IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率電子器件,廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT選型是指根據(jù)特定應(yīng)用需求選擇合適的IGBT
2024-03-12 15:31:12254 選擇IGBT的基本原則涉及以下幾個方面: 電壓等級:選擇合適的IGBT要考慮其能夠承受的電壓等級。通常情況下,IGBT的額定電壓等級應(yīng)大于實際電路中的最高電壓。 電流容量:根據(jù)電路的負載電流,選擇
2024-03-12 15:29:08153 IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中,存在這么一種情況,IGBT先短路再開通,請問這是一種什么樣的過程?按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來,然后啟動變頻器,此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
在高壓600V,額定電流10A的壓縮機電機控制中,IGBT經(jīng)常燒壞,主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造,在做變頻器的短路實驗時,在IGBT開通時刻做出短路動作,IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達到穩(wěn)定。
但是在具體波形時,IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象? IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點
2024-02-19 14:33:28475 出現(xiàn)過流和短路故障,導(dǎo)致設(shè)備損壞甚至發(fā)生火災(zāi)。 首先,需要了解過流和短路的概念。過流是指電流超過設(shè)備或電路所能承受的額定電流的情況,而短路是指電流繞過了正常的路徑,直接從一個節(jié)點到達另一個節(jié)點的情況。 IGBT過流故障是指在IGBT工作過
2024-02-18 11:05:32274 IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型? IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實際應(yīng)用中,IGBT可能會遭遇多種短路類型。下面,我將詳細介紹IGBT應(yīng)用中常見的短路類型。 1. IGBT內(nèi)部開路
2024-02-18 10:21:57222 Field-Effect Transistor)的控制性能,又具有異質(zhì)結(jié)的管子功率特性。IGBT也是一個開關(guān)器件,可以在高電壓和高電流條件下工作,并且被廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。 IGBT由三個主要區(qū)域組成
2024-02-01 13:59:45449 標準。安森美(onsemi)作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商,為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運行的產(chǎn)品,且這些產(chǎn)品達到了高品質(zhì)和高可靠性。之前我們分享了如何對IGBT進行可靠性測試,今天我們來介紹如何通過可靠性審核程序確保IGBT的產(chǎn)品可靠性。
2024-01-25 10:21:16997 光伏IR相機是一種特殊的光電設(shè)備,它使用紅外線(IR)技術(shù)來檢測和捕捉光伏電池板上的熱圖像。這種相機的主要功能是檢測光伏電池板上的熱分布和異常,幫助工程師和科學家更好地了解光伏電池板的性能和存在的問題。
2024-01-23 11:36:23235 。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括變頻器、電機驅(qū)動、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個IGBT芯片和驅(qū)動電路封裝在一個模塊內(nèi),使得IGBT能夠方便地進行安裝和維護。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:231080 由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性,IGBT需要一個專門的驅(qū)動電路來控制其開通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動電路。 一、IGBT驅(qū)動電路的作用 IGBT驅(qū)動電路的主要作用是向IGBT提供適當?shù)臇艠O
2024-01-17 13:56:55553 IR2104是一種常用的全橋驅(qū)動電路集成電路。它具有多種工作模式和高度可靠性,廣泛應(yīng)用于交流電機驅(qū)動、逆變器和電源等領(lǐng)域。本文將詳細介紹IR2104全橋驅(qū)動電路的原理、特點和應(yīng)用。 一、IR
2024-01-05 16:11:041107 的導(dǎo)通壓降和更高的開關(guān)速度,因此在工業(yè)應(yīng)用中得到廣泛的應(yīng)用。 一般來說,IGBT的開關(guān)操作是以高頻率進行的,這可能會產(chǎn)生一定的電磁干擾。電磁干擾是指電子設(shè)備之間通過電磁場相互影響導(dǎo)致的問題,可能會干擾其他設(shè)備的正常工作,或者造成電磁輻射對人體健康的危害。因
2024-01-04 14:30:50563 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高性能半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點。然而,由于IGBT的驅(qū)動電路對其性能和壽命有很大影響,因此選擇合適的驅(qū)動
2023-12-30 10:11:00546 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種電力開關(guān)裝置,常被用于控制大電流和高電壓的電力設(shè)備。IGBT軟開關(guān)和硬開關(guān)是兩種不同的IGBT工作模式,它們在開關(guān)
2023-12-21 17:59:32658 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見的兩種功率開關(guān)器件。它們在許多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作用,主要用于交流電轉(zhuǎn)換、能量轉(zhuǎn)換和電流控制
2023-12-19 09:56:33571 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當IGBT的控制極壓加上一定的電壓時,例如正向電壓,漏結(jié)區(qū)就會被壓縮。這時候漏極和源極之間就會產(chǎn)生
2023-12-13 16:01:59845 電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IGBT
2023-12-04 15:59:18
一、引言 高速風筒是一種廣泛應(yīng)用于家庭和商業(yè)領(lǐng)域的小型電器設(shè)備,用于快速干燥和造型吹風。在高速風筒的電路設(shè)計中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊扮演著重要的角色。該文章將詳細介紹高速風筒單管IGBT
