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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>通過紫外線輔助光蝕刻技術(shù)實現(xiàn)的濕式蝕刻

通過紫外線輔助光蝕刻技術(shù)實現(xiàn)的濕式蝕刻

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在氮化鎵和AlGaN上的濕式數(shù)字蝕刻

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一文詳解紫外線技術(shù)應(yīng)用技術(shù)

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禁運不斷加碼,ASML***中國銷量卻在飆升

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自動蝕刻機物聯(lián)網(wǎng)助力監(jiān)控運維更加高效

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紫外線消毒設(shè)備數(shù)據(jù)采集遠(yuǎn)程監(jiān)控預(yù)警系統(tǒng)解決方案

利用水、工業(yè)廢水處理站出水等場景。 PLC自動化控制系統(tǒng)在污水處理行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛,可以提高污水處理工藝的精確控制與自動化控制,具備良好的操作性與穩(wěn)定性。通過物通博聯(lián)工業(yè)智能網(wǎng)關(guān)接入到紫外線消毒設(shè)備PLC中,實現(xiàn)設(shè)備數(shù)據(jù)采集并傳
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請問波長多少的紫外線led適合做uv漆的光固化?

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2023-11-02 08:08:23

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2023-10-18 09:53:19788

印制電路噴淋蝕刻精細(xì)線路流體力學(xué)模型分析

在精細(xì)印制電路制作過程中,噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一。現(xiàn)有很多的文章對精細(xì)線路的蝕刻做了大量的研究,但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中,并沒有從本質(zhì)上認(rèn)識噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問題。
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PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素

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2023-10-16 15:04:35553

東京電子3D NAND蝕刻技術(shù)或挑戰(zhàn)泛林市場領(lǐng)導(dǎo)地位

據(jù)悉,東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法,該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加,如果層數(shù)增加,就需要性能更高的裝置。
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MAX17614:4.5V至60V、3A、理想二極極/有當(dāng)前限制的電源選擇器、紫外線、OV保護數(shù)據(jù)表 ADI

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關(guān)于氮化鎵的干蝕刻綜述

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淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問題

要注意的是,蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474

低能量電子束曝光技術(shù)

直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中,首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖,然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292

pcb蝕刻是什么意思

 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
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半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)市場預(yù)計增長到2028年的120億美元,復(fù)合年增長率為2.5%

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華林科納用于硅探測器設(shè)計的紫外線抗反射涂層

,我們描述了一種創(chuàng)造性的解決方案,它在紫外線波長下提供了出色的性能。我們描述了在120至300nm波長下理論量子效率(QEs)大于60%的涂層CCD探測器的開發(fā)進(jìn)展。這種高效率可以通過用一系列薄膜AR涂層涂覆背面照明的、減薄的、delta摻雜的C
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Kyosemi Gan型紫外線傳感器產(chǎn)品概述

用于深紫外線傳感應(yīng)用的GaN型紫外線傳感器。 與Si型紫外線傳感器相比,新產(chǎn)品對UV-B和UV-C深紫外線具有更高的靈敏度。 通過使用GaN,產(chǎn)品的靈敏度是Si型UV傳感器的三倍。
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如何實現(xiàn)PCB蝕刻工藝中的均勻性呢?有哪些方法?

PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象,通常發(fā)生在頂部,這種現(xiàn)象會導(dǎo)致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
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紫外輻射傳感器:守護我們的陽光

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深度解讀硅微納技術(shù)蝕刻技術(shù)

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2023-07-03 19:29:58

電暈消毒紫外線機器人開源分享

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2023-06-30 15:10:040

固化領(lǐng)域使用的UVA紫外線手電筒波長到底哪個好?

紫外線無損檢測燈
2023-06-29 15:45:23478

MEGR 3171便攜式溫度和紫外線指數(shù)

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2023-06-28 10:59:360

鋁等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻,我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓,但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318

UVC Box:一款DIY紫外線消毒器

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2023-06-27 10:05:420

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術(shù),允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜,在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用,但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時,這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低,濕法化學(xué)也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053

使用ML8511紫外線傳感器Arduino的紫外線指數(shù)計

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2023-06-26 10:36:210

Pinaka:UVD(紫外線消毒)機器人開源分享

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2023-06-25 14:22:110

Aston 質(zhì)譜儀對小開口區(qū)域的蝕刻有更高的靈敏度

步驟的工藝中的實時 EPD. 這是通過高信噪比 SNR 實現(xiàn)的, 從而避免了 OES 設(shè)備中常見的模棱兩可和復(fù)雜的多變量分析算法.
2023-06-20 17:28:31258

上海伯東大口徑射頻離子源成功應(yīng)用于12英寸IBE 離子束蝕刻

上海伯東美國?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機, 實現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù),它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù),允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526

學(xué)會如何保養(yǎng)紫外老化試驗箱

【產(chǎn)品介紹】紫外老化試驗箱適用于非金屬材料的耐陽光和人工光源的老化試驗。源采用8只額定功率為40W的紫外熒光燈作發(fā)光源。紫外線熒光燈管,分布在機器的兩側(cè),每側(cè)各4只(有UVA-340和UVB-313
2023-06-14 15:20:45250

