負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會(huì)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報(bào)告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種新型藍(lán)牙物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備》，深入分析了這種新型物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。
2024-03-11 15:08:54 284 該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報(bào)告 預(yù)測了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場增長趨勢 ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會(huì)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報(bào)告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種
2024-03-06 11:07:24 87 大多數(shù)氣體分子在中紅外 光譜范圍（2.5~20 μm）內(nèi)具有振動(dòng)特征吸收 峰，這一特性可應(yīng)用于痕量氣體檢測和定量分析。
2024-03-01 09:24:54 165 根據(jù)已公開的研究報(bào)告 ，東京電子的新式蝕刻 機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻 的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻 工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22 109 近紅外 光譜儀（Near Infrared Spectrometer，NIRS）是一種用于測量物質(zhì)近紅外 光譜的儀器。它利用物質(zhì)在近紅外 光波段的吸收 特性來獲取樣品的信息，廣泛應(yīng)用于農(nóng)業(yè)、生命科學(xué)、環(huán)境
2024-02-04 16:52:57 298 單晶 光伏板和多晶光伏板的區(qū)別? 單晶 光伏板和多晶光伏板是目前最常用的兩種太陽能光伏電池板。它們?cè)诓牧?、生產(chǎn)工藝、性能和成本等方面存在一些明顯的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹單晶 光伏板和多晶光伏板的區(qū)別。 首先
2024-02-03 09:19:22 652 在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法 蝕刻 和等離子體干法化學(xué)蝕刻 。
2024-01-26 09:59:27 547 佐思汽研發(fā)布《2023-2024年全球和中國混合動(dòng)力汽車研究報(bào)告 》。
2024-01-25 13:54:50 1270 近紅外 光譜儀是一種用于測量物質(zhì)在近紅外 波段的吸收 和散射性質(zhì)的儀器。近紅外 光譜儀的原理基于光的互作用和物質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)之間的相互關(guān)系，能夠提供物質(zhì)分子的結(jié)構(gòu)、成分和濃度等信息。近紅外 光譜儀在許多領(lǐng)域都有
2024-01-25 13:43:06 369 光伏板單晶 和多晶哪個(gè)發(fā)電多？ 太陽能光伏板是利用太陽光的能量轉(zhuǎn)換為電能的裝置。而光伏板的發(fā)電效率是一個(gè)衡量其性能的重要指標(biāo)。單晶 和多晶是光伏電池的兩種常見制造工藝，它們?cè)诎l(fā)電效率上有所不同。在這
2024-01-23 14:58:14 349 智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法 工藝設(shè)備研究 、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法 設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法 刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23 636 AlN單晶 襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究 興趣. 物理氣相輸運(yùn)（PVT）是最適合AIN襯底制備的方法。
2023-12-28 09:20:22 316 轉(zhuǎn)自：存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日， 存 儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究 院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲(chǔ)研究報(bào)告 （2023）》，詳細(xì)闡釋分布式融合存儲(chǔ)概念和技術(shù)要求
2023-12-21 18:05:01 270 這份報(bào)告 由業(yè)內(nèi)知名研究 機(jī)構(gòu)——MicroLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會(huì)公布。事實(shí)上，早在2000年，業(yè)界便開始關(guān)注MicroLED技術(shù)。該技術(shù)以其出色的亮度、豐富的色彩展現(xiàn)力以及超長的使用壽命引起了轟動(dòng)。
2023-12-20 14:35:07 333 世界各國不僅把6G作為構(gòu)筑未來數(shù)字經(jīng)濟(jì)與社會(huì)發(fā)展的重要基石，也將其視為國家間前沿科技競爭的制高點(diǎn)。全球主要國家的多。個(gè)研究 機(jī)構(gòu)和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術(shù)趨勢、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等方面的白皮書和研究報(bào)告 ，陳述各國發(fā)展6G的宏偉愿景與技術(shù)思考。
2023-12-19 11:23:36 151 量子阱紅外 探測器基于子帶躍遷的工作原理，探測器吸收 紅外 輻射后激發(fā)量子阱中的電子，使其從基態(tài)躍遷到連續(xù)態(tài)中，從而實(shí)現(xiàn)紅外 探測。
2023-12-18 10:42:41 232 GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法 蝕刻 是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻 速率和各向同性的蝕刻 輪廓。