2023-12-01 14:34:47261 IGBT的RCD緩沖電路各元件參數(shù)選擇? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種用于控制高電壓和高電流的功率半導(dǎo)體器件。它由一對PNP
2023-11-20 17:05:44545 IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件,可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。
IGBT 主要用于放大器,用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復(fù)雜的波形。
你可以看到輸入側(cè)代表具有柵極端子的 MOS管,輸出側(cè)代表具有集電極和發(fā)射極的 BJT。
2023-11-17 09:39:09478 IGBT整流器是用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的關(guān)鍵設(shè)備,它們通過精確控制IGBT的導(dǎo)通時間來實現(xiàn)對輸出的調(diào)節(jié),確保提供高質(zhì)量、穩(wěn)定的直流電供電。在某些情況下,還可以實施功率因數(shù)校正(PFC)以提高輸入
2023-11-10 17:31:05725 IGBT動態(tài)測試參數(shù)有哪些? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281268 開關(guān)器件,常用于控制高電壓和高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT短路測試是在IGBT生產(chǎn)和維修過程中常用的一項關(guān)鍵測試,旨在檢測IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測試平臺是一種用于進行IGBT
2023-11-09 09:18:291042 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IR2110芯片在光伏逆變電路中的設(shè)計應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-11-06 10:04:290 引言: 當Banana PI&armsom決定采用RK3588芯片開發(fā)一款與Jetson Nano引腳兼容的產(chǎn)品時,這意味著一次重要的技術(shù)決策,為開發(fā)者和制造商提供了更大的靈活性
2023-11-02 12:30:06
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《柵極寬度對IGBT通態(tài)壓降的影響.pdf》資料免費下載
2023-10-25 10:45:410 用于開發(fā)設(shè)備的工控電腦,應(yīng)該怎么選擇?
2023-10-20 07:44:02
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種晶體管,可以用作開關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底
2023-10-19 17:08:028160 引言: 當armsom決定采用RK3588芯片開發(fā)一款與Jetson Nano引腳兼容的產(chǎn)品時,這意味著一次重要的技術(shù)決策,為開發(fā)者和制造商提供了更大的靈活性。這篇文章將解釋我們選擇RK3588
2023-10-18 17:35:18
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX25405: IR Gesture Sensor with Lens for Automotive Applications Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品
2023-10-17 18:44:54
提前確認和驗證電路是否按設(shè)計預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型,此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此,羅姆已經(jīng)
2023-10-17 11:24:11257 的ABB。
美國的生產(chǎn)廠商主要有艾賽斯(簡稱IXYS)、國際整流器公司(簡稱IR)和威世(Vishay)等。
日本的生產(chǎn)廠商主要有三菱、富士等。
IGBT門檻較高,是技術(shù)密集型產(chǎn)品,我國IGBT產(chǎn)業(yè)起步
2023-10-16 11:00:14
體,IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。 與BJT或MOS管相比,絕緣柵雙極型晶體管IGBT優(yōu)勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益,以及更高工作電壓和更低MOS管輸入損耗。 0****1 **什么是IGBT ** IGBT是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件,可用于多種
2023-10-16 10:28:541213 設(shè)備,物通博聯(lián)提供基于工業(yè)智能網(wǎng)關(guān)的物聯(lián)網(wǎng)解決方案,幫助裝備制造業(yè)降本增效和效率升級,形成新的增長點和服務(wù)優(yōu)勢,助力企業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型。 1、網(wǎng)關(guān)為核心,構(gòu)建設(shè)備全生命周期管理 物通博聯(lián)工業(yè)智能網(wǎng)關(guān)采用嵌入式架構(gòu),在
2023-10-08 10:52:16209 DC即Direct Current,直流電,電流方向不隨時間發(fā)生改變;IR Drop中的I指電流,R指電阻,I與R相乘即為電壓,IR Drop就是電壓降;
2023-09-28 11:34:263179 通態(tài)損耗和開關(guān)損耗,選擇匹配的散熱器和驅(qū)動電路。(2)IGBT模塊的使用1.防靜電IGBT是一種靜電敏感設(shè)備。為了防止靜電對設(shè)備造成損害,應(yīng)注意以下兩點:①IGBT
2023-09-20 17:49:521052 選型IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是電子設(shè)備設(shè)計中的重要任務(wù),因為正確的IGBT選擇對于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT,并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:56921 。 ? ? ?? 陸芯科技首席科學家林博士在會上做了基于先進IGBT可靠性評估及失效分析的主題演講。重點與大家分析探討了陸芯科技IGBT產(chǎn)品的穩(wěn)定性優(yōu)勢,以及在產(chǎn)品設(shè)計研發(fā)過程中的一些優(yōu)秀案例分析。 ? ? ? 出彩的演講內(nèi)容吸引了不少聽眾在演講結(jié)束后
2023-09-12 10:15:51465 IR2110使用手冊
