電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>工業(yè)計(jì)算內(nèi)存模塊專用MRAM存儲(chǔ)器的介紹

工業(yè)計(jì)算內(nèi)存模塊專用MRAM存儲(chǔ)器的介紹

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

A4C32QE8BVWEMW

存儲(chǔ)器 - 模塊
2024-03-14 20:43:25

A4D32QB8BVWEMW

存儲(chǔ)器 - 模塊
2024-03-14 20:43:25

A4F16QD8BVWEMW

存儲(chǔ)器 - 模塊
2024-03-14 20:43:25

A4F32QG8BVWEMW

存儲(chǔ)器 - 模塊
2024-03-14 20:43:25

A4G16QA8BVWEMW

存儲(chǔ)器 - 模塊
2024-03-14 20:43:25

A4G32QE8BVWEMW

存儲(chǔ)器 - 模塊
2024-03-14 20:43:25

A4C16QD8BVWEMW

存儲(chǔ)器 - 模塊
2024-03-14 20:43:24

A4D16QA8BVWEMW

存儲(chǔ)器 - 模塊
2024-03-14 20:43:24

SFUI008GJ1AE1TO-I-5S-2AP-STD

存儲(chǔ)器 - 模塊 8GB 模塊
2024-03-14 20:36:47

RISC-V 基礎(chǔ)學(xué)習(xí):RISC-V 基礎(chǔ)介紹

同一個(gè)存儲(chǔ)器的不同物理位置,因此程序指令和數(shù)據(jù)的寬度相同,如英特爾公司的8086中央處理的程序指令和數(shù)據(jù)都是16位寬。 數(shù)學(xué)家馮·諾依曼提出了計(jì)算機(jī)制造的三個(gè)基本原則,即采用二進(jìn)制邏輯、程序存儲(chǔ)執(zhí)行
2024-03-12 10:25:21

淺析RAM存儲(chǔ)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

計(jì)算機(jī)中,CPU需要定期地從 RAM 存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序的不斷發(fā)展,RAM 存儲(chǔ)器的容量和速度不斷提高,以適應(yīng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的需要。
2024-03-04 17:30:07513

DRAM存儲(chǔ)器為什么要刷新

DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷,而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264

rom是什么存儲(chǔ)器內(nèi)存還是外存

ROM(Read-Only Memory)是一種只讀存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序和數(shù)據(jù),它在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著非常重要的角色。ROM的存儲(chǔ)內(nèi)容在制造時(shí)就被寫入,并且在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中不能被改變。ROM
2024-02-05 10:05:10738

如何使用SCR XRAM作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器?

1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn) 如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器 2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
2024-01-30 08:18:12

臺(tái)積電開(kāi)發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片,功耗極低

臺(tái)積電近日宣布,與工研院合作開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(SOT-MRAM)陣列芯片,該芯片具有極低的功耗,僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346

臺(tái)積電開(kāi)發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片

據(jù)報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(SOT-MRAM)陣列芯片,并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu),使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646

只讀存儲(chǔ)器的特點(diǎn) 只讀存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)不會(huì)丟失

只讀存儲(chǔ)器(ROM)是一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備,用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)和指令,其特點(diǎn)如下: 數(shù)據(jù)固定性:只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是在出廠時(shí)被編程固化的,用戶無(wú)法進(jìn)行修改。這意味著ROM中的信息是靜態(tài)的、不可
2024-01-17 14:17:39290

系統(tǒng)內(nèi)存和運(yùn)行內(nèi)存的區(qū)別

系統(tǒng)內(nèi)存和運(yùn)行內(nèi)存都是計(jì)算機(jī)中重要的概念,它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)和運(yùn)行方面起著不可或缺的作用。雖然它們與計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)和運(yùn)行息息相關(guān),但是它們具有不同的功能和實(shí)現(xiàn)方式。接下來(lái)我將詳細(xì)介紹系統(tǒng)內(nèi)存和運(yùn)行內(nèi)存
2024-01-15 16:32:25461

請(qǐng)問(wèn)ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器DMA傳輸?

ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器DMA傳輸?
2024-01-15 07:43:09

ram是什么存儲(chǔ)器斷電后會(huì)丟失嗎

隨著人們對(duì)計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng),存儲(chǔ)器的種類也越來(lái)越多。其中,RAM(Random Access Memory,隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲(chǔ)器。RAM可以分為兩種類型,一種
2024-01-12 17:27:15513

MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和FRAM(鐵電RAM)有何區(qū)別

MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03208

什么是內(nèi)存?內(nèi)存的工作原理 關(guān)于NOR和NAND的介紹和區(qū)別

什么是內(nèi)存呢?在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中,有一個(gè)很重要的部分,就是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件,對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō),有了存儲(chǔ)器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多,按其用途可分為主存儲(chǔ)器
2023-12-07 11:02:27622

隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)的區(qū)別

在數(shù)字電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù),以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中,有兩種主要的類型:隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器,但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器介紹與分類

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731

單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間?

單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38

單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間,其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少?

單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間,其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少?
2023-11-01 06:20:34

AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器?

大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了????AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明,各位高手有誰(shuí)知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25

設(shè)定啟動(dòng)存儲(chǔ)器為主存擴(kuò)展(AP模式)介紹

設(shè)定啟動(dòng)存儲(chǔ)器為主存擴(kuò)展(AP模式)主要闡述有AP mode功能的MCU設(shè)定啟動(dòng)程序存儲(chǔ)區(qū)為主存擴(kuò)展的方法及范例程序。
2023-10-24 07:49:44

介紹幾款常見(jiàn)的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用

存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今,已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見(jiàn)的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521

求助,內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量?

內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量?
2023-10-17 07:14:45

存儲(chǔ)器測(cè)試怎么才能穩(wěn)定 ?

存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11

數(shù)字射頻存儲(chǔ)器模塊電路設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《數(shù)字射頻存儲(chǔ)器模塊電路設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-13 09:40:100

怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元?

怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04

Altera內(nèi)存解決方案

以下主題概述了Altera的外部內(nèi)存接口解決方案。 Altera提供最快、最高效、延遲最低的內(nèi)存接口IP核。Altera的外部存儲(chǔ)器接口IP設(shè)計(jì)用于方便地與當(dāng)今更高速的存儲(chǔ)器設(shè)備接口。 Altera
2023-09-26 07:38:12

如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量?

如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32

計(jì)算機(jī)工作原理(CPU、存儲(chǔ)、內(nèi)存、讀寫)

馮·諾依曼為改善早期計(jì)算器手動(dòng)接線來(lái)控制計(jì)算的方式,提出了“存儲(chǔ)程序”的概念,將指令以二進(jìn)制代碼的形式事先輸入計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器
2023-09-17 15:24:351666

存儲(chǔ)器的分類及其區(qū)別

存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類,前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668

STM32L15x存儲(chǔ)器直接訪問(wèn)DMA介紹

)都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲(chǔ)器->存儲(chǔ)器外設(shè)->存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16

STM32L4靈活的靜態(tài)內(nèi)存控制(FMC)介紹

2個(gè)銀行支持外部存儲(chǔ)器 ?FMC外部訪問(wèn)頻率高達(dá)HCLK/2 ?每個(gè)存儲(chǔ)器組的獨(dú)立芯片選擇控制 ?每個(gè)內(nèi)存組的獨(dú)立配置 ?可編程時(shí)序,支持廣泛的 設(shè)備 ?8/16位數(shù)據(jù)總線 ?外部異步等待控制
2023-09-12 06:11:31

存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)

存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)中的重要組成部分,用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問(wèn)方式的不同,存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272105

STM32H7系列內(nèi)部存儲(chǔ)器保護(hù)的糾錯(cuò)碼(ECC)管理

本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制上糾錯(cuò)碼(ECC)的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對(duì)保護(hù)內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制,描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外,也可使用外部存儲(chǔ)器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20

STM32F7系統(tǒng)架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射

STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法及存儲(chǔ)器”專利公布

根據(jù)專利要點(diǎn),提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問(wèn)題,該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下:選通字線,通過(guò)位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523

ARM分散加載介紹

分散加載是ARM鏈接提供的一種機(jī)制,它允許您將可執(zhí)行映像分區(qū)為可在內(nèi)存中獨(dú)立定位的區(qū)域。 在一個(gè)簡(jiǎn)單的嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器分為只讀存儲(chǔ)器和隨機(jī)存儲(chǔ)器。 鏈接產(chǎn)生的鏡像被分為“只讀”段
2023-08-24 08:23:51

AXI內(nèi)部存儲(chǔ)器接口的功能

庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成,以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。 接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33

0722_03 fifo存儲(chǔ)器作用和結(jié)構(gòu)模型 - 第4節(jié)