2023-12-05 14:00:22 220 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究 。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻 方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39 259 存儲(chǔ)研究報(bào)告 》（以下簡稱：《報(bào)告 》）正式發(fā)布?！?b class="flag-6" style="color: red">報(bào)告》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲(chǔ)的概念、技術(shù)架構(gòu)和應(yīng)用場景，為融合存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究 院領(lǐng)導(dǎo)表示，“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素，數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01 172 單晶 硅光伏板是一種基于單晶 硅材料制造的太陽能光電設(shè)備，常用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶 硅光伏板由多個(gè)單晶 硅太陽能電池片組成，每個(gè)電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進(jìn)行支撐和保護(hù)。
2023-11-29 09:46:06 1005 濕法 刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17 452 目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻 完成的。干法蝕刻 有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻 側(cè)壁。干法蝕刻 產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30 241 強(qiáng)度與柔韌性等，被視為“后摩爾定律”時(shí)代半導(dǎo)體工業(yè)新的突破口。然而，極薄的厚度導(dǎo)致的弱光-物質(zhì)相互作用成為研發(fā)高性能紅外 探測器件的重要挑戰(zhàn)。目前已經(jīng)報(bào)道的研究 工作并沒有提供令人滿意的吸收 增強(qiáng)效果與低損耗率，
2023-11-17 09:07:34 219 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報(bào)告 .pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 14:29:13 0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于開關(guān)電源的尖峰吸收 電路研究 .doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:45:19 2 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于開關(guān)電源的尖峰吸收 電路研究 .pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 10:29:15 0 艾瑞咨詢：2023年中國家用智能照明行業(yè)研究報(bào)告
2023-11-07 16:37:39 0 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法 化學(xué)蝕刻 來蝕刻 或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32 244 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法 化學(xué)蝕刻 結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻 工藝。干法蝕刻 開發(fā)一開始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻 速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻 。
2023-10-07 15:43:56 319 隨著紅外 探測技術(shù)的飛速發(fā)展，紅外 隱身材料的開發(fā)已成為一個(gè)迫切的需求。紅外 隱身效果受溫度和紅外 發(fā)射率的共同影響，但以往的研究 大多集中在單一因素上，從而限制了紅外 隱身產(chǎn)品的有效性。
2023-10-07 15:28:42 678 香港上市公司ESG表現(xiàn)積極 ?但仍需持續(xù)改進(jìn) 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務(wù)繼2021年以來，于2023年9月19日，連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報(bào)告 。通過對(duì)上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58 265 都在研究 這種新型設(shè)備，因?yàn)檫@種新型設(shè)備具有類似塊體 結(jié)構(gòu)無法實(shí)現(xiàn)的物理特性和行為。 朱教授的團(tuán)隊(duì)最近研究 了范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)對(duì)于高效光捕獲的適用性，并在《化學(xué)物理雜志》上發(fā)表了一篇新文章，報(bào)告 了他們的實(shí)驗(yàn)和發(fā)現(xiàn)。他們
2023-09-18 16:47:48 178 在紅外 光的照射下，氣體分子只能夠吸收 與其本身分子轉(zhuǎn)動(dòng)、振動(dòng)頻率一致的紅外 光譜。 由于不同氣體擁有各自不同的特征頻率，因此采用特定頻率的激光照射被測氣體時(shí)，根據(jù)氣體紅外 吸收 光譜可以從中可以獲得該氣體在紅外 區(qū)的吸收 峰，根據(jù)紅外 吸收 峰通過查詢數(shù)據(jù)庫可以得到待檢測的是何種氣體。
2023-09-18 10:24:55 386 好消息再次傳來！ 統(tǒng)信UOS又雙叒叕獲得認(rèn)可！ 第一新聲發(fā)布 《2023年中國信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告 》 我們分別入選： 中國最佳信創(chuàng)廠商TOP50 中國最佳信創(chuàng)操作系統(tǒng)廠商 中國最佳信創(chuàng)廠商優(yōu)秀
2023-09-13 17:02:17 376 近日，中國信息通信研究 院在“2023 SecGo云和軟件安全大會(huì)”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報(bào)告 （2023年）》 （以下簡稱“報(bào)告 ”），全面介紹了在數(shù)字化轉(zhuǎn)型深化背景下，零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01 488 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻 工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻 。
