?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕,用單掩模工藝進行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級的輪廓深度的精確的任意非球面。我們討論了決定
2022-05-11 14:31:36847 本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù),通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻,可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽,與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600
2022-05-05 10:59:15854 接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移; 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并進一步各向異性蝕刻
2022-05-11 14:49:58712 通過設(shè)計可相對于彼此旋轉(zhuǎn)的具有金屬涂層的基于運動學(xué)的晶胞,以提供可調(diào)的諧振電磁特性,從而實現(xiàn)利用機械驅(qū)動可變形結(jié)構(gòu)來調(diào)諧電磁頻率響應(yīng)或誘導(dǎo)波傳播的各向異性。
2023-02-08 10:31:16330 研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對其進行各向異性濕法腐蝕,從而制備出不同的結(jié)構(gòu),這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。
2024-01-11 10:16:303206 干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程,通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分,通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控,可以實現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換,從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 微機接口技術(shù)實用教程1微機接口技術(shù)實用教程第1章 微型計算機接口技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 微型計算機接口技術(shù)基礎(chǔ) 1.1 接口技術(shù)概述 輸入/輸出(Input/Output,I/O)是計算機與外部世界交換
2021-09-13 08:19:04
、微噴墨打印頭、數(shù)字微鏡顯示器在內(nèi)的幾百種產(chǎn)品,其中微傳感器占相當大的比例。微傳感器是采用微電子和微機械加工技術(shù)制造出來的新型傳感器。與傳統(tǒng)的傳感器相比,它具有體積小、重量輕、成本低、功耗低、可靠性高
2018-10-30 16:04:06
磁電阻線性位置測量電路提供非接觸式AMR(各向異性磁阻)線性位置測量解決方案。該電路非常適用于高速,精確,非接觸長度和位置測量至關(guān)重要的應(yīng)用
2019-11-05 08:50:35
。HMC5883L 的所應(yīng)用領(lǐng)域有手機、筆記本電腦、消費類電子、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)和個人導(dǎo)航系統(tǒng)。HMC5883L 采用各向異性磁阻(AMR)技術(shù),該技術(shù)領(lǐng)先于其他磁傳感器技術(shù)。這些各向異性傳感器具有在軸向
2016-04-16 09:04:13
中的可撓式電子產(chǎn)品成為事實。海鄭實業(yè)強烈推出各向異性導(dǎo)電膠異方性導(dǎo)電膠(***冠品ACA:Anisotropic Conductive Adhesive)兼具單向?qū)щ娂澳z合固定的功能,各向異性導(dǎo)電膠異
2009-07-04 17:22:48
各向異性(晶體)化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù),其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是:(1)具有原子級光滑面的光學(xué)設(shè)備(波導(dǎo)、激光器)減少損失(2)MEMS,其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
什么是MEMS?MEMS = Micro-Electro-Mechanical System, 是用半導(dǎo)體技術(shù),在半導(dǎo)體材料上刻蝕出來的微機械結(jié)構(gòu)。下圖左邊是MEMS制程做出的微機械齒輪與螨蟲的大小對比,右邊是一個200um的微機械風(fēng)扇葉片放大圖。
2019-09-12 09:05:05
