串行MRAM芯片MR25H256ACDF概述及特征

“持久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能、字節(jié)可尋址、非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和FRAM（鐵電RAM）都聲稱具有相似的性能優(yōu)勢：低電壓操作、長壽命和非常高的速度。他們以不同的方式實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，盡管在每種情況下，性能突破背后都有創(chuàng)新的材料技術(shù)。首創(chuàng)的MRAM將數(shù)據(jù)位存儲(chǔ)為存儲(chǔ)單元中電阻的變化，這是通過將某些特殊材料暴露在磁場中而產(chǎn)生的。FRAM與MRAM有很大不同：它在鐵電材料中將位存儲(chǔ)為固定電位（電壓）。下面介紹一款可替代FRAM的Serial MRAM芯片MR25H256ACDF。

MR25H256ACDF是一種串行MRAM，其存儲(chǔ)器陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口的片選（CS）、串行輸入（SI）、串行輸出（SO）和串行時(shí)鐘（SCK）四個(gè)引腳接口（SPI）總線。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲(chǔ)器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機(jī)和運(yùn)行功率以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。

MR25H256A Product Options
Grade?	Temperature?	Package
Industrial??	-40~85℃	8-DFN Small Flag
Automotive AEC-Q100 Grade 3??	-40~85℃	8-DFN Small Flag
Automotive AEC-Q100 Grade 1??	-40~125℃	8-DFN Small Flag

特征

?無寫入延遲

?無限寫入耐久性

?數(shù)據(jù)保留超過20年

?斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)

?塊寫保護(hù)

?快速、簡單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達(dá)40MHz

?2.7至3.6伏電源范圍

?低電流睡眠模式

?工業(yè)和汽車1級和3級溫度

?提供8-DFN Small Flag RoHS合規(guī)性封裝。

?直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM

?工業(yè)級和AEC-Q1001級和3級選項(xiàng)

?濕度敏感度MSL-3

Everspin Technologies， Inc是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)運(yùn)輸分立和嵌入式磁阻 RAM （MRAM）和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM （STT-MRAM）的翹楚，面向數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用程序的市場和應(yīng)用。完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin 在數(shù)據(jù)中心、云存儲(chǔ)、能源、工業(yè)、汽車和運(yùn)輸市場部署了超過 1.2 億個(gè) MRAM 和 STT-MRAM 產(chǎn)品，為MRAM 用戶奠定了最強(qiáng)大、增長最快的基礎(chǔ)。

責(zé)任編輯：tzh

閱讀全文

芯片(407685) 芯片(407685)
存儲(chǔ)器(161613) 存儲(chǔ)器(161613)
MRAM(31550) MRAM(31550)

如何讀取ST25DV04后256個(gè)字節(jié)？

當(dāng)前正在開發(fā)安卓APP，碰到無法讀取后256個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的問題，手機(jī)端發(fā)送命令如下 0x02, 0x23, 0x40, 0x7fST25DV04回復(fù) 0x01,0x0f可以看到是讀取失敗了，請問一下應(yīng)該如何讀取？

2024-03-18 06:12:31

電壓檢測器芯片IC FS61C25MR介紹

FS61C25MR電壓檢測器芯片IC是泛海微公司生產(chǎn)的一款高性能、高精度的電壓檢測器。該芯片采用CMOS工藝，具有N溝道特性，適用于各種需要電壓檢測的電子設(shè)備。其封裝形式為SOT-23，具有小巧的體積和優(yōu)異的電氣性能，方便在實(shí)際電路中使用。

2024-03-17 22:51:31

MIKROE-2914

MR25H256 MRAM 存儲(chǔ)器 mikroBUS? Click? 平臺(tái)評估擴(kuò)展板

2024-03-14 22:03:11

受困于良率？三星否認(rèn)HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF工藝

芯片生產(chǎn)中應(yīng)用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技術(shù)的傳言并不屬實(shí)。 ? 三星在HBM生產(chǎn)中目前主要采用非導(dǎo)電薄膜（NCF）技術(shù)，而非SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）封裝工藝。報(bào)道稱之所以要采用MR-MUF是為了解決NCF工藝的一些生產(chǎn)問題。

