PN結(jié)是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成，這兩種半導(dǎo)體材料具有不同的摻雜濃度，形成一個(gè)正負(fù)載流的結(jié)構(gòu)。當(dāng)在PN結(jié)上施加正向電壓時(shí)，會(huì)引起空間電荷效應(yīng)，即在PN結(jié)區(qū)域形成帶電
2024-03-01 11:14:59
325 在各種傳感技術(shù)中，最常用和最廣泛的檢測(cè)磁場(chǎng)的方法是霍爾效應(yīng)法。基于霍爾效應(yīng)，在各種應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)了許多霍爾效應(yīng)傳感器或換能器，它們最常用于感測(cè)接近度、速度、電流和位置。 這是因?yàn)榭梢栽诩呻娐飞蠘?gòu)建霍爾
2024-02-25 15:13:08127 
?單向?qū)щ娦缘模嵌O管，不是
PN結(jié)！?
真正令
PN結(jié) 導(dǎo)不了電的，關(guān)非 過(guò)不去，而是? 離不開(kāi)及進(jìn)不來(lái)，
交叉對(duì)流無(wú)障礙，背道而馳不允許，所以，當(dāng)
PN結(jié)成了集電結(jié)，單向?qū)щ娦跃捅淮蚱屏恕?/div>
2024-02-25 08:57:14
將P型半導(dǎo)體連接到正電極，則耗盡層的幅度變窄,P型區(qū)域內(nèi)的空穴越過(guò)PN結(jié)移動(dòng)到N型區(qū)域,N型區(qū)域內(nèi)的電子則移動(dòng)到P型區(qū)域。
2024-02-06 10:58:55567 
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
在負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)沒(méi)有考慮到反饋支路的負(fù)載效應(yīng)，只是認(rèn)為反饋網(wǎng)絡(luò)是單向的，即沒(méi)有考慮到輸入經(jīng)反饋網(wǎng)絡(luò)到輸出的過(guò)程，如果考慮到反饋支路的負(fù)載效應(yīng)，就必須重新分析反饋環(huán)節(jié)的影響。
1、請(qǐng)問(wèn)如何判斷反饋支路
2024-01-26 09:58:01
為了使PN/PN耦合器的去分類(lèi)請(qǐng)求也能動(dòng)畫(huà)化，ACK_REQ信號(hào)必須連接到網(wǎng)絡(luò)的“基本功能”=“x”。
2024-01-25 10:26:07158 
熱電效應(yīng)是指當(dāng)兩個(gè)不同材料的接觸處存在溫度差時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)或電勢(shì)差，從而引起電荷的移動(dòng)和電流的產(chǎn)生。熱電效應(yīng)的研究對(duì)于熱電材料的開(kāi)發(fā)和熱電轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用有著重要的意義。 熱電效應(yīng)可以分為三種
2024-01-18 11:43:15646 電流熱效應(yīng)是指電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體會(huì)受到Joule熱的加熱現(xiàn)象。根據(jù)電阻的熱效應(yīng)，電器的功率會(huì)因?yàn)殡娏?b class="flag-6" style="color: red">熱效應(yīng)而變大。 首先，我們需要了解電流熱效應(yīng)的原理。當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體內(nèi)部的自由電子會(huì)受
2024-01-16 10:43:48208 利用電流熱效應(yīng)工作的電器是指那些根據(jù)電流通過(guò)導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量來(lái)實(shí)現(xiàn)其功能的電器。電流熱效應(yīng)是指當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，由于導(dǎo)體的電阻，電能會(huì)被轉(zhuǎn)化為熱能，導(dǎo)致導(dǎo)體溫度升高。這種熱能轉(zhuǎn)化的現(xiàn)象廣泛應(yīng)用于各種
2024-01-16 10:41:10224 微波爐的工作原理并非通過(guò)電流的熱效應(yīng)實(shí)現(xiàn)，而是利用了微波的特殊性質(zhì)以及分子的共振吸收來(lái)加熱食物的。 微波爐是一種利用高頻無(wú)線電波的設(shè)備，它的工作原理基于電磁輻射和分子的轉(zhuǎn)動(dòng)和共振吸收。微波爐主要
2024-01-12 17:51:34391 場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動(dòng)經(jīng)常聽(tīng)到米勒效應(yīng)這個(gè)詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個(gè)等效電容在場(chǎng)效應(yīng)管或者IGBT開(kāi)通的時(shí)候在某一階段會(huì)放大較多倍，進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