緊湊型雙芯片電路提供非接觸式各向異性磁阻(AMR)測量解決方案,適用于角度或線性位置測量。雙芯片系統(tǒng)能夠提供超過180的角度精度,超過180英寸,線性精度為2密耳(0.002英寸),在0.5英寸范圍內(nèi),具體取決于所用磁鐵的尺寸
2019-06-28 15:10:34
在生物體中,不同的纖維蛋白,如膠原蛋白、彈力纖維、張力纖維、肌肉纖維等結(jié)構(gòu)顯示出明顯的各向異性??梢栽跍y定之前,使用偏光顯微鏡得到這些纖維中分子排列的詳細情況。
2019-09-12 09:10:47
真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實現(xiàn)各向異性刻蝕,即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學(xué)反應(yīng),同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面
2018-09-03 09:31:49
導(dǎo)電銀膠按導(dǎo)電方向分為各向同性導(dǎo)電銀膠和各向異性導(dǎo)電銀膠。
2019-11-06 09:01:49
的差。它們的共同特點是可以和各種零件或軸一起注塑,以保證產(chǎn)品的質(zhì)量。注塑鐵氧體磁體又分各向同性(等方向性)與各向異性(異方向性),各向同性的磁能積較低,在12kJ/m3左右,各向異性的磁能積
2020-05-22 18:59:47
(包括通過襯底的導(dǎo)電性),通過深RIE腐蝕技術(shù)制作這些通道的通孔,并涂覆隔離層和導(dǎo)電層?! 〈送?,電路、金屬布線常規(guī)工藝與Si MOEMS制作中的各向異性深腐蝕工藝之間有不相容性。在制作微機械結(jié)構(gòu)
2018-08-30 10:14:47
有誰知道我可以在EMPRO中實現(xiàn)完全各向異性的方式?我想模擬一個完全復(fù)雜的3x3介電常數(shù)矩陣和一個完全復(fù)雜的3x3磁導(dǎo)率矩陣(即張量)。有沒有辦法在任何EMPRO模擬器中以這種方式定義材料? 以上
2018-11-19 11:01:54
) Nd-Fe-B磁鐵3) 鋁鎳鈷磁鐵4)粘接釹鐵硼磁鐵3 . 各向同性與各向異性磁鐵4. PM型與HB型轉(zhuǎn)子使用磁鐵的差異前言基本信息名稱描述說明教材名稱步進電機應(yīng)用技術(shù)作者坂本正文譯者王自強前言說明根據(jù)我讀的《步進電機應(yīng)用技術(shù)》這本書,進行的學(xué)習(xí)過程中的知識記錄和心得體
2021-07-07 06:14:56
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
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釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝,總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
證明一種高階各向異性擴散與小波收縮的等價性,并根據(jù)等價性利用高階各向異性擴散與小波收縮的優(yōu)勢,提出高階各向異性擴散小波收縮降噪算法。該算法在低頻部分采用經(jīng)典的
2009-03-20 17:03:3313 各向異性擴散平滑去噪的主要特點是擴散方向的選擇性與定向擴散能力,有效表征信號或圖像的局部結(jié)構(gòu)特征是各向異性擴散的基礎(chǔ),傳統(tǒng)的梯度表示方法極易受到噪聲干擾。該文
2009-04-23 09:56:3221 從靜磁表面波MSSW各向異性理論模擬出發(fā),提出了通過調(diào)節(jié)磁場方向來實現(xiàn)對MSSW濾波器帶寬調(diào)制的方法,并由實驗得到驗證:即在微帶換能器寬度一定時,可以增加(或減小)磁場與
2009-05-12 21:42:2131 本文討論了石英微機械陀螺的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,敘述了用于石英加工的化學(xué)各向異性刻蝕機理,給出了石英音叉?zhèn)鞲衅鞯募庸し椒?,提供了我們研制的石?b class="flag-6" style="color: red">微機械陀螺的試驗結(jié)
2009-06-23 09:05:3920 根據(jù)單晶硅各向異性腐蝕的特點,以晶格內(nèi)部原子鍵密度為主要因素,溫度、腐蝕液濃度等環(huán)境因素為校正因子,建立了一個新穎的硅各向異性腐蝕的計算機模擬模型。在+,--開發(fā)
2009-07-02 14:12:2419 利用微機械加工技術(shù)、各向異性腐蝕技術(shù)研制了具有三維結(jié)構(gòu)的微腔型傳感器,微芯片; 3×6mm 2G具有三維腔體; 腔深300LmK鉑工作電極1. 21. 2mm 2KA göA gCl 參比GK工作電極與A göA gCl 參
2009-07-13 08:16:368 基于改進的各向異性擴散的圖像恢復(fù):擴散加權(quán)圖像中廣泛存在的高斯白噪聲會給張量計算和腦白質(zhì)追蹤等帶來嚴重的影響為了減少噪聲影響, 嘗試采用改進的各向異性擴散濾波器來
2009-10-26 11:29:4621 單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)中的導(dǎo)模特性:推導(dǎo)了介電常數(shù)張量和磁導(dǎo)率張量中各分量帶有不同符號的單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)的導(dǎo)行條件。根據(jù)分量符號的正負組合,分情
