如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲(chǔ)器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲(chǔ)器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EEPROM，F(xiàn)LASH MEMORY。這里討論一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器：非易失性SRAM（NVSRAM）。

為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以下幾個(gè)性能指標(biāo)和價(jià)格進(jìn)行選擇：

一、保護(hù)數(shù)據(jù)的可靠性：指系統(tǒng)上、掉電期間NVSRAM是否被誤寫，這是NVSRAM最重要的一項(xiàng)性能指標(biāo)，也是用戶最關(guān)心而又難以在購買時(shí)測試的。雖然各廠家都聲稱自己的產(chǎn)品萬無一失保護(hù)數(shù)據(jù)，其實(shí)真正做到這一點(diǎn)的卻很少。大多數(shù)NVSRAM產(chǎn)品使用時(shí)會(huì)丟失數(shù)據(jù)，給用戶帶來很多問題和不便。這主要有以下幾個(gè)原因：上電無保護(hù)延時(shí)，上電期間丟失數(shù)據(jù);掉電時(shí)主電源電壓下降快，保護(hù)電路不能快速將SRAM的供電從主電源切換到備用電池，或?qū)RAM的片選信號(hào)的封鎖不及時(shí)。

二、保護(hù)電壓：設(shè)置保護(hù)電壓主要是為了防止上。掉電期間數(shù)據(jù)的誤寫。對(duì)于用戶來說，在完全可靠保護(hù)數(shù)據(jù)的前提下，保護(hù)電壓越低越好。

三、上電保護(hù)延時(shí)：這是指系統(tǒng)上電時(shí)，當(dāng)VCC高于保護(hù)電壓時(shí)，NV-SRAM延時(shí)多長時(shí)間才可以訪問。這個(gè)延時(shí)是必要的，因?yàn)閂CC高于保護(hù)電壓時(shí)系統(tǒng)不一定正常工作，有可能正處于復(fù)位狀態(tài)或不確定狀態(tài)，極有可能誤定NVSRAM。NVSRAM內(nèi)部電路加以必要的保護(hù)延時(shí)可以有效地防止上電期間的誤寫。用戶在使用NVSRAM時(shí)要注意產(chǎn)品的延時(shí)參數(shù)，系統(tǒng)工作時(shí)最好先測試一下NVSRAM是否已可以訪問;或在初始化程序中加一段延時(shí)程序。

四、使用溫度范圍：某些NVSRAM產(chǎn)品保護(hù)電壓會(huì)隨溫度變化而變化。如果使用NV-SRAM的系統(tǒng)要求的溫度范圍較大，則可以用以下辦法做簡單測試：將NVSRAM放在冰箱速凍室半小時(shí)左右，再立即插人系統(tǒng)使用，測試系統(tǒng)能否正常讀寫NV-SRAM。

五、訪問速度：各類NV-SRAM產(chǎn)品上都標(biāo)有訪問速度，用戶可以根據(jù)自己應(yīng)用系統(tǒng)的要求進(jìn)行選擇。

六、功耗及使用壽命：國外產(chǎn)品都使用低功耗芯片，內(nèi)部控制電路在系統(tǒng)正常工作時(shí)電流小于1mA，系統(tǒng)掉電時(shí)切換到電池供電，此時(shí)的電流僅為100nA左右。NV-SRAM都使用鋰電池作后備電源，由于鋰電池自耗電極低，NVSRAM的使用壽命一般可到十年左右。

七、價(jià)格：總的來說，國外產(chǎn)品價(jià)格昂貴，國內(nèi)產(chǎn)品價(jià)格便宜，但是對(duì)于要丟失數(shù)據(jù)的芯片，即使價(jià)格再便宜，建議用戶也不要選用。

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存儲(chǔ)器(161608) 存儲(chǔ)器(161608)
sram(113777) sram(113777)

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2023-07-21 15:11:06

DRAM和SRAM元器件原理

元器件原理＜DRAM＞由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫入方法＜“1” 時(shí)＞ Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理＜SRAM＞存儲(chǔ)單元

2023-07-12 17:29:08

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一文了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是從功耗測試角度了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制。

2023-07-07 09:58:03

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IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM

IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM

2023-07-06 20:12:09

如何保存數(shù)據(jù)在SRAM存儲(chǔ)器中通過SW?

