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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>詳解微機械中的各向異性刻蝕技術(shù)

詳解微機械中的各向異性刻蝕技術(shù)

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2020-03-13 14:02:124115

納米樣品的磁各向異性測量和分析研究獲進展

強磁場中心薛飛團隊于2019年提出并實現(xiàn)了一種針對納米盤和納米顆粒的有效的樣品制備和實驗器件加工工藝,解決了第一個問題。對于第二個問題,此前基于Stoner-Wohlfarth模型的分析方法只能定量分析具有單軸磁各向異性的樣品,對于非單軸的樣品則無能為力。
2020-06-24 09:41:071694

Flex 產(chǎn)品增強的 ALE 技術(shù)可以進行電介質(zhì)膜刻蝕?

高保真度制造關(guān)鍵器件結(jié)構(gòu),刻蝕工藝需要選擇性超高的定向(各向異性技術(shù),同時還要保證量產(chǎn)所需的高生產(chǎn)效率。
2020-08-20 10:35:00965

日本研發(fā)摻硼的各向異性釤12薄膜,將應(yīng)用于汽車電機

)研發(fā)了一種摻硼的各向異性釤(Sm,F(xiàn)e0.8Co0.2)12薄膜,其中僅含有少量的稀土元素。該化合物具有1.2特斯拉矯頑力,足以用于汽車電機。該薄膜通過打造一種獨特的顆粒狀納米結(jié)構(gòu)得以實現(xiàn),其中釤12
2020-10-10 15:48:581907

干法刻蝕之鋁刻蝕的介紹,它的原理是怎樣的

各向異性刻蝕,可以嚴格控制縱向和橫向刻蝕。? 干法的各向異性刻蝕,可以用表面損傷和側(cè)壁鈍化兩種機制來解釋。表面損傷機制是指,與硅片平行的待刻蝕物質(zhì)的圖形底部,表面的原子鍵被破壞,擴散至此的自由基很容易與其發(fā)生反
2020-12-29 14:42:588546

二維GeSe2面內(nèi)各向異性及短波偏振光探測的研究

作為一種新型的二維半導(dǎo)體材料,黑磷因其獨特的面內(nèi)各向異性引起了研究人員的廣泛關(guān)注。近期,幾種其它面內(nèi)各向異性二維材料(如ReS2、ReSe2;SnS、GeSe等)也被相繼報道。
2020-12-24 12:20:19974

微機械陀螺儀工作原理_微機械陀螺儀的應(yīng)用

這樣的,因為要用微機械技術(shù)在硅片襯底上加工出一個可轉(zhuǎn)動的結(jié)構(gòu)可不是一件容易的事。微機械陀螺儀利用科里奧利力——旋轉(zhuǎn)物體在有徑向運動時所受到的切向力。下面是導(dǎo)出科里奧利力的方法。有力學(xué)知識的讀者應(yīng)該不難理解。
2021-02-01 15:02:0112167

各向異性濕法蝕刻技術(shù)制作的低損耗硅波導(dǎo)

低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術(shù),我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:21712

用于化學(xué)分析的Si各向異性濕法化學(xué)蝕刻

各向異性濕式化學(xué)蝕刻。 本文主要目的是評估不同的各向異性蝕刻劑,用于微加工柱、分裂器和其他幾何圖案的變體,可用作構(gòu)建更復(fù)雜的微加工結(jié)構(gòu)的構(gòu)建塊,并可能用于化學(xué)分析應(yīng)用。我們根據(jù)微加工,介紹各向異性濕式化學(xué)
2021-12-22 17:29:021095

低濃度KOH中的各向異性蝕刻

。在堿性溶液中,TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當考慮到互補金屬氧化物半導(dǎo)體的兼容性,并且熱氧化物被用作掩模層時,使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率,氫氧化鉀優(yōu)于
2021-12-28 16:36:401056