2009-10-26 17:00:2220 利用微機械加工技術(shù)、各向異性腐蝕技術(shù)研制了具有三維結(jié)構(gòu)的微腔型傳感器K微芯片; 3×6mm 2G具有三維腔體; 腔深300LmK鉑工作電極1. 21. 2mm 2KA göA gCl 參比GK工作電極與A göA
2009-11-26 14:02:3814 環(huán)境對各向異性導(dǎo)電膠膜性能參數(shù)的影響張軍,賈宏,陳旭(鄭州大學(xué)化工學(xué)院,鄭州 450002)摘要:各向異性導(dǎo)電膠膜(ACF)的玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg 是它的一個重要性能參數(shù),用
2009-12-14 11:42:1143 本文在研究二階各向異性擴散方程與四階各向異性擴散方程的基礎(chǔ)上,提出了二者結(jié)合的組合擴散算子,同時提出了新的擴散系數(shù)。實驗表明,新方法對高斯噪聲比原有的兩種方法
2010-01-15 11:28:2519 各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)( HTS)微帶天線
分析了各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)微帶天線特性。選取兩種典型的高溫超導(dǎo)各向異性介質(zhì)———GaNdAlO3 和SrLaAlO4 作為高溫超
2010-02-22 16:50:5712 一種改進的各向異性高斯濾波算法摘 要:為了抑制更好的抑制噪聲保留邊緣信息, 提出了一種各向異性高斯濾波的改進方法, 該方法先用中值濾波去除椒鹽噪聲, 再
2010-04-23 14:59:5119 在各向同性介質(zhì)中,折射率與入射光的偏振態(tài)無關(guān),而在各向異性介質(zhì)中,不同偏振態(tài)的平面波將以不同的速度和方向傳播而出現(xiàn)分支,這種現(xiàn)象稱作雙.折.射.。各向異性
2010-09-13 15:53:580 釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝,總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32879 詳細介紹了各向異性磁阻傳感器的物理機理,并以HMC1002為例說明其測量原理、芯片以及電路的主要特點,給出了弱磁測量的結(jié)果與分析。將hmc1001、hmc1002與傾角傳感器相結(jié)合,可用于姿
2011-09-06 14:31:44101 提出了一種用各向異性雙變量拉普拉斯函數(shù)模型去模擬NSCT域的系數(shù)的圖像去噪算法,這種各向異性雙邊拉普拉斯模型不僅考慮了NSCT系數(shù)相鄰尺度間的父子關(guān)系,同時滿足自然圖像不同
2012-10-16 16:06:0321 的影響也反映了進去。 計算結(jié)果與實驗結(jié)果進行了對比, 表明此模型在解釋硅在 KOH 中各向異性腐蝕特性等方面具有一定的合理性。 微電子機械系統(tǒng)(M EM S) 的發(fā)展令人矚目, 它是在微電子工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的前沿研究領(lǐng)域。 M
2017-11-07 19:48:1425 深度圖像受其測距原理所限,存在邊緣不匹配、無效像素、噪聲等問題,提出一種基于改進的各向異性擴散算法的深度圖像增強方法。首先,校正深度圖像和彩色圖像的位置關(guān)系,并根據(jù)時間連續(xù)性選擇多幀圖像,進行
2017-11-25 11:08:469 由于受數(shù)據(jù)采集時間、照射劑量、成像系統(tǒng)掃描的幾何位置等因素的約束,計算機斷層成像(CT)技術(shù)目前只能在有限角度范圍或在較少的投影角度得到數(shù)據(jù),這些都屬于不完全角度重建問題。圖像重建問題中
2017-12-12 19:08:413 摘要: 針對感應(yīng)線圈式車輛檢測器的不足,設(shè)計了一種基于各向異性磁阻傳感器(AMR)的非接觸式智能車輛監(jiān)測裝置,能監(jiān)測車輛的到達時間、類型、方向和車速等基本信息。系統(tǒng)主要由采集系統(tǒng)和顯示系統(tǒng)兩個獨立
2018-01-20 03:05:38397 系統(tǒng)( Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)工藝的一項核心工藝,利用該技術(shù)可以在硅襯底上加工出各種復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)。硅各向異性腐蝕是制造微機械結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)之一,利用該技術(shù)可以制造出微型傳感器和微執(zhí)行器等精密的三維結(jié)構(gòu)。 硅各向異性腐蝕
2018-02-07 16:27:411 在圖像去噪過程中,為保持圖像邊緣并去除噪聲,提出一種結(jié)合片相似性各向異性擴散( AD)和沖擊濾波器的圖像去噪和增強模型。采用片相似性AD模型去除圖像中的噪聲,引入沖擊濾波器增強圖像的重要結(jié)構(gòu)特征