2024-03-14 00:17:00

2498

FS61C27MR電壓檢測器芯片IC泛海微封裝SOT-23 CMOS N溝道2.7V

FS61C27MR電壓檢測器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能、高可靠性的產(chǎn)品。這款芯片采用SOT-23封裝形式，具有CMOS N溝道特性，其額定電壓檢測閾值為2.7V。憑借其出色的性能

2024-03-13 18:30:20

FS61C25MR電壓檢測器芯片IC泛海微封裝SOT-23 CMOS N溝道2.5V

FS61C25MR電壓檢測器芯片IC是泛海微公司生產(chǎn)的一款高性能、高精度的電壓檢測器。該芯片采用CMOS工藝，具有N溝道特性，適用于各種需要電壓檢測的電子設(shè)備。其封裝形式為SOT-23，具有小巧

2024-03-13 18:28:01

FS61C24MR電壓檢測器芯片IC泛海微封裝SOT-23 CMOS N溝道2.4V

FS61C24MR電壓檢測器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。這款芯片采用SOT-23封裝，具有CMOS N溝道特性，其閾值電壓為2.4V。接下來，我們將

2024-03-13 18:24:44

什么是降壓恒流芯片？它有什么作用？

工作，為低電平芯片輸出關(guān)閉。H5119SL采用SOT23-6封裝。產(chǎn)品特征 l 支持寬壓輸入范圍 l 平均電流工作模式 l 支持輸出電流4A l 轉(zhuǎn)換效率最高可達(dá)95% l 輸出電流精度±3% l

2024-03-08 18:12:14

昂科燒錄器支持Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM

芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持。

2024-03-01 19:19:30

光伏逆變器拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">概述及關(guān)鍵技術(shù)

2024-02-21 09:47:20

197

MRAM特性優(yōu)勢和存儲(chǔ)原理

MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。

2024-02-19 11:32:41

367

AT28C256 EEPROM芯片簡單介紹

AT28C256是一款由Atmel公司生產(chǎn)的256KB的EEPROM芯片，具有高速讀寫特性，適用于多種應(yīng)用場合，包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、程序存儲(chǔ)、固件升級等。

2024-02-01 17:34:53

517

臺(tái)積電開發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片，功耗極低

臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來了新的突破。

2024-01-22 15:44:47

2346

臺(tái)積電開發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片

據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。

2024-01-19 14:35:12

6646

殺手锏！臺(tái)積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片

臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量內(nèi)存和車用市場訂單。

2024-01-18 16:44:04

4838

Omniverse Nucleus概述及特征

NVIDIA Omniverse? Nucleus 是 NVIDIA Omniverse 的數(shù)據(jù)庫和協(xié)作引擎。

2024-01-17 09:22:05

186

深入探索MRAM的原理與技術(shù)

2024-01-09 11:15:26

200

高通推出MR頭戴設(shè)備芯片Snapdragon XR2+ Gen 2

高通宣布推出全新的Snapdragon XR2+ Gen 2芯片，這款芯片專為混合現(xiàn)實(shí)（MR）頭戴設(shè)備設(shè)計(jì)。高通表示，三星和谷歌已經(jīng)計(jì)劃采用這款新芯片。

2024-01-05 15:15:32

223

多家科創(chuàng)板公司明確表示已進(jìn)入蘋果MR產(chǎn)業(yè)鏈

記者了解到，國內(nèi)已有多家公司早早布局了MR產(chǎn)品，更有科創(chuàng)板公司明確表示已進(jìn)入蘋果MR產(chǎn)業(yè)鏈。

2023-12-21 14:21:57

181

SENT總線的特征和優(yōu)勢

SENT總線的特征和優(yōu)勢? SENT總線是一種常用于計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備之間的通信接口。它具有許多特征和優(yōu)勢，使得它在現(xiàn)代電子領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。首先，SENT總線是一種數(shù)字串行通信協(xié)議，它通過串行

2023-12-07 11:15:32

560

PY25Q128HA串行接口閃存設(shè)備產(chǎn)品概述

PY25Q128HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁面擦除粒度也是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，消除了對額外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的需要。