PN編碼器缺點(diǎn)：1、帶寬占用大：由于PN編碼器使用了正負(fù)極性和零態(tài)信號(hào)，對(duì)信號(hào)的頻帶要求較高，如果信號(hào)頻帶過(guò)窄，可能造成信號(hào)失真。因此在使用PN編碼器時(shí)需要考慮到其較大的帶寬占用問(wèn)題。2、硬件可靠成本略高：它的硬件實(shí)現(xiàn)比較復(fù)雜，需要較高的成本。
2024-01-10 10:41:58157 
【科普小貼士】什么是pn結(jié)？
2023-12-13 15:06:07684 
采用不同的摻雜工藝將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成了PN結(jié)， PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。
2023-12-06 16:44:391041 
ad8346汽車(chē)級(jí)最高工作環(huán)境溫度是125度，最高結(jié)溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
上一個(gè)輸錯(cuò)了型號(hào)，AD8436BRQZ 的datasheet里沒(méi)有最大結(jié)溫
2023-12-05 06:37:12
您好，看了關(guān)于測(cè)試碼部分的pn9和pn23偽隨機(jī)碼，想用pn9序列做對(duì)齊，但是不太明白如何計(jì)算輸出的pn碼，有沒(méi)有關(guān)于如何生成這個(gè)碼的具體算法呢？或者具體生成值的表格呢？謝謝！
2023-12-01 08:29:55
上期簡(jiǎn)單描述了下PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)和耗盡區(qū)的形成過(guò)程，為方便后續(xù)定量研究，還是要從能帶圖入手，先看下平衡PN結(jié)的能帶圖吧，通過(guò)能帶圖，可以獲得PN結(jié)的很多有用的信息。
2023-11-30 18:25:262612 
半導(dǎo)體器件有四種基本結(jié)構(gòu)，而PN結(jié)無(wú)疑是最常見(jiàn)，也是最重要的結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 18:22:43975 
IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個(gè)pn結(jié)，在正向?qū)〞r(shí)，背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴，使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼?dǎo)調(diào)制效應(yīng)）。
2023-11-29 15:16:24381 
下面簡(jiǎn)要推導(dǎo)PN結(jié)導(dǎo)通狀態(tài)下的電荷濃度分布以及電流、電壓的關(guān)系。
2023-11-28 16:32:04477 
動(dòng)，其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò)，二極管截止。
2. MOSFET工作原理
MOS 場(chǎng)效應(yīng)管也被稱(chēng)為MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-11-28 15:53:49
在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中，PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 15:47:53408 
何謂PN結(jié)的擊穿特性？雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點(diǎn)？ PN結(jié)的擊穿特性是指當(dāng)在PN結(jié)上施加的電壓超過(guò)一定的值時(shí)，PN結(jié)將發(fā)生擊穿現(xiàn)象，電流迅速增大，導(dǎo)致結(jié)電壓快速降低。擊穿是指在正向或反向電壓
2023-11-24 14:20:271216 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《pn結(jié)工作原理.zip》資料免費(fèi)下載
2023-11-20 14:39:41
3 場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，它可以用來(lái)放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場(chǎng)效應(yīng)管可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。其中，JFET是由一個(gè)pn結(jié)構(gòu)組成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521230 
ICS83PN625I 數(shù)據(jù)表
2023-11-03 18:30:170 呈正相關(guān)性。 首先，二極管的電容效應(yīng)包括勢(shì)壘電容CB和擴(kuò)散電容CD兩個(gè)部分。 勢(shì)壘電容CB（Cr） 在 PN 結(jié)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，PN結(jié)空間內(nèi)缺少導(dǎo)電的載流子，其電導(dǎo)率很低，因此相當(dāng)于介質(zhì)。 而PN結(jié)兩側(cè)的P區(qū)和N區(qū)，P區(qū)空穴多，N區(qū)電子多，因?yàn)閿U(kuò)散，會(huì)在中間形成
2023-11-01 17:12:04509 