************************************************* ************************************* * 詳細(xì)說明： * 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過

2023-06-05 09:47:48

M7-0如何訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？

（Flexible Memory Controller）模塊，將SRAM地址范圍映射到外部地址線上，然后通過外部總線訪問SRAM，實(shí)現(xiàn)對(duì)該區(qū)域的訪問。需要注意的是，還需要在代碼中正確配置FMC控制器和外部存儲(chǔ)器的類型、時(shí)序等參數(shù)，才能保證數(shù)據(jù)的正確讀寫。

2023-06-01 18:18:45

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非易失性內(nèi)存有寫入限制嗎？

我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。

2023-05-30 08:48:06

sram內(nèi)存塊不適合mcal_bss段怎么解決？

: *** [makefile:266: main.elf] 錯(cuò)誤 1 在查看數(shù)據(jù)表后，我已經(jīng)將 sram 區(qū)域從默認(rèn)的 28KB 擴(kuò)展到 34KB。如果我將另一個(gè) 1KB 擴(kuò)展到 35KB，我會(huì)

2023-05-19 08:31:12

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)嗎？

SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)？其中的“刷新電路”什么意思？謝謝~

2023-05-10 14:56:06

【正點(diǎn)原子STM32戰(zhàn)艦V4開發(fā)板免費(fèi)試用】使用外部 SRAM 存放顯示緩存

到了FSMC的NE3端口，地址為19位，數(shù)據(jù)為16位，設(shè)置一下cubemx，時(shí)序配置為0；4；0 生成代碼，我這里是用的Makefile 把顯存放在SRAM中，代碼如下 static uint16_t

2023-05-08 20:01:14

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

2023-04-27 20:25:40

國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。

2023-04-27 17:37:44

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用FPGA往SRAM芯片中寫數(shù)據(jù)重復(fù)寫多次才能寫是怎么回事呢？

用FPGA往SRAM芯片中寫數(shù)據(jù)重復(fù)寫多次才能寫是怎么回事呢？

2023-04-23 11:46:44

FPGA重復(fù)讀取同步SRAM所有地址數(shù)據(jù)出錯(cuò)可能是哪些原因？

FPGA重復(fù)讀取同步SRAM所有地址數(shù)據(jù)，一定時(shí)間后隨機(jī)出現(xiàn)某個(gè)或者某些地址為數(shù)據(jù)永久性出錯(cuò)，期間寫控制位一直為無效狀態(tài)，可能是哪些原因？

2023-04-23 11:45:30

是否可以禁用SRAM2的數(shù)據(jù)緩存并保留SRAM 0和SRAM1的數(shù)據(jù)緩存？

我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？

2023-04-23 08:01:09

IMXRT1064外部SRAM，同步和異步模式的CLK使用差異是什么？

IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異

2023-04-21 08:31:29

設(shè)置外圍模塊后MCUXPRESSO溢出SRAM怎么解決？

[Build 9221] [2023-03-28] SDK 是 SDK_2.x_LPC55S06 2.13.0.201911251446如果我啟動(dòng)并設(shè)置一個(gè)新項(xiàng)目，編譯后，我沒有任何錯(cuò)誤，SRAM

2023-04-20 09:06:04

NUCLEO-STM32H723ZG使用MDAM、DMA1/2在SRAM間傳輸數(shù)據(jù)錯(cuò)誤或不傳輸，請問是什么原因?qū)е?/a>

2023-04-14 15:25:19

如何在MCUXpresso IDE上使用芯片上的所有SRAM？

內(nèi)存放入 SRAM_OC2，SRAM_ITC_cm7 的內(nèi)存使用從 150% 減少到 140% .順便說一句，在應(yīng)用程序鏈接到RAM時(shí)是否需要將SRAM_ITC_cm7設(shè)置為第一個(gè)？我已經(jīng)將具有512KB的SRAM_OC1設(shè)置為第一個(gè)，調(diào)試器無法重置并且通過DMA傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)是錯(cuò)誤的。為什么？

2023-04-14 08:01:47