遠(yuǎn)程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優(yōu)良的靜電完整性,三維(3D)設(shè)計(如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET ))預(yù)計將在互補金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻,但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性,需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779

【開源】4G_Lora遠(yuǎn)程紫外線監(jiān)測器

概述: ? SB-FSS06 是一款基于C2M低代碼核心模組開發(fā)的《4G_Lora遠(yuǎn)程紫外線監(jiān)測器》設(shè)備,可實現(xiàn)4G或Lora遠(yuǎn)程獲取紫外線強度值的功能。該設(shè)備的配置方式極其簡單,用戶無需在電腦端
2023-06-13 10:13:32

紫外鏡頭在近距離刑偵上的應(yīng)用

本身溫度大于絕對零度的物體,都可以發(fā)射電磁波;電磁波從低頻率到高頻率,包括無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X-射線和伽馬射線等。光也是一種電磁波,紫外線通常是指波長在100—400nm之間的電磁波,相對于人眼不可見。
2023-06-07 16:30:54683

載體晶圓對蝕刻速率、選擇性、形貌的影響

等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟,然而,載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵(GaN)設(shè)備,通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中,英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程,測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù),提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì),特別是,當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時,金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而,用于制造微孔的技術(shù)是耗時的,并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此,英思特開發(fā)了一種通過濕化學(xué)蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846

施奈仕與您分析:影響UV三防漆固化速度的因素有哪些?

UV三防漆(電防膠)是一種通過紫外線輻射固化的涂料,其固化速度快的特點可有效防止漆膜表面起皺、脫落等現(xiàn)象發(fā)生。但是在實際施膠過程中,UV三防漆固化速度會受不同因素影響,那么影響UV三防漆的固化速度
2023-05-22 10:31:26362

如何在蝕刻工藝中實施控制?

蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝,因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定,蝕刻率就會變化,因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學(xué),以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575

PCB常見的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917

高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700

硅晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584

***平行光源應(yīng)用及性能參數(shù)

光刻機用UV光源,其通過特殊光學(xué)設(shè)計發(fā)射出接近平行光的UV平行光,使特定波段的紫外線通過掩膜掩孔對集成電路高精密線路完成蝕刻曝光顯影的工作。
2023-05-11 10:34:283159

如何讓成堆的紙張均勻散開,保持一定距離?

文件殺菌機的想法 目前針對文件殺菌的設(shè)備很少,主要用于臭氧殺菌,或紫外線照射殺菌。無法對文件內(nèi)部,或堆疊的文件內(nèi)頁進(jìn)行殺菌。 想利用靜電原理,或者電荷釋放使紙張帶同種電荷,然后相互排斥,以達(dá)到成堆
2023-05-04 15:24:28

用于紫外線殺菌燈的電子鎮(zhèn)流電路分享

在這篇文章中,我們將討論直流紫外線殺菌燈鎮(zhèn)流器電路的結(jié)構(gòu),該電路可用于通過12V直流電源驅(qū)動任何標(biāo)準(zhǔn)的20瓦紫外線燈。
2023-04-29 17:21:007152

燈絲溫度對于熒光燈的影響

在昨天測試紫外線燈管擊穿電壓實驗中, 燈絲沒有加熱。?對應(yīng)的擊穿電壓為1308V,?如果將燈絲進(jìn)行加熱, 能夠在多大程度上降低紫外線燈管的擊穿電壓呢??我們知道電子是從陰極發(fā)射的, 所以下面通過實驗測試一下對于陰極燈絲加熱之后, 紫外線燈管的擊穿電壓是多少。
2023-04-24 13:45:30358

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號:JFKJ-21-206 作者:炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118

PCB制造過程分步指南

波長的紫外線水平不足以影響光刻膠?! 『谏该髂z片通過銷釘固定,以防止與面板對齊。當(dāng)面板和鋼網(wǎng)接觸時,發(fā)生器會用高強度的紫外線將其噴砂,從而使致抗蝕劑硬化。然后,面板進(jìn)入機器,該機器去除未硬化的抗蝕劑
2023-04-21 15:55:18

燈絲溫度對于熒光燈的影響

在昨天測試紫外線燈管擊穿電壓實驗中, 燈絲沒有加熱。?對應(yīng)的擊穿電壓為1308V,?如果將燈絲進(jìn)行加熱, 能夠在多大程度上降低紫外線燈管的擊穿電壓呢??我們知道電子是從陰極發(fā)射的, 所以下面通過實驗測試一下對于陰極燈絲加熱之后, 紫外線燈管的擊穿電壓是多少。
2023-04-19 11:45:05320

光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應(yīng)離子蝕刻

反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝,與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:331004

低溫蝕刻重新出現(xiàn)_

經(jīng)過多年的研發(fā),隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn),一種稱為低溫蝕刻技術(shù)正在重新出現(xiàn),成為一種可能的生產(chǎn)選擇。
2023-03-29 10:14:41392

PCB加工的蝕刻工藝

印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程,本文就對其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

技術(shù)使蝕刻半導(dǎo)體更容易

研究表明,半導(dǎo)體的物理特性會根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化,因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251

使用 ClF 3 H 2遠(yuǎn)程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅

在濕蝕刻的情況下,隨著SiNx/SiOy層的厚度減小,剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌,蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402

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