，產(chǎn)生擊穿，把這種在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，使勢(shì)壘區(qū)中原子直接激發(fā)的擊穿現(xiàn)象稱(chēng)為齊納擊穿。齊納擊穿一般發(fā)生在摻雜濃度較高的PN結(jié)中。這是因?yàn)閾诫s濃度較高的PN結(jié)，空間電荷區(qū)的電荷密度很大，寬度較窄，只要加不大
2023-10-20 10:10:21
，產(chǎn)生擊穿，把這種在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，使勢(shì)壘區(qū)中原子直接激發(fā)的擊穿現(xiàn)象稱(chēng)為齊納擊穿。齊納擊穿一般發(fā)生在摻雜濃度較高的PN結(jié)中。這是因?yàn)閾诫s濃度較高的PN結(jié)，空間電荷區(qū)的電荷密度很大，寬度較窄，只要加不大
2023-10-20 10:07:05
為什么加正向電壓PN結(jié)變薄,加反向會(huì)變厚呢？ PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本和最常用的一種器件，具有正向?qū)ê头聪蚪刂沟奶匦浴Ｈ绻麑?b class="flag-6" style="color: red">PN結(jié)的兩端施加正向電壓，電子從N型區(qū)流向P型區(qū)，空穴從P型區(qū)流向
2023-10-19 16:42:521803 pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容？ PN結(jié)是一種半導(dǎo)體器件，其中P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間由弱耗盡區(qū)隔離。這種器件有許多應(yīng)用，例如光電探測(cè)器、太陽(yáng)能電池、場(chǎng)效應(yīng)晶體管和整流器
2023-10-19 16:42:49507 ，使電子與空穴向反方向漂移。這兩種運(yùn)動(dòng)達(dá)到平衡時(shí)的結(jié)果就是形成一段沒(méi)有載流子的區(qū)域，稱(chēng)為空間電荷區(qū)，也叫耗盡層。這個(gè)空間電荷區(qū)叫做PN結(jié)。
2023-10-19 14:16:45540 
PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將變窄是因?yàn)椋?*PN結(jié)外加正向電壓，此時(shí)外電場(chǎng)將多數(shù)載流子推向空間電荷區(qū)，使其變窄，削弱了內(nèi)電場(chǎng)
2023-10-18 17:38:582411 
ICS83PN161I 數(shù)據(jù)表
2023-10-11 18:30:020 PN/PN 耦合器用于連接兩個(gè)不同 PROFINET 子網(wǎng)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)控制器不同子網(wǎng)間的可靠數(shù)據(jù)交換
2023-10-11 16:49:421769 
PN結(jié)的反向擊穿有哪幾種形式？? PN結(jié)（即正負(fù)電極結(jié)）是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)之一，它是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體直接接觸組成的簡(jiǎn)單晶體管結(jié)構(gòu)。PN結(jié)的一個(gè)重要特性是反向擊穿，它指的是當(dāng)PN結(jié)處于反向
2023-09-21 16:09:471700 Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列，可完美替代進(jìn)口工業(yè)級(jí)芯片5ARxx系列 。
2023-09-14 14:33:42709 
什么是PN結(jié)的導(dǎo)通電壓？? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最常見(jiàn)的元器件之一，它將p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的材料在一起，通過(guò)電場(chǎng)使它們連接在一起，并形成一個(gè)電子流的管道。在其中，導(dǎo)通電壓是PN結(jié)的一個(gè)重要參數(shù)
2023-09-13 15:09:292819 pn結(jié)是怎么形成的？有哪些基本特性 PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本的元器件之一，它的存在使得晶體管、二極管、光電池等半導(dǎo)體器件得以實(shí)現(xiàn)。PN結(jié)是由n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體通過(guò)特定工藝加工、熱擴(kuò)散或離子注入
2023-09-13 15:09:203674 簡(jiǎn)述pn結(jié)的三種擊穿機(jī)理? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)之一，它由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體材料組成。在正向偏壓下，PN結(jié)會(huì)工作在正常的導(dǎo)電狀態(tài)，而在反向偏壓下，PN結(jié)則會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這是PN