2023-09-12 09:20:129 PWM控制型IGBT工作在斬波模式,使得IGBT本身自帶干擾源屬性,自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。
2023-09-08 15:22:26525 igbt測量好壞方法萬用表 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體器件,可用于各種電氣設(shè)備中,如電力電子設(shè)備和汽車。對于一個電氣工程
2023-09-02 11:20:152222 igbt逆變電路工作原理? IGBT逆變電路是一種用于變換直流信號轉(zhuǎn)換為交流信號的電路。它們常用于電力電子設(shè)備中,例如交流驅(qū)動電機,太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)以及電機驅(qū)動設(shè)備。IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:513162 Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,其IGBT管產(chǎn)品在市場上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號:一、英飛凌IGBT管前10熱門
2023-08-25 16:58:531477 小、開關(guān)速度快、耐高壓等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于交流調(diào)制、交流變頻等電力電子設(shè)備中。在IGBT被廣泛應(yīng)用的同時,許多工程師也對其進行了深入研究,一般認為IGBT單管和雙管在性能上有所不同,接下來我們將詳細講解IGBT單管和雙管的區(qū)別。 1.定義: 單管IGBT指的是僅具有一個MOS管和一個BPT(雙極晶體管)的I
2023-08-25 15:11:222535 igbt功率管怎么檢測好壞? 簡介: 隨著電力電子技術(shù)越來越先進和高效,IGBT已成為工業(yè)應(yīng)用的熱門選擇。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種三端半導(dǎo)體器件,支持高電壓和高電流應(yīng)用,同時提供快速開關(guān)
2023-08-25 15:03:352091 介紹IGBT的優(yōu)缺點。 優(yōu)點 1. 高效率:IGBT具有較低的導(dǎo)通電阻,因此可以實現(xiàn)高效率的功率調(diào)節(jié),增加設(shè)備的效率。 2. 高速開關(guān):IGBT可在短時間內(nèi)完成開關(guān)操作,因此可以在高頻電路中使用,提高系統(tǒng)的性能。 3. 大電流承受能力強:IGBT的電流承受能力較強,能夠承受較大
2023-08-25 15:03:294009 igbt的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些? IGBT是一種檢測電壓的器件,它可以用于許多應(yīng)用領(lǐng)域。本文將介紹IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域,并對每個領(lǐng)域進行詳盡的探討。 1. 電力電子設(shè)備 IGBT被廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備
2023-08-25 15:03:263059 的補充。
Yocto項目(YP)是一個行業(yè)標準的開發(fā)工具,用于構(gòu)建基于Linux的軟件堆棧于嵌入式設(shè)備。YP提供了創(chuàng)建自定義解決方案的靈活性,但是大多數(shù)YP構(gòu)建需要自定義工程才能在特定的硬件平臺上運行
2023-08-02 07:45:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 16:11:121 根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transistor,是由晶體管和MOSFET的優(yōu)點相結(jié)合
2023-07-20 16:39:514483 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片可代換IR2304,提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動芯片可替代ir2304,提供ID5S609SEC-R1 關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片可代換IR2104,提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
除了這些新材料外,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術(shù)在電力電子領(lǐng)域仍占有重要地位。本周,Nexperia首次進入IGBT市場,推出了一系列新的600 V設(shè)備。本文將介紹IGBT、trench-gate設(shè)備和Nexperia的新產(chǎn)品系列。
2023-07-18 15:35:53367 在這里,將展示如何制作基于Arduino的IR接收器,以解碼來自TV/DVD遙控器的IR信號。根據(jù)與遙控器上特定按鈕對應(yīng)的解碼值,我們將對Arduino進行編程以控制多個繼電器開關(guān)。
2023-07-10 14:20:43715 ISLA224IR72EV1Z 原理圖和層
2023-07-06 20:51:300 使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT),事實上,許多此類應(yīng)用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中,我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運行,并列舉多種不同 IGBT 應(yīng)用的電路拓撲結(jié)構(gòu),然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓撲結(jié)構(gòu)。 IGBT 器件結(jié)構(gòu) 簡而言之,IGBT 是由 4 個交替層 (P-
2023-07-03 20:15:011224 ISL91127IR 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 19:40:440 為什么選擇BGA芯片X-ray檢測設(shè)備對產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要?BGA芯片X-ray檢測設(shè)備的選擇對提高產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要,原因如下: 一、提升產(chǎn)品性能 BGA芯片X-ray檢測設(shè)備能夠檢測BGA芯片
2023-06-30 11:16:01472 IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合,由于會導(dǎo)致?lián)p壞的危險,因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點請注意。
2023-06-30 09:19:221150 去客戶工廠參觀交流,了解到他們用到了我們代理的芯控源的IGBT模塊AGM25T12W2T4,就想給大家講下關(guān)于IGBT的知識和這款產(chǎn)品!