存儲(chǔ)器
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-20 01:35:41

0722_03 fifo存儲(chǔ)器作用和結(jié)構(gòu)模型 - 第3節(jié)

存儲(chǔ)器
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-20 01:34:50

0722_03 fifo存儲(chǔ)器作用和結(jié)構(gòu)模型 - 第2節(jié)

存儲(chǔ)器
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-20 01:33:59

0722_03 fifo存儲(chǔ)器作用和結(jié)構(gòu)模型 - 第1節(jié)

存儲(chǔ)器
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-20 01:33:08

不同的存儲(chǔ)器技術(shù)介紹 如何選擇正確的存儲(chǔ)器技術(shù)

存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)(CPU 或 GPU)提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲(chǔ)器
2023-08-17 09:54:20414

Arm事務(wù)性內(nèi)存擴(kuò)展概述

本指南介紹事務(wù)性內(nèi)存,它允許自動(dòng)執(zhí)行代碼,而無(wú)需始終實(shí)現(xiàn)限制性能的同步方法。 ARM事務(wù)內(nèi)存擴(kuò)展(TME)是事務(wù)內(nèi)存的ARM實(shí)現(xiàn)。 現(xiàn)代復(fù)雜系統(tǒng)在不止一個(gè)處理上執(zhí)行。 對(duì)存儲(chǔ)器訪問(wèn)的管理確保了當(dāng)
2023-08-17 07:57:59

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀

發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲(chǔ)方案中。對(duì)于這些應(yīng)用,鐵電存儲(chǔ)器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入,設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26

PrimeCell AHB SDR和SRAM/NOR存儲(chǔ)器控制(PL243)技術(shù)參考手冊(cè)

(SMC)。AHB MC有四個(gè)可訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。
2023-08-02 14:51:44

PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制(PL092)技術(shù)參考手冊(cè)

PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制(SMC)是一款符合高級(jí)微控制總線架構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備,由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。 SMC是一個(gè)AMBA從模塊,連接到高級(jí)高性能
2023-08-02 12:21:46

PrimeCell AHB SRAM/NOR存儲(chǔ)器控制(PL241)技術(shù)參考手冊(cè)

可訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器的AHB端口。AHB端口具有到內(nèi)存控制的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制。SMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC(PL241)配置
2023-08-02 07:14:25

PrimeCell AHB SDR和NAND存儲(chǔ)器控制(PL242)技術(shù)參考手冊(cè)

(SMC)。AHB MC有四個(gè)可訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC(PL242)配置
2023-08-02 06:26:35

從RAM到閃存:電子設(shè)備中的數(shù)據(jù)如何存儲(chǔ)與訪問(wèn)?

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是當(dāng)今電子設(shè)備的核心組件,從智能手機(jī)到高性能計(jì)算機(jī),幾乎所有設(shè)備都需要某種形式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。根據(jù)應(yīng)用需求和工作原理,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩大類:內(nèi)存和閃存。本文將介紹這兩大類存儲(chǔ)器的種類和工作原理。
2023-07-31 09:57:32598

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器介紹與分類

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098

芯片制造商N(yùn)etsol推出STT-MRAM

Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來(lái)快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言,是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器??商娲鶩lash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262

虛擬存儲(chǔ)器簡(jiǎn)述

虛擬存儲(chǔ)器(Virtual Memory)的基本思想是對(duì)于程序來(lái)說(shuō),它的程序(code)、數(shù)據(jù)(data)、堆棧(stack)的總大小可以超過(guò)實(shí)際物理內(nèi)存(Physical Memory)的大小
2023-06-29 14:10:481389

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性,讀寫速度快,沒(méi)有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì),能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫使用壽命長(zhǎng),芯片的擦寫次數(shù)為100萬(wàn)次,比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28874

PLC系統(tǒng)的存儲(chǔ)器分類介紹

PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453775

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959

什么是堆內(nèi)存存儲(chǔ)方式是什么樣的?