2023-11-30 16:38:00

275

PY25Q64HA串行接口閃存設(shè)備產(chǎn)品概述

PY25Q64HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁面擦除粒度也是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，消除了對額外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的需要。

2023-11-29 16:45:57

397

32M位串行多I/0口 Flash-PY25Q32HB概述

PY25Q32HB是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。

2023-11-28 17:43:07

435

RAM和NAND再遇強(qiáng)敵， MRAM被大廠看好的未來之星

目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。

2023-11-22 14:43:53

213

用BurnTool給星閃芯片BS25燒寫程序

本文介紹用BurnTool給星閃芯片BS25燒寫程序。

2023-11-22 09:49:37

999

如何用BurnTool給海思的星閃芯片BS25燒寫程序？

本文介紹用BurnTool給海思的星閃芯片BS25燒寫程序。

2023-11-14 09:08:29

1749

松下MR240使用說明書

松下 MR240使用說明書

2023-10-31 11:45:08

控制多片PLL芯片時(shí)，串行控制線是否可以復(fù)用？

控制多片PLL芯片時(shí)，串行控制線是否可以復(fù)用？當(dāng)需要控制多片PLL芯片時(shí)，使用復(fù)雜電路來進(jìn)行控制并非理想方案，因?yàn)槭褂枚鄠€(gè)電路芯片會(huì)導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)變得復(fù)雜且難以處理。因此，確定一個(gè)適當(dāng)?shù)慕鉀Q方案

2023-10-30 10:16:42

149

DS28E25: DeepCover Secure Authenticator with 1-Wire SHA-256 and 4Kb User EEPROM Data Sheet DS28E25: DeepCover Secure Authenticator with 1-Wi

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)DS28E25: DeepCover Secure Authenticator with 1-Wire SHA-256 and 4Kb User EEPROM

2023-10-16 18:55:54

點(diǎn)陣數(shù)顯驅(qū)動(dòng)芯片3線/4線芯片數(shù)顯LED原廠VK1618概述及功能特點(diǎn)

型號(hào)：VK1618 品牌：永嘉微電/VINKA 封裝形式：SOP18 概述：VK1618是一種帶鍵盤掃描接口的數(shù)碼管或點(diǎn)陣LED驅(qū)動(dòng)控制專用芯片，內(nèi)部集成有3線串行接口、數(shù)據(jù)鎖存器、LED 驅(qū)動(dòng)

2023-10-12 14:23:43

MAX66250 ISO 15693, SHA3-256, 256, 256-256, 256-Bit用戶EEPROM 安全認(rèn)證數(shù)據(jù)表 ADI

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX66250 ISO 15693, SHA3-256, 256, 256-256, 256-Bit用戶EEPROM 安全認(rèn)證數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有

2023-10-09 19:19:02

什么是串行與并行？串行和并行各自有什么優(yōu)越點(diǎn)和應(yīng)用場景？

串行數(shù)據(jù)傳輸：因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)都是并行傳輸?shù)模皇窃?b class="flag-6" style="color: red">芯片發(fā)送器一端轉(zhuǎn)換為串行形式

2023-10-08 16:15:26

4992

usb轉(zhuǎn)25針并口的芯片電路有嗎？

usb 轉(zhuǎn)25針并口的芯片電路有么

2023-09-25 06:04:58

C語言概述及如何上機(jī)運(yùn)行C程序

C語言概述以及如何上機(jī)運(yùn)行

2023-09-18 11:05:06

CW25Q64A_DS_EN_V1.0數(shù)據(jù)手冊

，每個(gè)頁面256字節(jié)。一次最多可編程256個(gè)字節(jié)。可以按16個(gè)組(4KB扇區(qū)擦除)、128個(gè)組(32KB塊擦除)、256個(gè)組(64KB塊擦除)或整個(gè)芯片(芯片擦除)來擦除頁面。 CW25