2023-09-13 15:09:182979 密切相關(guān)。在PN結(jié)外加正向偏壓的情況下，暗電流隨外加電壓增大而急劇增大，遠(yuǎn)大于光電流，因此加正偏壓無(wú)意義。在PN結(jié)外加反向偏壓的情況下，暗電流隨反向偏壓升高而增加。
這些噪聲源的成因可以歸結(jié)為物質(zhì)的光電效應(yīng)以及熱效應(yīng)等，具體取決于光電探測(cè)器的設(shè)計(jì)和工作環(huán)境。
2023-09-01 17:05:31
在上一節(jié)計(jì)算光學(xué)小講堂中，我們學(xué)習(xí)了光源掩模協(xié)同優(yōu)化（source mask co-optimization, SMO）的相關(guān)知識(shí)。這一節(jié)我們將主要探索光學(xué)鄰近效應(yīng)修正（Optical Proximity Correction，OPC）技術(shù)是如何用來(lái)提升光刻工藝窗口，為芯片生產(chǎn)保駕護(hù)航的。
2023-09-01 09:48:442297 
I2C1 使用 pin PN4 和 PN5 來(lái)通信失敗, 但作為 GPIO 成功使用 。
你需要檢查電路是否有強(qiáng)烈的阻力
2023-08-25 06:56:40
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PN7160卡仿真.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-17 14:32:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PN7160安卓移植指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-17 11:40:261 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流，MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣，沒(méi)有電流。
2023-08-17 09:19:34616 
ICS83PN148I 數(shù)據(jù)表
2023-07-14 11:40:380 ICS83PN128I 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 19:22:020 ICS83PN156I 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 20:39:050 ICS83PN187I 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 20:38:460 83PN15639 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 19:36:180 GT41FUA-PN，霍爾效應(yīng)傳感器，設(shè)計(jì)用于無(wú)刷直流電機(jī)應(yīng)用的電子換向。該裝置包括一個(gè)用于磁傳感的片上霍爾電壓發(fā)生器，一個(gè)放大霍爾電壓的比較器，以及一個(gè)用于提供噪聲抑制的開(kāi)關(guān)磁滯，開(kāi)放收集器輸出
2023-07-07 14:29:160 什么是PN編碼器？PN編碼器主要應(yīng)用與優(yōu)點(diǎn)：PN編碼器具有很多優(yōu)點(diǎn)。首先，它可以將原始信號(hào)進(jìn)行變換編碼，從而增加了發(fā)送信號(hào)的保密性。其次，它可以通過(guò)事先協(xié)定好的代碼進(jìn)行解碼，提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性
2023-07-05 13:55:521297 
半導(dǎo)體可以摻雜其他材料，變成p型或n型。pn結(jié)二極管可以是正向偏置或反向偏置。led是產(chǎn)生光子的正向偏壓二極管。太陽(yáng)能電池是吸收光子的pn結(jié)，給電子足夠的能量進(jìn)入導(dǎo)帶。
2023-06-30 09:51:361958 
供應(yīng)PN8160SEC-R1H，更多產(chǎn)品手冊(cè)、提供PN8160SEC-R1H 12V2A適配器方案，更多pn8160數(shù)據(jù)手冊(cè)應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 10:59:394 場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET），另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
CPU 1514SP T-2 PN和CPU 1514TP TF-2 PN，它們不僅具有擴(kuò)展的運(yùn)動(dòng)控制功能，而且，以SIMATIC S7-1500控制器的創(chuàng)新固件版本V3.0為基礎(chǔ)。
2023-06-07 15:48:06364 
PN7150作為卡模擬功能時(shí)，華為手機(jī)無(wú)法讀取卡模擬。使用小米/三星等手機(jī)模擬讀卡成功。對(duì)比兩個(gè)日志文件發(fā)現(xiàn)，華為手機(jī)讀取PN7150卡模擬時(shí)，識(shí)別的是NFC-DEP，而小米手機(jī)識(shí)別
2023-06-05 08:00:41
我正在嘗試使用 PN532 芯片模擬 NFC 卡 - 因此將 PN532 放在桌子上，使用 Android 或 iOS 設(shè)備，能夠從芯片讀取數(shù)據(jù)。這個(gè)想法是使用 PN532 的主動(dòng)功能使讀/寫(xiě)過(guò)程更容易/更快/防故障。
