詳細介紹NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點。

BBSRAM是什么？BBSRAM又稱BatRAM，它是嵌入式單封裝中多個芯片和電池元件的組合。電池可以集成在封裝中，同集成在塑料DIPS中相似。還可以將該電池安裝在封裝頂層上，然后機械地添加一個類似于SOIC中使用的上蓋。按照訪問其他SRAM的方式訪問BBSRAM。當供電電壓（VCC）低于指定電壓電平時，內(nèi)部電池將被打開以維持存儲器中的內(nèi)容，直到VCC返回到有效條件為止。

NV-SRAM是什么？賽普拉斯NV-SRAM是一種快速靜態(tài)RAM（SRAM），且每個存儲器單元中都包含非易失性單元。采用SONOS技術(shù)，可以將嵌入式非易失性單元制造成世界上最可靠的非易失性存儲器。SRAM能夠?qū)崿F(xiàn)無限次的讀寫周期，同時獨立的非易失性數(shù)據(jù)則被存儲在高度可靠的SONOS單元內(nèi)。斷電時通過使用VCAP引腳上連接的小型電容上保存的電荷，將數(shù)據(jù)從SRAM中自動轉(zhuǎn)移到非易失性單元中（自動存儲操作）。加電時數(shù)據(jù)會從非易失性存儲器單元重新存儲到SRAM內(nèi)（加電回讀操作）?！按鎯Α焙汀盎刈x”操作也可以在軟件控制下執(zhí)行。

NV-SRAM的優(yōu)點

同一個多組件的解決方案相比，NV-SRAM是一個單片解決方案，它帶有一個小型的外部電容。因此與BBSRAM解決方案相比，它的優(yōu)點更多。

BBSRAM內(nèi)部

一個BBSRAM包括三個主要組件：標準的SRAM、電壓傳感器和開關(guān)芯片，以及鋰電池。每個BBSRAM模塊都具有一個自帶的鋰電池和控制電路（用于監(jiān)控VCC，以免發(fā)生超出容差范圍）。如果發(fā)生這種情況下鋰電池會自動打開，并且寫保護功能會被無條件使能，以避免破壞數(shù)據(jù)?？蓤?zhí)行的寫周期次數(shù)不受限制，并且不需要支持微處理器接口的其他電路。圖1顯示的是BBSRAM的框圖。

圖1.BBSRAM框圖

NV-SRAM內(nèi)部

NV-SRAM技術(shù)就是將SRAM和EEPROM技術(shù)結(jié)合在同一個芯片上。每一個SRAM單元都包含一個非易失性EEPROM元件。在SRAM模式下，存儲器作為普通的靜態(tài)RAM使用，其操作速率則為SRAM速度。在非易失性模式下，SRAM數(shù)據(jù)將從EEPROM并行傳輸/回讀或并行傳輸/回讀到EEPROM內(nèi)。使用SONOS（硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅）技術(shù)生產(chǎn)EEPROM可以提供高產(chǎn)量，并且與浮柵加工技術(shù)相比，它需要的掩膜更少。SONOS技術(shù)其他主要優(yōu)點表現(xiàn)在：完善的設(shè)計和生產(chǎn)過程，帶有CMOS微邏輯的良好可積分性，并且低功耗。用戶數(shù)據(jù)的寫入次數(shù)不受限制，因為將這些數(shù)據(jù)寫入到標準SRAM內(nèi)。在產(chǎn)品的使用壽命期間，可以將EEPROM的存儲周期次數(shù)修改為100多萬次。傳輸數(shù)據(jù)時不需要任何電池。當將數(shù)據(jù)從SRAM傳輸?shù)紼EPROM內(nèi)所需的電源由外部電容提供時，在斷電期間，將自動進行數(shù)據(jù)傳輸。NV-SRAM還與時鐘邏輯配合使用，用于創(chuàng)建非易失性RTC組件。圖2顯示的是NV-SRAM的框圖。

圖2.NV-SRAM框圖

NV-SRAM與存儲器控制器的典型連接從功能角度來講，在正常工作條件下的NV-SRAM讀/寫操作與獨立SRAM完全相同。使用并行I/O結(jié)構(gòu)，用戶可以方便地存儲數(shù)據(jù)或從地址位設(shè)置所定義的存儲器位置上提取數(shù)據(jù)。子序列存儲器周期可以位于這個位置或其他位置上，發(fā)生的順序是任意的，寫周期次數(shù)不受限制，并且不需要任何額外的支持微處理器接口的電路。

圖3.典型的NV-SRAM連接

當VCC下降到低于閾值（VSWITCH）時，賽普拉斯的NV-SRAM會進入自動存儲模式，并且通過將DQ總線上拉到高阻抗狀態(tài)并忽略在該器件的地址和控制線上所發(fā)生的所有轉(zhuǎn)換，禁止器件上發(fā)生的所有讀/寫操作。