2018-02-24 15:37:480 反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實現(xiàn)各向異性刻蝕,即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學(xué)反應(yīng),同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。
2018-05-16 09:38:3540590 在此次發(fā)表的論文中,在實空間中系統(tǒng)研究了天然層狀材料α相三氧化鉬中橢圓型和雙曲型兩種新型聲子極化激元的各向異性傳輸特性(如圖3)。α相三氧化鉬的晶格結(jié)構(gòu)具有獨特的面內(nèi)各向異性,其[001
2018-12-07 14:49:284845 為此,中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所智能高分子材料團隊研究員陳濤和張佳瑋開展了一系列工作。通過構(gòu)筑非對稱性各向異性水凝膠及其復(fù)合體系,實現(xiàn)了仿生水凝膠驅(qū)動器的多功能化(如圖1)。
2018-12-31 11:26:006930 LCP,即液晶高分子聚合物,是一種各向異性的、由剛性分子鏈構(gòu)成的芳香族聚酯類高分子材料,其在一定條件下能以液晶相存在——既有液體的流動性又呈現(xiàn)晶體的各向異性,冷卻固化后的形態(tài)又可以穩(wěn)定保持,因此LCP材料具有優(yōu)異的機械性能。
2020-03-13 14:02:124115 強磁場中心薛飛團隊于2019年提出并實現(xiàn)了一種針對納米盤和納米顆粒的有效的樣品制備和實驗器件加工工藝,解決了第一個問題。對于第二個問題,此前基于Stoner-Wohlfarth模型的分析方法只能定量分析具有單軸磁各向異性的樣品,對于非單軸的樣品則無能為力。
2020-06-24 09:41:071694 高保真度制造關(guān)鍵器件結(jié)構(gòu),刻蝕工藝需要選擇性超高的定向(各向異性)技術(shù),同時還要保證量產(chǎn)所需的高生產(chǎn)效率。
2020-08-20 10:35:00965 )研發(fā)了一種摻硼的各向異性釤(Sm,F(xiàn)e0.8Co0.2)12薄膜,其中僅含有少量的稀土元素。該化合物具有1.2特斯拉矯頑力,足以用于汽車電機。該薄膜通過打造一種獨特的顆粒狀納米結(jié)構(gòu)得以實現(xiàn),其中釤12
2020-10-10 15:48:581907 各向異性刻蝕,可以嚴格控制縱向和橫向刻蝕。? 干法的各向異性刻蝕,可以用表面損傷和側(cè)壁鈍化兩種機制來解釋。表面損傷機制是指,與硅片平行的待刻蝕物質(zhì)的圖形底部,表面的原子鍵被破壞,擴散至此的自由基很容易與其發(fā)生反
2020-12-29 14:42:588546 作為一種新型的二維半導(dǎo)體材料,黑磷因其獨特的面內(nèi)各向異性引起了研究人員的廣泛關(guān)注。近期,幾種其它面內(nèi)各向異性二維材料(如ReS2、ReSe2;SnS、GeSe等)也被相繼報道。
2020-12-24 12:20:19974 這樣的,因為要用微機械技術(shù)在硅片襯底上加工出一個可轉(zhuǎn)動的結(jié)構(gòu)可不是一件容易的事。微機械陀螺儀利用科里奧利力——旋轉(zhuǎn)物體在有徑向運動時所受到的切向力。下面是導(dǎo)出科里奧利力的方法。有力學(xué)知識的讀者應(yīng)該不難理解。
2021-02-01 15:02:0112167 低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術(shù),我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:21712 的各向異性濕式化學(xué)蝕刻。 本文主要目的是評估不同的各向異性蝕刻劑,用于微加工柱、分裂器和其他幾何圖案的變體,可用作構(gòu)建更復(fù)雜的微加工結(jié)構(gòu)的構(gòu)建塊,并可能用于化學(xué)分析應(yīng)用。我們根據(jù)微加工,介紹各向異性濕式化學(xué)
2021-12-22 17:29:021095 。在堿性溶液中,TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當考慮到互補金屬氧化物半導(dǎo)體的兼容性,并且熱氧化物被用作掩模層時,使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率,氫氧化鉀優(yōu)于
2021-12-28 16:36:401056 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152 我們研究了高溫退火法對4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的,但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形,這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六邊形經(jīng)過高溫退火后,六邊形轉(zhuǎn)化為十二邊形,十二角形轉(zhuǎn)化為十八邊形。 1).不同邊緣方向的六邊形和十邊形的十二邊形在退火過程中經(jīng)歷了不同的轉(zhuǎn)變。 2).一條對應(yīng)于一個{1-10x}面的邊顯示為一條直線,似乎是最可取的。與{11-2x}面對應(yīng)的邊緣也出現(xiàn)在一個曲線特征中,這表明它是第二大首選。明顯的結(jié)構(gòu)(密集),但在11-2倍的表面上微弱(微弱)。 3).因此,在考慮退火變換的情況下,需要在實際器件中設(shè)計形狀及其方向。