2023-09-06 09:36:57 811 吸收 電流是什么意思 吸收 電流是指某個(gè)電子元件、電路或設(shè)備所需要的電流，以供其正常工作或發(fā)揮預(yù)期功能。這些電路和設(shè)備需要一定的電流才能工作。在電路中，電流可以被看作是電荷在電路中的流動(dòng)。電荷從高
2023-09-05 09:19:17 1102 我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測用有機(jī)堿性溶液的濕法 蝕刻 ，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻 導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56 239 ?！该滥芄夥箵碛械母道锶~紅外 光譜儀，可測量物質(zhì)紅外 吸收 的頻率、強(qiáng)度和線型等，從而獲得物質(zhì)中局域結(jié)構(gòu)方面的信息。本期「美能光伏」將給您講解異質(zhì)結(jié)電池中非晶硅薄膜的紅外 吸收 光譜。
2023-08-19 08:37:00 661 碲鎘汞（HgCdTe）、銻化銦（InSb）和銦鎵砷（InGaSb）等塊體 半導(dǎo)體紅外 探測器的優(yōu)異性能使得其在制導(dǎo)、遙感、偵察等軍事及航天領(lǐng)域均發(fā)揮了重要作用。
2023-08-10 09:24:38 860 碲鎘汞是一種近乎理想的紅外 探測器材料，吸收 系數(shù)高、量子效率高、載流子壽命長、工作溫度高，而且通過調(diào)整組分能夠覆蓋1 μm ~ 30 μm波段的紅外 輻射。
2023-08-07 11:03:15 567 佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車車內(nèi)通信及網(wǎng)絡(luò)接口芯片行業(yè)研究報(bào)告 》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同，汽車通信應(yīng)用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:43 1401 預(yù)登記展會(huì)領(lǐng)取門票還可以獲得由AIoT星圖研究 院出品2023行業(yè)報(bào)告 之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場跟蹤調(diào)研報(bào)告 》、《中國光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告 》、《2023中國智慧工地行業(yè)市場研究報(bào)告
2023-07-31 11:14:32 525 自己的模板
研究 報(bào)告 《 容、感、阻被動(dòng)元器件市場
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2023-07-17 17:15:04 246 蝕刻 是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻 的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32 183 年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達(dá)克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告 》。報(bào)告 結(jié)果表明，汽車制造商正面對(duì)著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費(fèi)者對(duì)整體制造過
2023-07-07 16:07:24 321 自己的模板
研究 報(bào)告 《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場前景
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2023-07-03 17:25:02 283 隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻 變得更有必要。為了防止蝕刻 掩模下的橫向蝕刻 ，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻 的研究
2023-06-27 13:24:11 318 CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻 時(shí)，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻 速率以及橫向或分層膜的蝕刻 速率降低，濕法 化學(xué)也會(huì)有問題。
2023-06-26 13:32:44 1053 研究報(bào)告 1.0版》，總計(jì)192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章，對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進(jìn)行了詳盡研究 和分析
2023-06-09 10:32:36 550 供應(yīng)充電寶XB8608AFN ，提供xb8608芯片參數(shù)規(guī)格書 ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng) 。>>
2023-06-08 10:44:41 5 發(fā)展研究報(bào)告 1.0版》，總計(jì)192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章，對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進(jìn)行了詳盡研究 和分析。 以下為報(bào)告 內(nèi)容 受篇幅限制，以上僅為部分報(bào)告 預(yù)覽 后臺(tái)回復(fù)【 AIG
