IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率電子器件，廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT選型是指根據(jù)特定應(yīng)用需求選擇合適的IGBT
2024-03-12 15:31:12
254 的使用方法： 準(zhǔn)備工作: 在開始使用
導(dǎo)熱系數(shù)測試儀之前，我們需要做一些準(zhǔn)備工作。首先，清潔測試儀的傳熱面，確保其表面沒有雜質(zhì)或臟物。其次，將待測試
材料準(zhǔn)備好，根據(jù)儀器
要求制備成適當(dāng)?shù)某叽绾托螤?。最后，接通電源并?/div>
2024-01-25 10:42:21299 IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下，而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)（如-40℃~+65℃）。溫度和散熱對于系統(tǒng)的可靠和有效運(yùn)行非常重要。如果實(shí)際要求IGBT
2024-01-19 16:25:091033 
、絕緣基板、驅(qū)動(dòng)電路和封裝材料等組成。 選擇適合的IGBT模塊需要考慮多個(gè)因素，包括額定電壓、額定電流、最大耗散功率、開
2024-01-18 17:31:231080 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器中的半導(dǎo)體器件，用于控制和調(diào)節(jié)電流。在維修或更換IGBT模塊時(shí)，需要拆卸舊的模塊并安裝新的模塊。以下是拆卸IGBT模塊的步驟： 斷開電源
2024-01-10 17:54:57266 
模塊等，結(jié)合實(shí)際工作中經(jīng)常和功率半導(dǎo)體廠家、業(yè)界的諸多逆變器硬件工程師交流，對單管和模塊進(jìn)行簡單的總結(jié)，希望對大家的IGBT設(shè)計(jì)選型和逆變器選型有所幫助。 IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor），其生產(chǎn)工藝主要包括晶體管
2024-01-09 09:04:35258 IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時(shí)間長的特點(diǎn)，汽車級模塊的使用時(shí)間可達(dá)15年。因此在封裝過程中，模塊對產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設(shè)計(jì)需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度。
2023-12-29 09:45:05596 
碳/金屬復(fù)合材料是極具發(fā)展?jié)摿Φ母?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)熱熱沉材料，更高性能的突破并發(fā)展近終成型是適應(yīng)未來高技術(shù)領(lǐng)域中大功率散熱需求的必由之路。本文分別從碳/金屬復(fù)合材料的傳熱理論計(jì)算、影響熱導(dǎo)性能的關(guān)鍵因素及近終成型
2023-12-21 08:09:54311 
/(m·K)]遠(yuǎn)高于面外[30W/(m·K)]，因此，在制備氮化硼高分子導(dǎo)熱復(fù)合材料時(shí)，需要對氮化硼填料進(jìn)行校準(zhǔn)，最大限度地減小傳熱方向上的熱阻，從而獲得更高的導(dǎo)熱系數(shù)。3D打印技術(shù)可以有效實(shí)現(xiàn)氮化硼填料的有序?qū)R
2023-12-19 16:45:24245 大家好：我在調(diào)試adtt7320號(hào)這個(gè)芯片。使用兩款單片機(jī)模擬SPI協(xié)議與adtt7320通信，現(xiàn)在遇到了兩個(gè)問題：一、標(biāo)準(zhǔn)32與adtt7320號(hào)都用3.3v供電時(shí)，系統(tǒng)可以正常通信。若標(biāo)準(zhǔn)
2023-12-19 06:34:11
IGBT和模塊的標(biāo)準(zhǔn)體系解讀
2023-12-14 11:38:45443 
IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。
2023-12-08 14:14:31913 英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，專注于電力管理、汽車和電動(dòng)汽車解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域，英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469 IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:35709 
市場供求變化或采購價(jià)格異常波動(dòng)，將對公司經(jīng)營業(yè)績帶來較大影響。目前，主要原材料中IGBT和芯片主要采用國外品牌，雖然國內(nèi)已有部分企業(yè)研發(fā)并生產(chǎn)IGBT功率模塊與芯片，且近年來技術(shù)進(jìn)步較大，但市場上用戶
2023-11-27 10:18:22
電源適配器散熱設(shè)計(jì)需要用到哪些導(dǎo)熱界面材料呢？ 電源適配器散熱設(shè)計(jì)是為了確保設(shè)備能夠正常運(yùn)行并保持穩(wěn)定的溫度，在散熱設(shè)計(jì)中導(dǎo)熱界面材料扮演著重要的角色。導(dǎo)熱界面材料能夠有效地提高熱量的傳導(dǎo)效率