2022-02-09 16:45:43824 摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37905 通過使用各向同性和各向異性工藝,可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快,但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形??梢愿_地控制各向異性蝕刻,并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種
2022-03-09 16:48:342018 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 我們開發(fā)了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝,通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu),這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581 由化學(xué)反應(yīng)觸發(fā),溫度對(111)表面電流勢和電流時間結(jié)果的強烈影響支持了化學(xué)活化的重要性,在n型(111)電極上進行的光電流實驗表明,氧化物成核對無源層的生長具有重要意義,提出了一種結(jié)合表面化學(xué)和電化學(xué)的機理來解釋陽極氧化過程中明顯的各向異性。
2022-03-22 15:36:40550 在本文章中,研究了球形試樣的尺寸參數(shù),以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性,然后進行了一系列的實驗,測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00411 為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342503 中,這些技術(shù)的總稱被使用為微機械。在本稿中,關(guān)于在微機械中占據(jù)重要位置的各向異性烯酸技術(shù),在敘述其研究動向和加工例子的同時,還談到了未來微機械的發(fā)展方向。
2022-03-29 14:57:261014 實驗名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用
2022-04-06 15:47:271597 我們展示了在c平面藍寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻,蝕刻速率高達3.2mm/min。晶體學(xué)氮化鎵蝕刻平面為0001%,1010%,1011%,1012%和1013%。用場效應(yīng)掃描電子顯微鏡觀察垂直的1010%平面看起來非常光滑?;罨転?1千卡/摩爾,表明反應(yīng)速率有限的蝕刻。
2022-04-14 13:57:511214 為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度,用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:362656 在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進,并且新的結(jié)果顯示
2022-05-11 15:46:19730 我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法,能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù),如等離子體強度、溫度和持續(xù)時間,從邊緣控制蝕刻,蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā),蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致,這種簡單、干凈、可控且可擴展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:461781 刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝,一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種,干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性,更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中,各向同性 (Isotropic)濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸(HF)、硝酸( HNO3)和乙酸(CH3COOH)組成的混合物