技術(shù)特性曲線比較

除商業(yè)利益外，與nvBBSRAM相比，SRAM還有很多技術(shù)優(yōu)勢。具體包括：

?數(shù)據(jù)保留時間和產(chǎn)品使用壽命—數(shù)據(jù)保留時間指的是數(shù)據(jù)存儲環(huán)境開始惡化前數(shù)據(jù)可以存儲多久。產(chǎn)品使用壽命指的是生產(chǎn)某個器件后該器件可以運行多久。

?性能

?加電時器件的功能—從功能角度來講，NV-SRAM和BBSRAM對加電要求比較相同：

-NV-SRAM將EEPROM中的數(shù)據(jù)自動傳輸?shù)絊RAM內(nèi)

-BBSRAM從鋰電源自動切換到VCC電源

?電路板空間

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sram內(nèi)存塊不適合mcal_bss段怎么解決？

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2023-05-19 08:31:12

如何為具有12v電池的遙控器供電？

我想為使用小型 12 伏電池 (27A) 的車庫門遙控器供電，我怎么能用 esp8266 做到這一點？我實際上使用的是 USB 供電的 nodemcu。另外，我有另一個使用 2 節(jié) AAA 電池的設(shè)備，3.3v 電源軌是否適合？

2023-05-17 07:17:50

【正點原子STM32戰(zhàn)艦V4開發(fā)板免費試用】使用外部 SRAM 存放顯示緩存

800*480分辨率的屏幕需要的緩存較大，放在外部的SRAM里面更為方便用cubemx配置FSMC驅(qū)動SRAM 先打開戰(zhàn)艦V4的原理圖查看開發(fā)板上外部SRAM的接口。片選管腳連接

2023-05-08 20:01:14

如何才能使用iMXRT1176片上的SRAM和QSPI flash？

我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。我們在 SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運行完美。給出了兩個 icf 文件： 1) 內(nèi)存

2023-05-05 06:38:08

能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？

能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？

2023-04-28 07:00:20

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

2023-04-27 20:25:40

國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術(shù)進行設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。

2023-04-27 17:37:44

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是否可以禁用SRAM2的數(shù)據(jù)緩存并保留SRAM 0和SRAM1的數(shù)據(jù)緩存？

我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？

2023-04-23 08:01:09

IMXRT1064外部SRAM，同步和異步模式的CLK使用差異是什么？

IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異

2023-04-21 08:31:29

設(shè)置外圍模塊后MCUXPRESSO溢出SRAM怎么解決？

[Build 9221] [2023-03-28] SDK 是 SDK_2.x_LPC55S06 2.13.0.201911251446如果我啟動并設(shè)置一個新項目，編譯后，我沒有任何錯誤，SRAM

2023-04-20 09:06:04

2119實時時鐘電池怎么供電？所有的電源引腳都要供電嗎？

2023-04-19 10:14:52

如何在MCUXpresso IDE上使用芯片上的所有SRAM？

內(nèi)存放入 SRAM_OC2，SRAM_ITC_cm7 的內(nèi)存使用從 150% 減少到 140% .順便說一句，在應(yīng)用程序鏈接到RAM時是否需要將SRAM_ITC_cm7設(shè)置為第一個？我已經(jīng)將具有512KB的SRAM_OC1設(shè)置為第一個，調(diào)試器無法重置并且通過DMA傳輸?shù)臄?shù)據(jù)是錯誤的。為什么？

2023-04-14 08:01:47

M7-0如何訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？

S32G399A M7-0軟件可以訪問SRAM區(qū)域3400000~349FFFFF，但是不能訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF，為什么？

2023-04-11 07:48:58

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢？

8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢：?更快的隨機訪問操作時間?高可靠性和數(shù)

2023-04-07 16:26:28

SRAM使用總結(jié)

SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針

2023-04-06 15:13:03

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科普Register file和SRAM

前兩期，我們分別對OTP和MTP，RAM和ROM進行了比較。這一次，我們來談?wù)凪emory Compiler，以及通過它生成的Register file和SRAM。

2023-03-31 10:56:37

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為什么應(yīng)該將SRAM 0x3400000置零？

是：0x34100000~0x341FFFFF: A53(linux)使用0x34200000~0x342FFFFF：M7使用。那么，地址從0x34000000開始，長度等于0x100000字節(jié)的SRAM是干什么用的呢？為什么我應(yīng)該將 SRAM 置零？

2023-03-31 06:52:33

是否沒有必要初始化SRAM_L因為它不受ECC保護？

我注意到在S32K116的啟動文件中有一個ECC RAM initial。(startup_S32K116.S)我認為這與 AN12522 有關(guān)。我的問題，初始化似乎只應(yīng)用了 SRAM_U。(0x2000_0000 到 0x2000_3800)是否沒有必要初始化SRAM_L因為它不受ECC保護？

2023-03-31 06:05:14