2023-11-24 14:07:03323 導(dǎo)熱硅脂在電源適配器中的應(yīng)用有哪些？ 導(dǎo)熱硅脂在電源適配器中的應(yīng)用 1. 引言 電源適配器是將交流電轉(zhuǎn)化為直流電并提供給設(shè)備使用的裝置。在電源適配器的設(shè)計(jì)中，導(dǎo)熱硅脂是一種常見的導(dǎo)熱材料，它具有
2023-11-23 15:34:22332 英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:36527 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同，如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07718 驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。從零了解汽車電控IGBT模塊電驅(qū)系統(tǒng)和IGBT
2023-11-20 16:44:431156 
服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài)，其材料和結(jié)構(gòu)會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個(gè)壽命周期內(nèi)，會(huì)經(jīng)歷數(shù)萬至數(shù)百萬次的溫度循環(huán)沖擊，這期間熱應(yīng)力的反復(fù)作用會(huì)使材料發(fā)生疲勞，造成模塊封裝結(jié)構(gòu)的逐漸退化。
2023-11-19 10:03:53293 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求設(shè)計(jì)過流保護(hù).doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:15:19
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 10:22:462 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT模塊損壞時(shí) 如何測量好壞.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 09:47:280 您好，我想詢問一下AD620與AD627兩款產(chǎn)品各自適合的信號(hào)輸入的頻率范圍。
2023-11-14 06:08:47
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281268 , 新推出的兩款超級電容同樣具有卓越的性能、可靠性和多功能性，而且能夠滿足更高電壓應(yīng)用要求，徹底改變能源供應(yīng)和儲(chǔ)能。
Abracon的超級電容器利用行業(yè)最新的雙層技術(shù)實(shí)現(xiàn)高能量和高功率密度。通過這兩種特性
2023-11-06 14:18:58
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451106 能。?功率半導(dǎo)體芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，傳統(tǒng)Si基和新興的第三代半導(dǎo)體SiC等，它們的特性受制于其本身的設(shè)計(jì)，同時(shí)也需要看于其搭配的封裝材料和
2023-10-24 09:45:033033 各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào)，而且
2023-10-19 17:01:221313 在IGBT模塊的使用過程中，關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓，特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對于模塊電壓尖峰要求更高
2023-10-10 10:15:16588 
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
逆變器IGBT模塊的應(yīng)用分析(1)根據(jù)負(fù)載的工作電壓和額定電流，以及使用頻率，選擇合適規(guī)格的模塊。使用模塊前，請?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表，了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊的技術(shù)參數(shù)確定使用方案，計(jì)算
2023-09-20 17:49:521052 
選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù)，因?yàn)檎_的IGBT選擇對于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:56921 
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足
2023-09-12 16:53:531804 
的安全運(yùn)行至關(guān)重要。隨著軌道交通高速、重載技術(shù)的發(fā)展和電力電子裝置綠色、智能要求的不斷提高，對大功率IGBT 模塊的性能與可靠性提出了越來越高的要求，需要更高的功率密度、更高的工作溫度、更高的運(yùn)行可靠性來滿足新一代牽引動(dòng)力的應(yīng)用需求。