2023-09-15 08:11:20

CW24C256A/512A數(shù)據(jù)手冊

1. 描述引腳排列 CW24C256A/512A是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗

2023-09-15 07:45:35

CW24C256B/512B數(shù)據(jù)手冊

1. 描述引腳排列 CW24C256B/512B是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗

2023-09-15 07:20:24

CW25Q128A_DS_EN_V1.0數(shù)據(jù)手冊

。 CW25Q128A分別具有4,096個(gè)可擦除扇區(qū)和256個(gè)可擦除塊。小的4KB扇區(qū)允許在需要數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲(chǔ)的應(yīng)用中提供更大的靈活性。 (參見圖5-1 CW25Q128A串行閃存框圖。)。 CW25Q128A支持

2023-09-15 06:00:05

ST25TV芯片系列介紹

意法半導(dǎo)體ST25TV芯片系列提供了NFC forum標(biāo)簽，使消費(fèi)者能夠體驗(yàn)數(shù)字化生活。嵌入式EEPROM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度范圍從512位到64 Kb不等，可覆蓋各種應(yīng)用，包括品牌保護(hù)和門禁控制。 ST25TV系列提供最先進(jìn)的RF性能以及強(qiáng)大的保護(hù)功能，例如block lock機(jī)制與加密密碼。

2023-09-14 08:25:12

關(guān)于非易失性MRAM應(yīng)用

作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對價(jià)格的敏感度也較低。它相對較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。

2023-08-30 15:28:50

407

ST25DV04無法讀取后256個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的問題

當(dāng)前正在開發(fā)安卓APP，碰到無法讀取后256個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的問題，手機(jī)端發(fā)送命令如下 0x02, 0x23, 0x40, 0x7fST25DV04回復(fù) 0x01,0x0f可以看到是讀取失敗了，請問一下應(yīng)該如何讀??？感謝

2023-08-07 15:08:46

MR4.11固件

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MR4.11固件.zip》資料免費(fèi)下載

2023-07-29 09:32:34

MR16 EMC的參考設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MR16 EMC的參考設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載

2023-07-24 10:52:05

mr頭顯設(shè)備有哪些功能 MR成像原理是什么

　隨著VR和AR技術(shù)的發(fā)展，有廠商開始將兩者融合到一起，推出了MR頭顯設(shè)備。這些設(shè)備結(jié)合了虛擬現(xiàn)實(shí)和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)的功能，能夠提供更加豐富和交互性的體驗(yàn)。MR頭顯設(shè)備使用傳感器跟蹤用戶的頭部動(dòng)作，并通過顯示器將虛擬元素疊加到用戶的真實(shí)環(huán)境中。

2023-07-18 15:34:51

1699

芯片制造商N(yùn)etsol推出STT-MRAM

Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

2023-07-07 17:06:59

262

蘋果公司或下調(diào)MR頭顯Vision Pro的產(chǎn)量

設(shè)計(jì)的R1芯片。Apple Vision Pro售價(jià)3499美元起，換算成人民幣超過2.5萬元。蘋果公司計(jì)劃削減混合現(xiàn)實(shí)（MR）頭顯Vision Pro的生產(chǎn)目標(biāo)，原因是因?yàn)閂ision Pro設(shè)計(jì)的

2023-07-04 11:58:57

1938

AT25DF256 數(shù)據(jù)表

2023-07-03 18:51:34

AT25DN256 數(shù)據(jù)表

2023-07-03 18:49:28

【了不起的芯片】VR、AR、MR：你能夠看到的未來，不止元宇宙

新思科技一直致力于打造“人人都能懂”的行業(yè)科普視頻，傳播更多芯片相關(guān)小知識(shí)，解答各類科技小問題。每周3分鐘，多一些“芯”知識(shí)。這一期，我們聊一聊VR、AR與MR的那些事兒。 VR、AR、MR

2023-06-30 17:35:03

966

數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用STT-MRAM芯片S3R1016

MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程。可以記錄系統(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。

2023-06-20 17:06:22

219

核輻射檢測儀-MR-50EXP

產(chǎn)品概述MR-50EXP輻射檢測儀（射線電離輻射）采用美國進(jìn)口“蓋革技術(shù)管”制作而成是一款新型性價(jià)比超高的多功能射線輻射探測儀。輻射檢測儀（MR-50 EXP