但是，我遇到了問(wèn)題。有什么我應(yīng)該效仿的例子嗎？
2023-06-01 08:42:59
二極管大家都很熟悉，前面也好幾次對(duì)其工作特性分析過(guò)，具有導(dǎo)電單向性，其主要性能參數(shù)有：反向峰值電壓，正向平均電流，正向耗散功率，pn結(jié)電容、溫度效應(yīng)，一般大家都比較關(guān)心靠前的那些參數(shù)指標(biāo)，卻很少過(guò)多
2023-05-30 09:16:562189 
我了解到NXP PN7160的部分固件存放在FLASH中，可以通過(guò)sFWU的方式進(jìn)行更新。
2023-05-30 07:30:06
關(guān)于二極管的原理來(lái)自于PN結(jié)，下圖為本征半導(dǎo)體。
2023-05-29 10:31:131124 
我設(shè)計(jì)了帶有 I2C 端口的 PN7160 和 PN7161 板。
我得到以下結(jié)果：
1.所有PN7160板都運(yùn)行良好。
2.所有PN7161板都不工作，啟動(dòng)失敗。
PN7160 和 PN
2023-05-29 07:02:23
PN7462 是否支持 Segger RTT？
2023-05-19 07:35:56
PN560是否支持felica？哪些NXP芯片支持felica？
多謝！
2023-05-09 06:17:58
當(dāng)我以共享模式運(yùn)行 libnfc-nci demoapp 時(shí)，閱讀器設(shè)備顯示 pn7150 的 uid 是“040302010400”，但是我如何為 PN7150 設(shè)置特定的 UID？
我可以參考什么文件？
2023-05-08 08:44:55
我正在使用 PN7462 開(kāi)發(fā)套件和 MCUXpresso IDE v11.4.1，在調(diào)試代碼時(shí)出現(xiàn)錯(cuò)誤，
圖片中提到的，你能告訴我為什么這個(gè)錯(cuò)誤也有根本原因和解決方案嗎，
2023-05-05 11:10:03
我看有些項(xiàng)目使用PN7150時(shí)使用的驅(qū)動(dòng)為pn544，文件列表如下
dx@ubuntu:~/nfc/pn544$ ls
2023-05-04 07:08:48
我正在尋找使用 PN7150 讀/寫(xiě) MIFARE Ultralight 頁(yè)面的命令序列。我正在努力閱讀 PN7150 用戶(hù)手冊(cè) - 我看到了 MIFARE Classic（帶身份驗(yàn)證）的序列圖，但沒(méi)有看到 MIFARE Ultralight。誰(shuí)能啟發(fā)我或指出一些示例代碼。
2023-05-04 07:04:12
我正在開(kāi)發(fā)一款 Android12 設(shè)備，它將使用 PN532 實(shí)現(xiàn) NFC 功能。我搜索了 PN532 產(chǎn)品介紹，但沒(méi)有找到 PN532 的 android12 移植指南。
我可以從你那里得到一些
2023-04-23 07:51:12
我想使用 PN7362 芯片實(shí)現(xiàn) NFC 功能。但是，如果安裝MCUXpresso IDE 搜索SDK，則沒(méi)有PN7362 的SDK。
我不知道如何在 MCUXpresso IDE 中使用我在恩智浦
2023-04-23 06:56:21
ICS83PN625I 數(shù)據(jù)表
2023-04-17 18:46:590 ICS83PN161I 數(shù)據(jù)表
2023-04-14 19:17:410 放大狀態(tài)下的三極管是兩個(gè)PN結(jié)都大于0.7V嗎？求解
2023-04-12 11:30:57
如何解決PCB制造中的HDI工藝內(nèi)層漲縮對(duì)位問(wèn)題呢？
2023-04-06 15:45:50
ICS83PN148I 數(shù)據(jù)表
2023-04-04 18:46:090 我們正在開(kāi)發(fā)一款帶有 PN5190 的閱讀器。 部分讀者在調(diào)用函數(shù)phhalHw_Pn5190_EnBootNormalMode時(shí)初始化PN5190失敗，返回錯(cuò)誤。通常當(dāng)PN5190正常工作時(shí)，初始
2023-04-03 08:55:36
ICS83PN128I 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:50:370 二極管具有電容效應(yīng)。它的電容包括勢(shì)壘電容CB和擴(kuò)散電容CD。
1．勢(shì)壘電容CB（Cr）
前面已經(jīng)講過(guò)，PN結(jié)內(nèi)缺少導(dǎo)電的載流子，其電導(dǎo)率很低，相當(dāng)于介質(zhì)；而PN結(jié)兩側(cè)的P區(qū)、N區(qū)的電導(dǎo)率高，相當(dāng)于金屬導(dǎo)體。從這一結(jié)構(gòu)來(lái)看，PN結(jié)等效于一個(gè)電容器。
2023-03-30 13:58:342860 
我有一個(gè)問(wèn)題。可以用libnfc-nci驅(qū)動(dòng)pn532嗎？如果可以驅(qū)動(dòng)，我們有任何說(shuō)明嗎？我期待著您的反饋。
2023-03-29 07:58:08
ICS83PN156I 數(shù)據(jù)表
2023-03-24 18:49:290 ICS83PN187I 數(shù)據(jù)表
2023-03-24 18:49:120 83PN15639 數(shù)據(jù)表
2023-03-23 19:44:410 CONNDSUBPLUG17POSSTRSLDCUP
2023-03-23 02:16:21
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