2023-09-07 09:09:491058 
熱性能一直是PCB設(shè)計(jì)和制造工程師最關(guān)心的問題，而具有高導(dǎo)熱率的PCB基板材料在改善PCB的熱性能方面起著重要作用。
2023-08-27 11:28:54389 
IGBT功率模塊的穩(wěn)定工作，需要有可靠的散熱設(shè)計(jì)與通暢的散熱通道，快速有效地減少模塊內(nèi)部熱量，以滿足模塊可靠性指標(biāo)的要求。
2023-08-23 09:33:23906 
? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開通關(guān)斷時(shí)的電壓電流波形如圖1所示，Lσ代表整個(gè)換流回路（條紋區(qū)域內(nèi)）所有的雜散電感之和（電容器，母排，IGBT模塊
2023-08-18 09:08:182224 
在大多數(shù)情況下，IGBT模塊的引腳通常會(huì)以標(biāo)號(hào)或文字標(biāo)識(shí)進(jìn)行標(biāo)記。以下是常見的IGBT模塊引腳標(biāo)記：
1. 柵極（Gate）：通常標(biāo)記為G，也可能是“G”或“GATE”。
2. 發(fā)射極
2023-08-09 14:52:5010668 
IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17916 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543287 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
而形成的器件。它具有低開關(guān)損耗、高輸入阻抗、低噪聲和高速開關(guān)等優(yōu)點(diǎn)，因此在各個(gè)領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用，如電力、軌道交通、電動(dòng)汽車等。本文將詳細(xì)介紹IGBT如何選型以及選型時(shí)要考慮的參數(shù)。
2023-07-20 16:39:514479 IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；
2023-07-14 08:55:101659 IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:303812 
氮化鋁陶瓷（AlN）因其優(yōu)越的熱、電性能，已成為電力電子器件如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的理想基板材料。本文對其應(yīng)用于IGBT模塊的研究進(jìn)行深入探討。
2023-07-01 11:08:40580 
導(dǎo)熱系數(shù)測試儀是一種用于測量材料導(dǎo)熱性能的儀器，通過測試材料的導(dǎo)熱系數(shù)，可以評估其在能源、建筑、電子、航空航天等領(lǐng)域中的性能表現(xiàn)。本文將詳細(xì)介紹導(dǎo)熱系數(shù)測試儀的基本原理、種類、使用方法和注意事項(xiàng)
2023-06-30 14:00:55401 
關(guān)鍵詞：六方氮化硼納米片，二維材料，TIM熱界面材料，低介電，新能源材料摘要：隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展,高性能導(dǎo)熱材料引起了人們的廣泛關(guān)注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導(dǎo)熱復(fù)合材料的重要
2023-06-30 10:03:001782 了其應(yīng)用范圍。在聚合物基體中引入導(dǎo)熱填料制備填充型導(dǎo)熱材料是提高復(fù)合材料整體導(dǎo)熱性能的有效方法，本文首先總結(jié)了填充型導(dǎo)熱材料的導(dǎo)熱機(jī)理，其次論述了填料的種類及改性方法，最后對未來的發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。
2023-06-29 10:14:46599 
來源?|? Polymer 01 背景介紹 ? 隨著集成電路芯片和電子設(shè)備小型化的快速發(fā)展，為防止芯片的熱失控，對熱管理材料提出了更嚴(yán)格的要求。此外，電子封裝材料經(jīng)常會(huì)遇到應(yīng)力破壞和漏電等嚴(yán)重問題
2023-06-27 10:42:46335 
摘要: 針對電子和通訊設(shè)備小型化、高度集成化帶來的散熱和電磁兼容困難問題，本文研究分析了導(dǎo)熱吸波材料的發(fā)展現(xiàn)狀，從單一的導(dǎo)熱功能材料和吸波功能材料的設(shè)計(jì)制備出發(fā)，歸納了導(dǎo)熱機(jī)理與吸波機(jī)理以及影響導(dǎo)熱
2023-06-26 11:03:02474 
導(dǎo)熱硅脂是一種理想的導(dǎo)熱材料，可以有效地解決電子設(shè)備因溫度過高而出現(xiàn)的問題。該材料具有高導(dǎo)熱性能、穩(wěn)定性、耐高低溫性能等優(yōu)點(diǎn)，為電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供了有力支持。
2023-06-21 16:50:04318 芯控源IGBT模塊
2023-06-21 10:17:24320 
采購電源灌熱膠是電子設(shè)備制造過程中至關(guān)重要的一步?？紤]到導(dǎo)熱性能、機(jī)械強(qiáng)度、耐溫性、封密性、阻燃性、適用性、成本效益、技術(shù)支持以及產(chǎn)品比較和測試等因素，可以選擇到符合要求的高質(zhì)量導(dǎo)熱膠，確保電源模塊的可靠性和性能。