2023-06-09 16:46:25

蘋果MR Vision Pro將會(huì)帶動(dòng)哪些零部件出貨？

蘋果MR Vision Pro供應(yīng)鏈分析。在光學(xué)、顯示、交互和芯片方面采用的都是何種方案。

2023-06-08 10:17:09

553

JAQUET-DSD25傳感器概述及工作原理

JAQUET-DSD25傳感器是適用于鐵路應(yīng)用的3通道和4通道霍爾效應(yīng)速度傳感器。目前有兩大主要的趨勢在推動(dòng)列車速度傳感器需求的增加。首先，軌道車輛的成本和重量在降低；其次，列車控制系統(tǒng)的升級

2023-06-03 10:27:31

286

1Mbit存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。

2023-05-31 17:23:08

403

三種不同的存儲(chǔ)芯片性能比較

為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。

2023-05-31 17:14:24

788

芯片封裝概述及EMI

?；?qū)⑵涿枋鰹榘丫哂刑囟üδ艿?b class="flag-6" style="color: red">芯片放置在一個(gè)與其兼容的外部容器中，并為芯片運(yùn)行提供穩(wěn)定的工作環(huán)境。下圖所示，由晶元、封裝基板、鍵合線、焊球以及PCB板等組成為典型封裝結(jié)構(gòu)。

2023-05-25 09:36:04

2511

芯片設(shè)計(jì)流程概述

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們芯片設(shè)計(jì)流程概述芯片設(shè)計(jì)分為前端設(shè)計(jì)和后端設(shè)計(jì)，前端設(shè)計(jì)（也稱邏輯設(shè)計(jì)）和后端設(shè)計(jì)（也稱物理設(shè)計(jì)）并沒有統(tǒng)一嚴(yán)格的界限，涉及到與工藝有關(guān)的設(shè)計(jì)就是后端設(shè)計(jì)。 1. 規(guī)格

2023-05-22 19:30:01

396

MR-50EXP系列便攜式輻射檢測儀

產(chǎn)品概述 MR-50EXP輻射檢測儀（射線電離輻射）采用美國進(jìn)口“蓋革技術(shù)管”制作而成是一款新型性價(jià)比超高的多功能射線輻射探測儀。輻射檢測儀（MR-50 EXP）體積小，重量輕，攜帶方便，同時(shí)可以

2023-05-22 16:30:15

280

BL24C256A-PARC 256Kbits 5.5V EEPROM存儲(chǔ)芯片 BL24C256A

描述BL24C256A提供262144位串行電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織形式為32768每個(gè)字8位。該設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化，可用于多種用途工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用低功率和低電壓操作本質(zhì)

2023-05-16 15:12:07

908MR32替換型號(hào)有哪些？

908MR32我們已經(jīng)用了10多年了，現(xiàn)在很難買到，所以想用新的MCU來代替908MR32。有推薦的型號(hào)嗎？+5V 電源是首選。

2023-04-28 07:38:01

Netsol SPI MRAM芯片S3A1604

S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。

2023-04-27 17:33:44

420

用QSPI驅(qū)動(dòng)W25Q256FV芯片但讀寫不正常求解？

最近項(xiàng)目用來了QSPI驅(qū)動(dòng)W25Q256FV這款芯片。由于SFUD有這款芯片的驅(qū)動(dòng)，就找了bsp stm32l475-atk-pandora下的port燒錄后的現(xiàn)象是可以識(shí)別芯片，但是讀寫不正常

2023-04-27 11:34:00

ISL12022MR5421 數(shù)據(jù)表

2023-04-26 20:04:47

SPI串行外設(shè)接口的特點(diǎn)概述

SPI是Serial Peripheral interface的縮寫，是一種串行外設(shè)接口。全雙工通信，有4根信號(hào)線，在MCU、SOC、FLASH、DSP等芯片上常見。

2023-04-24 17:29:44

1169

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

2023-04-19 17:45:46

2547

微波功分器和耦合器術(shù)語概述和定義

功率分配器和耦合器是直截了當(dāng)?shù)臒o源元件。這是注意設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)、設(shè)計(jì)執(zhí)行和制造質(zhì)量。這將導(dǎo)致高性能組件。在本教程中，我們將介紹一個(gè)基本的Marki微波功率分配器和耦合器概述及功率定義。

2023-04-19 09:12:17

331