2022-10-08 09:16:323581 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制,使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代,但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187250 隨著工藝減小,熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲壽命取決于熱穩(wěn)定性勢壘和磁各向異性場,面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。
2022-11-17 14:29:591611 其制造工藝流程如下:首先形成補償側(cè)墻 (Offset Spacer),經(jīng)n+/p+輕摻雜源漏后,選擇性地進行圖形化,在p型源漏區(qū)先進行干法刻蝕,使其凹陷適當?shù)纳疃?30~100nm);然后采用濕法各向異性刻蝕形成“鉆石”形腔(Diamond Cavity,又稱“∑”形狀)
2023-01-05 14:08:312144 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進一步細分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 實驗名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用實驗?zāi)康?本實驗探究了應(yīng)力致磁各向異性的物理表現(xiàn)及其定量檢測應(yīng)力的特性,設(shè)計搭建了實驗系統(tǒng),制作了鐵磁性Q195鋼材平板試件
2022-09-23 09:22:49340 ELAF-100L-T30009力傳感器由晶體制成,晶體是各向異性的,非晶是各向同性的。 當某些晶體介質(zhì)在一定方向受到機械力的作用時,會發(fā)生極化效應(yīng); 當除去機械力時,它又會恢復(fù)到不帶電狀態(tài),即受到拉力或壓力時。 有些晶體可能會產(chǎn)生電效應(yīng),也就是所謂的極化效應(yīng)。
2023-06-02 10:50:06190 鎳鐵(NiFe)合金具有較強的各向異性磁電阻效應(yīng)、較高的居里溫度、易于實現(xiàn)與電路集成以及較低的制作成本等優(yōu)點,成為開發(fā)磁電阻傳感器的首選材料。
2023-06-21 09:29:50377 各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù),旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而,概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01407 SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法近年來,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展,半導(dǎo)體元件的體積急劇減小,對芯片或薄膜材料的熱物性探究至關(guān)重要,這樣給予針對超小尺寸的熱物性探測技術(shù)提供了發(fā)展需求,而其
2023-12-14 08:15:52180 各向異性導(dǎo)電膠能夠?qū)崿F(xiàn)單方向?qū)щ?,即垂直?dǎo)電而水平不導(dǎo)電。各向異性導(dǎo)電膠的固體成分是多樣的,可以是Ag顆粒,聚合物和合金焊粉。固化溫度范圍很廣,涵蓋100到200多攝氏度。RFID芯片在與基板鍵合時
2024-01-05 09:01:41232 對DRIE刻蝕,是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同,利用硅的各向異性,通過化學(xué)作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于,兩個射頻源:將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511 能和機械性能,且能夠適應(yīng)更高的工作溫度和濕度環(huán)境。本文將詳細介紹各向異性導(dǎo)電膠的工作原理和制備工藝步驟。 各向異性導(dǎo)電膠的工作原理是基于導(dǎo)電粒子的連接行為。導(dǎo)電粒子通常由金屬或碳微粒組成。當導(dǎo)電膠受到壓力或溫度的作用時,導(dǎo)電粒子會在膠層內(nèi)形成電子通路,從而實現(xiàn)
2024-01-24 11:11:56466 石墨烯源于獨特的面內(nèi)蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)和sp2雜化碳原子,通過異常強的碳-碳鍵鍵合,表現(xiàn)出顯著的各向異性電學(xué)、機械學(xué)和熱學(xué)性能。
2024-03-12 11:44:09363 各向異性壓力傳感器由于在識別不同方向力方面的敏感性,在下一代可穿戴電子設(shè)備和智能基礎(chǔ)設(shè)施中越來越受到關(guān)注。
2024-03-20 09:25:48223
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