2023-06-20 17:21:52297 
摘要：隨著電子設(shè)備功率密度的提高，電子器件的電磁兼容和散熱問題日趨嚴(yán)重，兼具雙功能特性的導(dǎo)熱吸波材料成為解決該問題的新趨勢。目前，該類材料主要的研發(fā)思路是在高分子基體中同時(shí)加入導(dǎo)熱填料和吸波劑以實(shí)現(xiàn)
2023-06-17 09:46:35870 
導(dǎo)熱系數(shù)的測定方法現(xiàn)已發(fā)展了多種，常用的包括：穩(wěn)態(tài)熱流法，激光閃射法，平面熱源發(fā)（Hotdisk）。它們有不同的適用領(lǐng)域、測量范圍、精度、準(zhǔn)確度和試樣尺寸要求等，不同方法對同一樣品的測量結(jié)果可能會(huì)有較大的差別，因此選擇合適的測試方法是首要的。
2023-06-14 15:50:476782 
用NUC131LD2AE 的PWM0 和PWM1直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)四線步進(jìn)電機(jī)，用M0516的程序改了改總是不行，這兩款芯片的PWM區(qū)別很大嗎？請教大神有NUC131驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)的代碼嗎，
2023-06-13 07:30:17
三臺(tái)消防水泵二用一備星三角啟?？刂齐娐?，設(shè)計(jì)是否能滿足常用的消防控制要求？
2023-06-07 14:12:07
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29583 
通常把導(dǎo)熱系數(shù)較低的材料稱為保溫材料(我國國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，凡平均溫度不高于350℃時(shí)導(dǎo)熱系數(shù)不大于0.12W/(m·K)的材料稱為保溫材料），而把導(dǎo)熱系數(shù)在0.05瓦/米攝氏度以下的材料稱為高效保溫材料。
2023-06-01 15:36:356342 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
單元，IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522948 
igbt模塊的作用是什么 IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極，陽極，和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時(shí)候存在很小的電阻
2023-05-17 15:09:125478 導(dǎo)熱灌封膠在BMS模塊中扮演的作用是非常重要的。
它能夠穩(wěn)定可靠地固定BMS模塊內(nèi)部、導(dǎo)熱灌封膠能夠?qū)崃坑行У厣l(fā)出去，保持電池的穩(wěn)定性。
2023-05-16 16:26:11655 
隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴(yán)苛，使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量，由于模塊內(nèi)的熱量無法及時(shí)得到釋放，從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25512 
導(dǎo)熱吸波材料是一種具有導(dǎo)熱和吸波性能的復(fù)合材料，常用于電子設(shè)備中的散熱和電磁波屏蔽，可以使設(shè)備具備較好的散熱和抗干擾性能，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、通訊設(shè)備、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備、航空航天等領(lǐng)域。 硅橡膠
2023-05-16 10:41:50285 
英飛凌 IGBT 模塊的說明
模組有那些總類與型式?
為什么需要模組?
什么時(shí)候需要用到模組?
我該選用模組或是單管?
我的應(yīng)用空間是否足夠?
模組有那些總類與型式?
……
以上，都是工程師在面對
2023-05-16 09:15:47668 
導(dǎo)熱粉體作為導(dǎo)熱界面材料的填充料，用于保證新能源汽車的核心部件電池組、電控系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)電機(jī)及充電樁的安全性能與使用壽命。伴隨著新能源車銷量的增長和電池結(jié)構(gòu)的升級，導(dǎo)熱界面材料有望迎來10年10
2023-05-12 14:54:30437 
導(dǎo)熱界面材料，又稱為熱界面材料或者界面導(dǎo)熱材料，是一種普遍用于IC封裝和電子散熱材料。主要用于填補(bǔ)兩種材料接合或接觸時(shí)產(chǎn)生的微間隙以及表面
2023-05-12 09:50:03
E-PAD170兩面的相變材料融合了導(dǎo)熱墊片和導(dǎo)熱膏的雙重優(yōu)點(diǎn)，在達(dá)到相變溫度之前，具有和導(dǎo)熱墊片類似的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的彈性和塑性，但當(dāng)電子器件工作溫度升高到熔點(diǎn)以上時(shí)，就會(huì)發(fā)生相變成為液態(tài)，從而
2023-05-11 10:05:24
導(dǎo)熱界面材料，又稱為熱界面材料或者界面導(dǎo)熱材料，是一種普遍用于IC封裝和電子散熱材料。主要用于填補(bǔ)兩種材料接合或接觸時(shí)產(chǎn)生的微間隙以及表面