只有在堆內(nèi)存里面才會(huì)發(fā)生內(nèi)存泄漏的問(wèn)題,在棧內(nèi)存中不會(huì)發(fā)生內(nèi)存泄漏。因?yàn)闂?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存在自動(dòng)分配空間之后,還會(huì)自動(dòng)釋放空間。 什么是堆內(nèi)存?存儲(chǔ)方式是什么樣的呢? 首先我們先來(lái)介紹一下堆內(nèi)存在 C 代碼
2023-06-22 10:29:00679

RAID系統(tǒng)中理想的Netsol MRAM存儲(chǔ)器

RAID控制卡的日志存儲(chǔ)器存放重要數(shù)據(jù),如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗(yàn)寫入、錯(cuò)誤日志等。在斷電的情況下,控制器查詢?nèi)罩?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存,以了解從哪里開(kāi)始恢復(fù)。
2023-06-12 17:11:11323

RA6快速設(shè)計(jì)指南 [3] 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器,時(shí)鐘電路(1)

不同的內(nèi)存占用和分布,有關(guān)寄存器的詳細(xì)介紹,請(qǐng)參見(jiàn)《硬件用戶手冊(cè)》中的“選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器”一章。 閃存選項(xiàng)寄存器在代碼閃存映射中占用一定空間。盡管寄存器位于RA MCU上保留閃存的一部分中,但是有些用戶可能會(huì)無(wú)意中將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在這些位置。用戶必
2023-06-08 17:00:04411

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在RFID中的應(yīng)用

作為一種非易失性存儲(chǔ)器,鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn),雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用,但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合,鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的誕生

無(wú)論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數(shù)碼照片,你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒(méi)有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM),今天的計(jì)算機(jī)甚至無(wú)法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55313

SOC設(shè)計(jì)之外部存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo) * **存儲(chǔ)容量** 存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量(尋址空間,由CPU的地址線決定) * **實(shí)際存儲(chǔ)容量:** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。 * **存取速度:** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間,也稱為讀寫周期;
2023-05-26 11:28:10822

什么是外部存儲(chǔ)器

磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的,載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。 存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409

計(jì)算機(jī)的內(nèi)存和外存別再分不清了

內(nèi)存,是大家對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱,當(dāng)然,我們也可以叫內(nèi)部存儲(chǔ)器為主存。它是計(jì)算機(jī)中最重要的部件之一。** 內(nèi)存計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中存放需要運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)的地方。計(jì)算機(jī)工作時(shí),是先把需要處理的數(shù)據(jù)從外存
2023-05-26 11:03:586833

適合用于多功能打印機(jī)存儲(chǔ)芯片S3A1604

MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比,MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。
2023-05-23 17:34:15395

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù),而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。1.1存儲(chǔ)器ROM介紹rom最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容,
2023-05-19 17:04:36766

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù),而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。 1.1 存儲(chǔ)器ROM介紹 rom最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容,不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了
2023-05-19 15:59:37

內(nèi)存和硬盤的區(qū)別與作用

在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別,硬盤屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”,而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”,屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191540

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲(chǔ)S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器
2023-05-12 16:31:39268

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

存儲(chǔ)器的創(chuàng)新和發(fā)展歷程介紹

首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM(可編程只讀存儲(chǔ)器),以及與之密切相關(guān)的EPROM(可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器)。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出,并于1971年由英特爾進(jìn)一步開(kāi)發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408

如何為RT1172選擇FLASH存儲(chǔ)器

通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA (外設(shè)到存儲(chǔ)器

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開(kāi)發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開(kāi)發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲(chǔ)器到外設(shè))

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462542

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

本章教程講解DMA存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

寄存器和存儲(chǔ)器如何區(qū)分

寄存器是計(jì)算機(jī)硬件中最快、最小、最常用的存儲(chǔ)器。它是CPU內(nèi)部的存儲(chǔ)器,通常作為指令和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和暫存空間。在CPU中,寄存器直接與算術(shù)邏輯單元(ALU)相連,用于存儲(chǔ)操作數(shù)或運(yùn)算結(jié)果。
2023-04-09 18:43:059371

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢(shì)?

/寫存儲(chǔ)器,在斷電時(shí)無(wú)需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述:MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí),非易失性事件計(jì)數(shù),可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器?

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的組成之存儲(chǔ)器

我們知道計(jì)算機(jī)只有CPU是不能工作的,那理論上除了CPU還需要什么硬件呢?答:還需要 存儲(chǔ)器 。 那什么是存儲(chǔ)呢?在電子計(jì)算機(jī)中,用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和指令等的記憶部件,叫做存儲(chǔ)器。 存儲(chǔ)器是由一些編號(hào)的單元所組成。 單元的編號(hào)叫做地址。
2023-03-30 14:41:501663

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551

EPCS16SI8N

FPGA - 配置存儲(chǔ)器 IC - 配置存儲(chǔ)器內(nèi)存閃存 16Mb 40 MHz
2023-03-28 13:18:05

已全部加載完成