將賽普拉斯nvSRAM替換為MRAM的詳細(xì)說明

存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商宇芯電子本章節(jié)對(duì)賽普拉斯4Mbit（256K x 16）nvSRAM 和?MRAM器件分別在 44 引腳 TSOP-II（薄小外型封裝-II 類型）和48球型焊盤 FBGA（小間距球柵陣列）封裝選擇中各自的引腳和封裝區(qū)別進(jìn)行了詳細(xì)說明。

替換 44 TSOP-II 封裝選擇

圖1顯示的是使用 44 引腳 TSOP-II 封裝選擇時(shí)在相同的44 焊盤 PCB 封裝上將 4Mbit（x16）MRAM 替換為 4Mbit（x16）nvSRAM 的例子。MRAM 和 nvSRAM 器件的 44引腳的 TSOP-II 封裝尺寸是相同的，如表1所示。

?44 引腳 TSOP-II 封裝比較

除引腳 28（在 nvSRAM 上是 VCAP引腳，在 MRAM 上則被設(shè)計(jì)成 DC（請勿連接）引腳）外，nvSRAM 44 引腳TSOP-II 引腳的分布與 MRAM 44 引腳 TSOP-II 引腳的分布完全相同。通過創(chuàng)建用于將電容器連接到 nvSRAM VCAP 的空間，可不調(diào)整電路板也能將?NV-SRAM?和 MRAM 互換。

替換 48 球型焊盤 FBGA 封裝選擇

圖 2 顯示的是使用 48 球型焊盤 FBGA 封裝選擇時(shí)在相同的48 焊盤 PCB 封裝上將 4Mbit（x16）MRAM 替換為 4Mbit（x16）nvSRAM 的例子。MRAM 和 nvSRAM 器件的 48球型焊盤 FBGA 封裝的長度、寬度和高度均不一樣。然而，48 球型焊盤 FBGA 封裝的間距保持一致，這樣可保證兩種封裝選擇的替換引腳是兼容的。在這種情況下，應(yīng)保留PCB 上的封裝防備區(qū)，以便保證能夠在不影響 PCB 上其他組件的前提下順利安裝 nvSRAM 或 MRAM 48 球型焊盤FBGA 封裝。MRAM 和 nvSRAM 的 48 球型焊盤 FBGA 封裝尺寸比較如 表 2 所示
? ? ? ?除了 E3、G2 和 H6 等三腳（在 MRAM 中被設(shè)計(jì)成 DC（請勿連接）或 NC（無連接）引腳）外，nvSRAM 的引腳分布與 MRAM 完全相同。在 nvSRAM 中，E3、G2 和 H6 分別是VCAP、HSB和NC引腳，通過創(chuàng)建用于將電容器連接到nvSRAM VCAP的空間，可不調(diào)整電路板也能將 nvSRAM 和MRAM 互換。通過使用一個(gè)微上拉電阻（~100 K?）可在nvSRAM HSB引腳調(diào)整位高水平，因此，，如果在設(shè) 計(jì)中不需要使用 nvSRAM?HSB引腳的性能，HSB引腳將被保持為懸空（NC）狀態(tài)。nvSRAM NC 引腳的連接不受任何限制。nvSRAM NC 引腳在設(shè)計(jì)中可以處于任何邏輯電平（高或低電平），也可以處于懸空（NC）狀態(tài)。

MRAM 和 nvSRAM48 球型焊盤 FBGA 封裝比較

注釋1:如果在設(shè)計(jì)中不需要使用nvSRAM HSB的性能，它被保持為懸空(或NC)狀態(tài)。在HSB引腳與-一個(gè)控制器I/O相連時(shí)，建議在該引腳上連接-一個(gè)4.7KQ~10KQ的外部上拉電阻。注釋2:當(dāng)在相同封裝上使用MRAM來替換nvSRAM時(shí)，nvSRAMVCAP引腳上的電容器(C)在BOM中可被指定為DNI(請勿設(shè)置)。使用nvSRAM時(shí)，應(yīng)安裝一個(gè)電容器(C) 。

?nvSRAM VCAP和HSB的連接

除 nvSRAM 的 VCAP引腳（相當(dāng)于 MRAM 的無連接（NC）引腳）外，賽普拉斯 nvSRAM 的引腳分布與 MRAM 引腳分布完全相同。
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