2023-05-10 10:56:18
目前在新能源行業(yè)，特別是新能源汽車，以及光伏逆變器中大量使用MOS管，IGBT等大功率元器件，這些器件的散熱設(shè)計(jì)中都用到了高絕緣，高導(dǎo)熱的陶瓷基板。陶瓷基板因?yàn)橛捕雀?，所以與功率元器件和散熱器之間
2023-05-07 13:22:141042 
導(dǎo)熱填料顧名思義就是添加在基體材料中用來增加材料導(dǎo)熱系數(shù)的填料，常用的導(dǎo)熱填料有氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氮化鋁、氮化硼、碳化硅等；其中，尤以微米級氧化鋁、硅微粉為主體，納米氧化鋁，氮化物做為高導(dǎo)熱
2023-05-05 14:04:03984 
由下圖我們可以看到，外殼選材上，工業(yè)用IGBT模塊外殼一般采用通用型PBT材料，EV用IGBT模塊外殼采用增強(qiáng)型PBT材料，軌道交通用IGBT模塊外殼采用更耐溫綜合性能更好的PPS材料。工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊用的硅膠分別采用普通型凝膠、改進(jìn)型凝膠以及高溫型凝膠。
2023-05-04 11:04:161274 
加速度傳感器為滿足使用中的工況環(huán)境和量程、精度等需求，要做正確的選型，我們來了解一下加速度傳感器有哪些技術(shù)要求。
2023-04-27 10:29:431373 使用導(dǎo)熱材料來輔助降溫是現(xiàn)如今大多數(shù)電子設(shè)備所采用的形式，而對于變頻器的散熱需求，導(dǎo)熱硅脂就是很好的選擇
2023-04-26 17:43:411112 
杜科新材料 隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和生活水平的提高，人們對電子產(chǎn)品的質(zhì)量有了更高的要求，市場對導(dǎo)熱填充材料也有了更高的要求，芯片的散熱、導(dǎo)熱材料的填充都影響著產(chǎn)品的質(zhì)量與使用壽命 杜科導(dǎo)熱
2023-04-24 10:33:35839 
導(dǎo)熱硅脂是一種不同于其它膠粘劑的材料、它不會(huì)固化、不會(huì)流淌、無粘性、是一種導(dǎo)熱性、散熱性優(yōu)好的材料、出現(xiàn)固化多少導(dǎo)熱硅脂品質(zhì)較低導(dǎo)致、造成散熱效果造成負(fù)面影、影響導(dǎo)熱性能，對LED的工作壽命產(chǎn)生負(fù)面影響、無法充分發(fā)揮其較好的導(dǎo)熱效果。
2023-04-21 17:34:461223 
隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:28728 陶瓷覆基板是影響模塊長期使用的關(guān)鍵部分之一，IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的決定因素。
2023-04-17 09:54:48703 有機(jī)硅導(dǎo)熱膠是由有機(jī)硅聚合物、高導(dǎo)熱填料和催化劑等材料組合而成的，即能導(dǎo)熱也可粘接，因此能夠滿足有粘接和散熱需求的相關(guān)電子設(shè)備
2023-04-13 17:42:27638 IGBT由柵極（G）、發(fā)射（E）和集電極（C）三個(gè)極控制。 如圖1，IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。 反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷
2023-04-08 09:36:261455 隨著通信技術(shù)與電子科技等行業(yè)的迅猛發(fā)展,散熱問題在集成電子器件、發(fā)光二極管、能量轉(zhuǎn)換和存儲(chǔ)、航空航天和軍事等領(lǐng)域逐漸凸顯,高性能導(dǎo)熱材料的也越來越引起人們的關(guān)注。為了滿足更多領(lǐng)域的需求,材料在具備
2023-04-07 18:33:22565 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展以及絕緣柵雙極型晶體管（insulatedgatebipolartranslator，IGBT）模塊的普遍應(yīng)用，電力電子可靠性要求不斷提高，而過熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965 
導(dǎo)熱粉體填充材料氧化鋁粉具有較高的熱導(dǎo)率，可以有效降低加熱和冷卻過程中的溫度損失，提高系統(tǒng)的傳熱效率；導(dǎo)熱氧化鋁粉可以避免金屬表面的氧化腐蝕，提高材料的耐久性。同時(shí)，導(dǎo)熱氧化鋁粉具有較高的流動(dòng)性和穩(wěn)定性，東超新材料導(dǎo)熱粉填料可以滿足不同導(dǎo)熱膠應(yīng)用場合對材料流動(dòng)性和穩(wěn)定性的要求。
2023-03-23 17:08:531543 ，用于散熱?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊的應(yīng)用過程中，主要選型的設(shè)計(jì)關(guān)鍵參數(shù)包括輸入的母線電壓，以及輸出的電流，阻斷電壓，開關(guān)頻率、散熱系統(tǒng)的要求等關(guān)鍵參數(shù)。其次，其應(yīng)用的廣泛性、運(yùn)行的可靠性以及價(jià)格也是應(yīng)用過
2023-03-23 16:01:54
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