2023-06-21 09:17:03929 作為IGBT技術(shù)的供應(yīng)商之一,華潤微在產(chǎn)品性能和技術(shù)創(chuàng)新方面具備競爭優(yōu)勢。其所提供的IGBT產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低開關(guān)損耗、高耐受電壓和高溫度工作能力等特點,能夠滿足汽車行業(yè)對功率器件的高要求。
2023-06-19 16:53:15421 也為國產(chǎn)IGBT的發(fā)展提供了良機。 上海陸芯電子科技有限公司于6月16日舉辦了“2023陸芯新品發(fā)布&功率半導(dǎo)體行業(yè)分享會”,邀請功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈同仁共同討論新一代功率半導(dǎo)體的技術(shù)革命和創(chuàng)新發(fā)展。隨著IGBT市場的不斷擴大以及國產(chǎn)IGBT企業(yè)技術(shù)上取得突
2023-06-19 15:35:08360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Matrix IR非接觸式溫度計開源設(shè)計.zip》資料免費下載
2023-06-16 09:36:380 什么是IR-drop?其實,IR這個詞并不是什么縮寫,這里的I就是指電流,R是指電阻,他們放在一起相乘,得出來的結(jié)果就是電壓。
2023-06-16 09:26:262670 IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231254 我將 nodemcu 與 rc522 和 rdm6300 一起使用。但我也想使用 QR 掃描儀。
阿里巴巴的oem設(shè)備太多了。但我不確定我必須選擇哪個協(xié)議。
在技??術(shù)細節(jié)上,產(chǎn)品為我們提供了這樣
2023-05-25 08:03:47
單元,IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種,其中焊接式發(fā)展成熟,應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522951 、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)點;IGBT可以很容易地將輸入的直流電流轉(zhuǎn)換為交流電。 IGBT導(dǎo)通時,可承受數(shù)十至數(shù)百安培的電流,而斷開時,可承受數(shù)百至數(shù)千伏的電壓,而 IGBT在大電流電壓下,也可有極高的開關(guān)速度,每秒可達一萬次。
2023-05-17 15:15:191317 5000W的光伏逆變器會有DC-AC逆變電路、PFC電路等電路,其中DC-AC逆變電路需要使用4個IGBT,PFC電路需要使用2個IGBT。
2023-05-06 14:52:16920 ISL8120IR 數(shù)據(jù)表
2023-04-27 19:45:100 對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?
2023-04-20 10:19:351434 對于后極逆變電路中的Two-level要選擇FHA60T65A型號的IGBT單管來應(yīng)用。尤其是對于單相光伏逆變器的產(chǎn)品,為何?
2023-04-11 10:04:321351 您能否提供se05x 產(chǎn)品的 CPE(通用平臺枚舉)。這是為了檢查NIST CVE 數(shù)據(jù)庫中的漏洞。
2023-04-10 09:10:01
Ultra V6 編譯于 2023 年 3 月 6 日 18:09:24 - 探頭/編程器序列號:506000629 - 選擇了設(shè)備“S32K148”。- 目標接口速度:4000 kHz(固定
2023-04-07 06:34:02
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片,可兼容代換IR2104,應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動
2023-03-29 09:24:35934 IR21814類似的驅(qū)動芯片直接驅(qū)動MOS管,該電路具有驅(qū)動簡單,成本低,PCB占用面積小等優(yōu)點,在我司產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。但是,所采用的LLC諧振拓撲來說,驅(qū)動頻率在195K~360K之間變化
2023-03-28 11:42:481746 IGBT驅(qū)動芯片IR2104的使用?! ⊥ㄟ^用arduino來控制IR2104芯片驅(qū)動半橋IGBT功率管,通過上位機串口控制實現(xiàn)輸出不同占空比的偽模擬電壓信號。主要知識點是電路板設(shè)計和上位機編程實現(xiàn)
2023-03-27 14:57:37
。(IGBT = MOSFET + 晶體管) FS820R08A6P2B型IGBT模塊的工作電流高達820 A,吸收電壓為750 V,且配備用于冷卻液的針狀散熱翅片,為IGBT模塊提供散熱。這些模塊能實現(xiàn)高達
2023-03-23 16:01:54
: * * * * --- 控制器 0(1 個設(shè)備)- -- * * * * 設(shè)備 IR 長度 Xtensa * * 0 5
2023-03-23 07:08:06
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