前不久，國家無線電監(jiān)測中心與全球移動通信系統(tǒng)協(xié)會（GSMA）共同發(fā)布了關(guān)于未來寬帶移動通信與頻譜高效利用的合作研究報告。
2023-07-17 09:56:00
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蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報告》。報告結(jié)果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過程的可持續(xù)性和透明度不
2023-07-12 13:09:55287 蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報告》。報告結(jié)果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過
2023-07-07 16:07:24321 自己的模板
研究 報告《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場前景
報告》，如需領(lǐng)取
報告，請關(guān)注公眾號，后臺回復 ? 虛擬人? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-03 17:25:02283 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質(zhì)非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標準無塵生產(chǎn)車間，為客戶進行一站式服務。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
國產(chǎn)化率認證報告（摘錄2）
圖3 國產(chǎn)化率認證報告（摘錄3）
圖4 國產(chǎn)化率認證報告（摘錄4）
來自“中國賽寶實驗室”，很權(quán)威
工業(yè)和信息化部電子第五研究所（中國賽寶實驗室），又名
2023-06-15 16:56:01
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓撲結(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質(zhì)的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出藍
2023-06-15 15:50:54
% 化學物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過 50% 的包裝材料，那氮化鎵的環(huán)保優(yōu)勢，將遠遠大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
橋式拓撲結(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進行了詳盡研究和分析
2023-06-09 10:32:36550 
步入式恒溫恒濕試驗房的用途:適用于塑膠、電子、食品、服裝、車輛、金屬、化學、建材、航天等多種行業(yè)的溫濕變化產(chǎn)品可靠性檢測。是指能同時施加溫度、濕度應力的試驗箱,由制冷系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、溫度
2023-06-09 10:30:45
可程式恒溫恒濕試驗箱試驗溫度:持續(xù)時間不能試驗的化學品系統(tǒng)組成需注意的幾個問題，溫濕度箱的選擇，本機專門測試各種材料耐熱、耐寒、耐干、耐濕的性能。本機可選擇中文或英文液晶顯示觸控式屏幕畫面，操作簡單
2023-06-05 14:33:56
發(fā)展研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進行了詳盡研究和分析。 以下為報告內(nèi)容 受篇幅限制，以上僅為部分報告預覽 后臺回復【 AIG
2023-06-04 16:15:01503 
使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
用于電動摩托 砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產(chǎn)品概述：GS302SA-3通過磁場強度的變化，輸出等比例霍爾電勢，從而感知電流及線性位移，廣泛用于電流傳感器、線性馬達等。由于
2023-05-31 10:02:47
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
自己的模板 研究 報告《 汽車電子2023車載充電機(OBC)市場分析》，如需領(lǐng)取報告，請關(guān)注公眾號，后臺回復 ? OBC? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需
2023-05-29 17:55:02896 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù)，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反復摩擦，硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38489 
自己的模板 研究 報告《 工業(yè)視覺產(chǎn)業(yè)與工業(yè)圖像傳感器技術(shù)趨勢分析》，如需領(lǐng)取報告，請關(guān)注公眾號，后臺回復 ? 工業(yè) ? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交
2023-05-11 20:16:37145 減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結(jié)合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質(zhì)來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 [技術(shù)領(lǐng)域] 本實用新型涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統(tǒng)。 由于半導體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學
2023-04-20 13:57:0074 SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關(guān)
2023-04-18 15:19:22
MA4AGSW2AlGaAs 反射式MA4AGSW2 是一種鋁-鎵-砷、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型 AlGaAs 陽極，采用 MACOM
2023-04-18 12:00:04
MA4AGSW1MA4AGSW1AlGaAs 反射式MACOM 的 MA4AGSW1 是一種鋁-鎵-砷、單刀、單擲 (SPST)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型 Al-GaAs 陽極，采用
2023-04-18 11:06:14
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研究 報告《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
報告》，如需領(lǐng)取
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2023-04-12 15:10:02390 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 計算機類競賽研究報告》（下簡稱《研究報告》），這是全國性大學生計算機類競賽研究報告的首次發(fā)布。廣和通歷年重點參與的賽事：榜單內(nèi)賽事全國大學生嵌入式芯片與系統(tǒng)設(shè)計競賽、全國大學生物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計競賽均被研究報告專家工作組選取作為計算機類競賽研究報告數(shù)據(jù)采集覆蓋的計算機類競賽項目之一。
2023-04-10 10:16:15
濟南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布了《中國工業(yè)邊緣市場分析》研究報告（以下簡稱《報告》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機器視覺等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30540 清洗過程在半導體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導體的物理特性會根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251 
調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領(lǐng)域必備的測試設(shè)備，用于測試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗
2023-03-28 09:02:36
自己的模板 研究 報告《 國內(nèi)電源管理IC企業(yè)2022年業(yè)績分析》，如需領(lǐng)取報告，請關(guān)注公眾號，后臺回復 ? 電源管理? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交
2023-03-27 20:25:04478 已全部加載完成
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