KOH硅濕化學(xué)刻蝕—江蘇華林科納半導(dǎo)體

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152

SiC高溫退火刻蝕各向異性實驗報告

我們研究了高溫退火法對4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的,但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形,這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六邊形經(jīng)過高溫退火后,六邊形轉(zhuǎn)化為十二邊形,十二角形轉(zhuǎn)化為十八邊形。 1).不同邊緣方向的六邊形和十邊形的十二邊形在退火過程中經(jīng)歷了不同的轉(zhuǎn)變。 2).一條對應(yīng)于一個{1-10x}面的邊顯示為一條直線,似乎是最可取的。與{11-2x}面對應(yīng)的邊緣也出現(xiàn)在一個曲線特征中,這表明它是第二大首選。明顯的結(jié)構(gòu)(密集),但在11-2倍的表面上微弱(微弱)。 3).因此,在考慮退火變換的情況下,需要在實際器件中設(shè)計形狀及其方向。
2022-02-09 16:45:43824

半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)

摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37905

各向同性和各向異性工藝如何用于改善硅濕蝕刻

通過使用各向同性和各向異性工藝,可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快,但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形??梢愿_地控制各向異性蝕刻,并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種
2022-03-09 16:48:342018

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336

一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝

我們開發(fā)了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝,通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu),這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581

硅在KOH溶液中陽極氧化的各向異性

由化學(xué)反應(yīng)觸發(fā),溫度對(111)表面電流勢和電流時間結(jié)果的強烈影響支持了化學(xué)活化的重要性,在n型(111)電極上進行的光電流實驗表明,氧化物成核對無源層的生長具有重要意義,提出了一種結(jié)合表面化學(xué)和電化學(xué)的機理來解釋陽極氧化過程中明顯的各向異性。
2022-03-22 15:36:40550

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章中,研究了球形試樣的尺寸參數(shù),以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性,然后進行了一系列的實驗,測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00411

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342503

微機械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

中,這些技術(shù)的總稱被使用為微機械。在本稿中,關(guān)于在微機械中占據(jù)重要位置的各向異性烯酸技術(shù),在敘述其研究動向和加工例子的同時,還談到了未來微機械的發(fā)展方向。
2022-03-29 14:57:261014

鐵磁材料的應(yīng)力致磁各向異性特性研究

實驗名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用
2022-04-06 15:47:271597

一種強有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)

我們展示了在c平面藍寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻,蝕刻速率高達3.2mm/min。晶體學(xué)氮化鎵蝕刻平面為0001%,1010%,1011%,1012%和1013%。用場效應(yīng)掃描電子顯微鏡觀察垂直的1010%平面看起來非常光滑?;罨転?1千卡/摩爾,表明反應(yīng)速率有限的蝕刻。
2022-04-14 13:57:511214

單晶硅的各向異性蝕刻特性說明

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度,用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:362656

硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻研究

在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進,并且新的結(jié)果顯示
2022-05-11 15:46:19730

一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法,能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù),如等離子體強度、溫度和持續(xù)時間,從邊緣控制蝕刻,蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā),蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致,這種簡單、干凈、可控且可擴展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:461781

干法刻蝕工藝介紹

刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝,一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種,干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性,更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316

常見的各向同性濕法刻蝕的實際應(yīng)用

濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中,各向同性 (Isotropic)濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸(HF)、硝酸( HNO3)和乙酸(CH3COOH)組成的混合物
2022-10-08 09:16:323581

濕法刻蝕和清洗(Wet Etch and Cleaning)

濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕各向同性的限制,使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代,但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187250

基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件存在的兩個弊端

隨著工藝減小,熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲壽命取決于熱穩(wěn)定性勢壘和磁各向異性場,面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。
2022-11-17 14:29:591611

前段集成工藝(FEOL)

其制造工藝流程如下:首先形成補償側(cè)墻 (Offset Spacer),經(jīng)n+/p+輕摻雜源漏后,選擇性地進行圖形化,在p型源漏區(qū)先進行干法刻蝕,使其凹陷適當?shù)纳疃?30~100nm);然后采用濕法各向異性刻蝕形成“鉆石”形腔(Diamond Cavity,又稱“∑”形狀)
2023-01-05 14:08:312144

