關(guān)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器和新興存儲(chǔ)器應(yīng)用的簡(jiǎn)單分析

舊版存儲(chǔ)不再是使用壽命短的低端設(shè)備，因?yàn)橹饕?yīng)商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著越來越多的智能設(shè)備和融合了AI的邊緣計(jì)算以及呈指數(shù)增長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)，“持久”可能是這些根深蒂固的記憶的更好標(biāo)簽。

過去的DRAM不再用于較小的系統(tǒng)，因?yàn)樗鼈冃枰狣RAM控制器。SRAM進(jìn)入了內(nèi)存需求小的系統(tǒng)。DRAM進(jìn)入更大的存儲(chǔ)器，并伴隨著用于更大存儲(chǔ)器的控制器。傳統(tǒng)存儲(chǔ)器供應(yīng)商提供可預(yù)測(cè)的價(jià)格和長(zhǎng)期客戶支持很重要，因?yàn)樾略O(shè)計(jì)仍然使用較舊的存儲(chǔ)器。例如早期的DDR，SRAM和NOR閃存已用于醫(yī)療，工業(yè)和智能家居應(yīng)用中。

對(duì)于非智能手機(jī)和平板電腦設(shè)計(jì)（例如醫(yī)療設(shè)備和工業(yè)平臺(tái)），對(duì)DDR3內(nèi)存的需求正在增長(zhǎng)。在SDRAM中成長(zhǎng)，在DDR1中成長(zhǎng)，由于DDR3將在DDR2上取得巨大的增長(zhǎng)。

對(duì)舊版內(nèi)存的需求并不總是源于舊設(shè)備中更換的內(nèi)存。有一些針對(duì)醫(yī)療和工業(yè)系統(tǒng)的處理器供應(yīng)商仍然圍繞DDR3技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。該設(shè)備不需要DDR4，這就是為什么要開發(fā)具有不同內(nèi)存要求的不同處理器的原因。

傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)并不排除創(chuàng)新，這是賽普拉斯半導(dǎo)體等公司對(duì)“傳統(tǒng)”標(biāo)簽持謹(jǐn)慎態(tài)度的原因，而寧愿將早期的存儲(chǔ)器規(guī)范稱為“持久性”。即使高性能計(jì)算和超大規(guī)模擴(kuò)展，人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)正在推動(dòng)采用最新的DDR存儲(chǔ)器，NAND閃存和高帶寬存儲(chǔ)器，但數(shù)據(jù)仍在推動(dòng)創(chuàng)新。當(dāng)使用其傳感器和邊緣節(jié)點(diǎn)進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)時(shí)，需求并沒有發(fā)生太大變化。人們?nèi)匀幌胍凸牡臇|西。人們?nèi)匀幌胍煽康臇|西，并且可以按預(yù)期工作。

這種需求正在扭轉(zhuǎn)NOR閃存等技術(shù)的衰落，NOR閃存技術(shù)在汽車應(yīng)用中獲得了新的生命。物聯(lián)網(wǎng)和其他新興領(lǐng)域（如可穿戴設(shè)備）也對(duì)低功耗存儲(chǔ)器產(chǎn)生了要求，這些存儲(chǔ)器具有很小的占地面積，并且可靠且安全。

網(wǎng)絡(luò)邊緣也在創(chuàng)造新的存儲(chǔ)器應(yīng)用，包括面向消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用的醫(yī)療保健和分布式IoT傳感器節(jié)點(diǎn)。數(shù)十億個(gè)IoT傳感器節(jié)點(diǎn)將需要數(shù)十億個(gè)IoT傳感器節(jié)點(diǎn)，而不是千兆字節(jié)的內(nèi)存，而是需要針對(duì)IoT應(yīng)用程序（包括NOR閃存，傳統(tǒng)的異步SRAM或FRAM）進(jìn)行高度優(yōu)化的專用存儲(chǔ)器。針對(duì)用例和應(yīng)用程序優(yōu)化了這些技術(shù)，而優(yōu)化則是通過最小化功耗或最小化占位面積或獲得適合該應(yīng)用程序的正確密度大小來實(shí)現(xiàn)的。存儲(chǔ)器技術(shù)也可以針對(duì)新興應(yīng)用進(jìn)行調(diào)整。可以創(chuàng)建全新的產(chǎn)品組合。

邊緣計(jì)算和5G基礎(chǔ)設(shè)施及汽車都對(duì)低功耗存儲(chǔ)器（例如NOR閃存）有要求，從而增強(qiáng)了賽普拉斯的“持久”存儲(chǔ)間距。

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