá)200 A，厚度為125μm。通過質(zhì)子輻照改善了IGBT的頻率特性，相關(guān)技術(shù)在
2023-02-22 16:53:33
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
特性好、熱穩(wěn)定性好、功率增益大及噪聲小等優(yōu)點(diǎn)與雙極型大功率三極管的大電流、低導(dǎo)通電阻特性集于一體，是性能較高的高速、高壓半導(dǎo)體功率器件。IGBT識(shí)別常見的IGBT的名稱、功能、特性、電路符號(hào)、實(shí)物
2023-02-03 17:01:43
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關(guān)負(fù)載。開關(guān)頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會(huì)有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
障礙!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。其特性，輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。IGBT管IGBT中文名絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
定要滿足放電時(shí)間明顯小于主 電路開關(guān)周期的要求，可按R≤T/6C計(jì)算，T為主電路的開關(guān)周期。二極管V應(yīng)選用正向過渡電壓低、逆向恢復(fù)時(shí)間短的軟特性緩沖二極管。（3）適當(dāng)增大柵極電阻Rg。實(shí)踐證明，Rg增大
2011-10-28 15:21:54
的專用數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）來即時(shí)調(diào)整電源的輸出電壓。電壓轉(zhuǎn)換器的輸出電壓通常通過電阻分壓器設(shè)置。這對(duì)于固定電壓非常有效。但是，如果要改變輸出電壓，則必須調(diào)整分壓器的電阻值之一。這可以通過電位計(jì)動(dòng)態(tài)完成。圖
2022-03-14 16:06:51
、硬件設(shè)計(jì)我們使用三極管作為加熱元件，通過NTC來控制通過三極管的電流，以起到控制溫度的作用，至于溫度控制到多少，可以通過調(diào)節(jié)電位器來控制。同時(shí)使用另一個(gè)NTC來測(cè)量當(dāng)前的溫度。電路圖如下：...
2022-01-14 07:07:41
什么是輸出比較寄存器呢？怎樣通過輸出比較寄存器來調(diào)整pwm輸出的占空比呢？
2021-11-16 08:28:58
運(yùn)算器的工作原理是什么？怎樣去通過門電路去實(shí)現(xiàn)一種運(yùn)算器設(shè)計(jì)呢？
2021-10-20 07:14:31
怎樣用單片機(jī)IO口來控制三極管的開關(guān)特性使共陽極的LED點(diǎn)亮
2023-10-15 06:02:40
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大家好，我有個(gè)問題一直不明白，就是學(xué)習(xí)放大電路分析方法的時(shí)候，對(duì)于三極管的輸入回路等效成一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻rbe，一直很迷惑這個(gè)
2012-08-26 15:14:51
三極管工作在飽和區(qū)和截止區(qū)的特性。既然是開關(guān)，無非就兩種狀態(tài)——斷開和閉合，分別對(duì)應(yīng)于三極管的兩個(gè)工作區(qū)截止區(qū)和飽和區(qū)。見上圖，處于截止區(qū)時(shí)，由于沒有電流流過，相當(dāng)于開關(guān)斷開；而處于飽和區(qū)時(shí)，有電流通過
2019-08-06 13:53:15
各位大神們，小弟想問一下，在康華光的模擬電子技術(shù)中在講到三極管的交流動(dòng)態(tài)電阻時(shí)特別指出那個(gè)公式只適用于射極靜態(tài)電流需小于5mA，然而因?yàn)楝F(xiàn)在工作的需要，算出的射極靜態(tài)電流為5.049mA，請(qǐng)問這樣還能用交流動(dòng)態(tài)電阻的那個(gè)式子嗎，會(huì)有多大的偏差？
2016-07-26 11:35:15
柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
誤導(dǎo)通，使IGBT損壞。應(yīng)根據(jù)IGBT的電流容量和電壓額定值以及開關(guān)頻率來選取Rg的數(shù)值。通常在幾歐至幾十歐之間(在具體應(yīng)用中，還應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況予以適當(dāng)調(diào)整)。另外為防止門極開路或門極損壞時(shí)主電路加電
2016-11-28 23:45:03
誤導(dǎo)通，使IGBT損壞。應(yīng)根據(jù)IGBT的電流容量和電壓額定值以及開關(guān)頻率來選取Rg的數(shù)值。通常在幾歐至幾十歐之間(在具體應(yīng)用中，還應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況予以適當(dāng)調(diào)整)。另外為防止門極開路或門極損壞時(shí)主電路加電
2016-10-15 22:47:06
16A，電壓600V，我的直流側(cè)電壓只有48V，檢測(cè)的電流也只有2A左右，但是斷電后IGBT都很燙。 是不是在關(guān)斷的瞬間的尖峰電壓擊穿了GE，有什么措施呢？我門極只加了個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻50歐，還要不要加什么電路呢？（開關(guān)頻率10K， 死區(qū)2us）
2017-07-17 21:19:30
？我們?cè)賮砜聪?b class="flag-6" style="color: red">IGBT關(guān)斷電阻與關(guān)斷損耗的關(guān)系，通過圖2可以看出IGBT的關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷損耗的影響甚微。圖2. IGBT關(guān)斷損耗與門極電阻關(guān)系從以上兩張圖片可知，通過門極電阻影響IGBT關(guān)斷特性似乎并不
2023-02-13 16:11:34
2 ～ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在?！ ?.動(dòng)態(tài)特性 IGBT 在開通過程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由
2012-03-23 11:13:52
提高了50V，達(dá)到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對(duì)于600V IGBT3的改進(jìn)：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動(dòng)態(tài)特性
2018-12-07 10:16:11
本文在分析IGBT的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性和過流狀態(tài)下的電氣特性的基礎(chǔ)上，通過對(duì)常規(guī)的IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行改進(jìn)，得到了具有良好過流保護(hù)特性的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。該電路簡單，可靠，易用