高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進一步細分為兩部分,即各向異性各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700

功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用

實驗名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用實驗?zāi)康?本實驗探究了應(yīng)力致磁各向異性的物理表現(xiàn)及其定量檢測應(yīng)力的特性,設(shè)計搭建了實驗系統(tǒng),制作了鐵磁性Q195鋼材平板試件
2022-09-23 09:22:49340

ELAF-100L-T30009力傳感器的技術(shù)應(yīng)用

ELAF-100L-T30009力傳感器由晶體制成,晶體是各向異性的,非晶是各向同性的。 當某些晶體介質(zhì)在一定方向受到機械力的作用時,會發(fā)生極化效應(yīng); 當除去機械力時,它又會恢復(fù)到不帶電狀態(tài),即受到拉力或壓力時。 有些晶體可能會產(chǎn)生電效應(yīng),也就是所謂的極化效應(yīng)。
2023-06-02 10:50:06190

結(jié)構(gòu)參數(shù)對各向異性磁電阻(AMR)磁場傳感器性能的影響

鎳鐵(NiFe)合金具有較強的各向異性磁電阻效應(yīng)、較高的居里溫度、易于實現(xiàn)與電路集成以及較低的制作成本等優(yōu)點,成為開發(fā)磁電阻傳感器的首選材料。
2023-06-21 09:29:50377

什么是各向異性刻蝕

各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù),旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而,概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01407

SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法

SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法近年來,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展,半導(dǎo)體元件的體積急劇減小,對芯片或薄膜材料的熱物性探究至關(guān)重要,這樣給予針對超小尺寸的熱物性探測技術(shù)提供了發(fā)展需求,而其
2023-12-14 08:15:52180

RFID各向異性導(dǎo)電膠類型和可靠性

各向異性導(dǎo)電膠能夠?qū)崿F(xiàn)單方向?qū)щ?,即垂直?dǎo)電而水平不導(dǎo)電。各向異性導(dǎo)電膠的固體成分是多樣的,可以是Ag顆粒,聚合物和合金焊粉。固化溫度范圍很廣,涵蓋100到200多攝氏度。RFID芯片在與基板鍵合時
2024-01-05 09:01:41232

為什么深硅刻蝕中C4F8能起到鈍化作用?

對DRIE刻蝕,是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同,利用硅的各向異性,通過化學(xué)作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于,兩個射頻源:將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511

各向異性導(dǎo)電膠原理 各向異性導(dǎo)電膠的工藝步驟

能和機械性能,且能夠適應(yīng)更高的工作溫度和濕度環(huán)境。本文將詳細介紹各向異性導(dǎo)電膠的工作原理和制備工藝步驟。 各向異性導(dǎo)電膠的工作原理是基于導(dǎo)電粒子的連接行為。導(dǎo)電粒子通常由金屬或碳微粒組成。當導(dǎo)電膠受到壓力或溫度的作用時,導(dǎo)電粒子會在膠層內(nèi)形成電子通路,從而實現(xiàn)
2024-01-24 11:11:56466

高度排列石墨烯氣凝膠,用于多功能復(fù)合材料最新進展!

石墨烯源于獨特的面內(nèi)蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)和sp2雜化碳原子,通過異常強的碳-碳鍵鍵合,表現(xiàn)出顯著的各向異性電學(xué)、機械學(xué)和熱學(xué)性能。
2024-03-12 11:44:09363

基于3D打印的各向異性壓阻式壓力傳感器,實現(xiàn)方向力感知

各向異性壓力傳感器由于在識別不同方向力方面的敏感性,在下一代可穿戴電子設(shè)備和智能基礎(chǔ)設(shè)施中越來越受到關(guān)注。
2024-03-20 09:25:48223

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