2023-06-04 16:15:01 503 等離子體蝕刻 是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻 特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究 中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究 蝕刻 過程中蝕刻 速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54 452 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻 步驟包括虛擬柵極蝕刻 、各向異性柱蝕刻 、各向同性間隔蝕刻 和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻 是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻 （壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:11 1071 過去利用堿氫氧化物水溶液研究 了硅的取向依賴蝕刻 ，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻 劑，研究 了單晶 硅球和晶片的各向異性蝕刻 過程，測量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻 速率，用單晶 球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻 面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40 618 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻 圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:48 4918 蝕刻 是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法 蝕刻 和干法蝕刻 ，濕法 蝕刻 進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻 。硅濕法 各向異性蝕刻 廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12 700 拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶 錠被切成圓盤（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻 消除了以往成形過程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻 之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00 584 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶 的濕法 蝕刻 和紅外 吸收 編號(hào)：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法 腐蝕、x射線衍射和紅外 吸收 等方法研究 了物理氣相色譜法生長AlN單晶 的缺陷
2023-04-23 11:15:00 118 【摘要】 在半導(dǎo)體濕法 工藝中，后道清洗因使用有機(jī)藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法 清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進(jìn)行對(duì)比研究 ，論述不同藥液與機(jī)臺(tái)的清洗原理，清洗特點(diǎn)與清洗局限性?！娟P(guān)鍵詞
2023-04-20 11:45:00 823 自己的模板
研究 報(bào)告 《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
報(bào)告 》，如需領(lǐng)取
報(bào)告 ，請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào)，后臺(tái)回復(fù) ? MCU? 即可領(lǐng)?。?聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來源。如需入群交流 ，請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-04-12 15:10:02 390 干法蝕刻 與濕法 蝕刻 之間的爭論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻 劑來制作電子芯片，是液體（濕法 蝕刻 ）還是氣體（干法蝕刻 ）
2023-04-12 14:54:33 1004 濕法 蝕刻 工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10 453 全國普通高校大學(xué)生計(jì)算機(jī)類競賽研究報(bào)告 鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計(jì)算機(jī)類競賽中的表現(xiàn)情況是評(píng)估相關(guān)高校計(jì)算機(jī)
2023-04-10 10:16:15
STPS340AFN
2023-04-06 23:30:03
半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會(huì)排放有害廢氣。對(duì)于使用非常活潑的氣體的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻 ，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見的做法。相比之下，對(duì)于濕法 化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)
2023-04-06 09:26:48 408 濟(jì)南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布了《中國工業(yè)邊緣市場分析》研究報(bào)告 （以下簡稱《報(bào)告 》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機(jī)器視覺等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30 540 清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機(jī)、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。
2023-03-31 10:56:19 314 STPS1L30AFN
2023-03-29 22:37:25
多數(shù)氣體分子在近紅外 波段（0.8~2.5 μm）和中紅外 波段（2.5~20 μm）具有指紋吸收 譜線，基于紅外 光譜法的氣體檢測技術(shù)具有選擇性好、響應(yīng)速度快等顯著優(yōu)點(diǎn)，在醫(yī)療衛(wèi)生、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。
2023-03-29 09:36:38 687 STPS2H100AFN
2023-03-28 13:19:41
研究 表明，半導(dǎo)體的物理特性會(huì)根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻 成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34 251 DB25S1AFN
2023-03-23 02:27:32
DB25P1AFN
2023-03-23 02:27:28
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