2009-10-15 11:12:39
77 穩(wěn)壓管的伏安特性和動(dòng)態(tài)電阻
穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管，它是利用PN結(jié)的擊穿區(qū)具有穩(wěn)定電壓的特性來工作的。穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓設(shè)
2009-11-06 16:54:37
6548 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582159 
選擇導(dǎo)通阻抗非常低的mosFET作為開關(guān)器件，構(gòu)成IGBT柵極功率輸出電路，如圖4，同時(shí)，采用多個(gè)柵極電阻切換的方式，實(shí)現(xiàn)不同條件下對(duì)IGBT性能的調(diào)整。在IGBT正常開關(guān)時(shí)，可以通過調(diào)整柵極電阻
2017-05-17 09:58:213775 
特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測(cè)試原理，設(shè)計(jì)并搭建壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測(cè)試平臺(tái)。采用Ansoft Q3D軟件對(duì)測(cè)試平臺(tái)的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:013 動(dòng)態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高，動(dòng)態(tài)均流問題對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的影響就越大。
2020-05-02 17:21:0010468 
IGBT器件T1通過雙脈沖信號(hào)兩次開通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導(dǎo)通過電阻RGon來調(diào)節(jié)的，VCC是直流母線電壓。
2020-05-02 17:51:003613 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0024 IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:315907 電壓轉(zhuǎn)換器的輸出電壓通常通過電阻分壓器設(shè)置。這對(duì)于固定電壓非常有效。但是，如果要改變輸出電壓，則必須調(diào)整分壓器的電阻值之一。這可以通過電位計(jì)動(dòng)態(tài)完成。圖1所示為一種如此簡單的電路，其開關(guān)穩(wěn)壓器IC采用降壓或降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
2022-12-14 15:45:072106 
關(guān)于IGBT、MOSFET、BJT的開關(guān)工作特性的基本思想 最近一直在弄實(shí)驗(yàn)室一個(gè)金屬離子源的控制板，其中有一個(gè)模塊需要完成一個(gè)恒流源的可控輸出，其負(fù)載是金屬離子源的遠(yuǎn)控電流輸入口，考慮到金屬離子源
2023-02-23 09:55:292 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
重要意義。為了全面獲得電-熱-力綜合影響下壓接型 IGBT 芯片的動(dòng)態(tài)特性，該文結(jié)合雙脈沖測(cè)試
電路原理，研制出具備電-熱-力靈活調(diào)節(jié)的壓接型 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。通過對(duì)動(dòng)態(tài)特性
實(shí)驗(yàn)平臺(tái)關(guān)鍵問題進(jìn)行有限元仿真計(jì)算，實(shí)現(xiàn)平臺(tái)回路寄生電感、IGBT 芯片表面壓力分布
2023-08-08 09:58:280 IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測(cè)試也變的尤為重要，其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT模塊測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容，IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
和性能，動(dòng)態(tài)測(cè)試是必不可少的。下面將詳細(xì)介紹IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試的參數(shù)。 1. 開通特性測(cè)試（Turn-on Characteristics Test）： 開通特性測(cè)試是通過控制IGBT的輸入信號(hào)，來檢測(cè)
2023-11-10 15:33:51885 速度、效率、損耗、應(yīng)用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理： 硬開關(guān)模式下，當(dāng)IGBT開關(guān)從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，由于電流和電壓較大，會(huì)產(chǎn)生大量的開關(guān)損耗。而在軟開關(guān)模式下，IGBT在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中能夠在合適的時(shí)機(jī)通過控制電壓和電流的波形，來減少開關(guān)損耗。 開關(guān)速度： 硬開關(guān)
2023-12-21 17:59:32658 IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領(lǐng)域中常用的晶體管器件。它由一個(gè)IGBT芯片和一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路組成，用于控制高電壓和高電流的開關(guān)操作。相比于MOSFET，IGBT具有更低
2024-01-04 14:30:50563 導(dǎo)通時(shí)，當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓，電流開始通過IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時(shí)，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）下降的速度。
2024-02-06 10:42:42268 
，以及普通功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高頻開關(guān)能力。IGBT因其獨(dú)特的特性在電力電子、變頻器、UPS（不間斷電源）等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 然而，由于IGBT技術(shù)本身的復(fù)雜性和高頻、高溫環(huán)境等外部因素的影響，IGBT導(dǎo)通過程中容易出現(xiàn)過流和短路故障，給
2024-02-18 11:14:37247 
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