中微公司的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo nanova系列第500臺(tái)反應(yīng)腔順利付運(yùn)國(guó)內(nèi)一家先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片制造商。
2024-03-21 15:12:43
98 溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。
2024-03-20 10:19:4752 
溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導(dǎo)電材料，它們?cè)诿總€(gè)存儲(chǔ)層之間形成導(dǎo)電通道，從而使電子能夠在在存儲(chǔ)單元間移動(dòng)，進(jìn)行讀取、寫入和擦除操作。
2024-03-20 10:17:5331 
刻蝕機(jī)的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24459 
的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號(hào)傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復(fù)雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側(cè)壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質(zhì)量。在相對(duì)易于實(shí)現(xiàn)的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:00119 
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
2023年鋰電隔膜出貨中干法占比回彈，增速方面趕超濕法31個(gè)百分點(diǎn)。
2024-02-21 09:17:41303 在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58547 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
對(duì)DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個(gè)射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59510 
在紅外探測(cè)器的制造技術(shù)中，臺(tái)面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01206 
引言 近年來，硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對(duì)硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運(yùn)研究有相當(dāng)大的興趣。在定義Si/SiGe中的不同器件時(shí)，反應(yīng)離子刻蝕法（RIE）在圖案轉(zhuǎn)移
2023-12-28 10:39:51130 
SEMI-e 第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)和發(fā)展前沿，向20多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供一站式采購(gòu)與技術(shù)交流平臺(tái)。
2023-12-25 16:43:54284 
眾所周知，化合物半導(dǎo)體中不同的原子比對(duì)材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對(duì)蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制，通過使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制造的復(fù)雜性。本研究對(duì)比了三氯化硼與氯氣的偏置功率，以及氣體比對(duì)等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30227 
直線電機(jī)怎樣優(yōu)化它的速度環(huán)，有什么標(biāo)準(zhǔn)
2023-12-15 07:35:15
利用電子學(xué)方法所獲得的最短脈沖要短幾千倍。飛秒激光技術(shù)是近年來發(fā)展迅速的一種先進(jìn)加工技術(shù)，具有極高的加工精度和速度，可以在各種材料表面進(jìn)行微米至納米級(jí)別的刻蝕和加工。
2023-12-14 11:01:12227 
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場(chǎng)和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發(fā)展的關(guān)鍵問題。專用于三元結(jié)構(gòu)的干法蝕刻工藝特別重要，因?yàn)檫@種器件通常包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
刻蝕的機(jī)制，按發(fā)生順序可概分為「反應(yīng)物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應(yīng)」、「生成物離開表面」等過程。所以整個(gè)刻蝕，包含反應(yīng)物接近、生成物離開的擴(kuò)散效應(yīng)，以及化學(xué)反應(yīng)兩部分。
2023-12-11 10:24:18250 
在芯片制程中，幾乎所有的干法制程，如PVD，CVD,干法刻蝕等，都逃不過輝光放電現(xiàn)象。
2023-12-09 10:00:54742 
該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
通過CFD流場(chǎng)模擬技術(shù)對(duì)溫度流場(chǎng)和混合流場(chǎng)進(jìn)行優(yōu)化，提升脫硫效率，對(duì)改進(jìn)的SDS干法脫硫工藝設(shè)計(jì)起到了指導(dǎo)作用。
2023-12-01 14:51:55347 
刻蝕）、LFLE（光刻 freeze 光刻 刻蝕）、SADP（自對(duì)準(zhǔn)double patterning），以后有空也會(huì)專門介紹一下這些工藝。
2023-12-01 10:20:03595 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡(jiǎn)單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
模組，其實(shí)就是把類似和相關(guān)的工序組成一個(gè)集合的概念，這樣就可以分配給相對(duì)的部門去負(fù)責(zé)，他們只做這一部分對(duì)應(yīng)的工作。比如：刻蝕工藝工程師就專門做刻蝕這一部分工作，不要做薄膜的工作。
2023-11-25 15:08:253267 
據(jù)工信部網(wǎng)站11月16日消息，工信部公開征集了《半導(dǎo)體設(shè)備 集成電路制造用干法刻蝕設(shè)備測(cè)試方法》等196個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、1個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外文版、38個(gè)推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃項(xiàng)目的意見。
2023-11-16 17:04:49652 
人工智能（AI）是預(yù)計(jì)到2030年將成為價(jià)值數(shù)萬億美元產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，它對(duì)半導(dǎo)體性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面，一些最復(fù)雜的問題來自于需要通過新的刻蝕技術(shù)來解決的器件制造挑戰(zhàn)。
2023-11-16 16:03:02164 在芯片制程中，很多金屬都能用等離子的方法進(jìn)行刻蝕，例如金屬Al，W等。但是唯獨(dú)沒有聽說過干法刻銅工藝，聽的最多的銅互連工藝要數(shù)雙大馬士革工藝，為什么？
2023-11-14 18:25:332618 
但是里面也有幾個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。
2023-11-01 18:21:13608 
一、背景介紹鋁塑復(fù)合軟管作為一種輕便、耐腐蝕的材料，廣泛應(yīng)用于液體和氣體傳輸領(lǐng)域。在食品、醫(yī)療、化工等行業(yè)，鋁塑復(fù)合軟管需要具備優(yōu)良的密封性能以確保產(chǎn)品的安全性和可靠性。因此，對(duì)鋁塑復(fù)合軟管進(jìn)行
2023-10-30 16:36:33
但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-20 11:04:21454 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個(gè)基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關(guān)鍵尺寸，均勻性，終點(diǎn)探測(cè)。
2023-10-18 09:53:19788 
鋁塑蓋開啟測(cè)試試驗(yàn)機(jī)是一種用于測(cè)試鋁塑復(fù)合材料瓶蓋開啟性能的設(shè)備，它通過模擬實(shí)際使用環(huán)境中開啟鋁塑蓋包裝的操作，以評(píng)估其開啟性能和用戶體驗(yàn)。這種設(shè)備在鋁塑包裝材料制造、食品包裝和醫(yī)療等
2023-10-16 16:36:36
在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-11 18:18:43978 
在鋰電上游材料普遍產(chǎn)能過剩的大環(huán)境下，干法隔膜供給端逆勢(shì)而上，甚至還出現(xiàn)電池廠家蹲守交貨的境況。
2023-10-09 18:07:29737 在干法的深刻蝕過程中，精細(xì)的刻蝕控制成為一個(gè)至關(guān)重要的因素，它直接影響到芯片的性能。
2023-10-08 18:10:07900 
經(jīng)過離子槍聚焦、加速后作用于樣品表面，實(shí)現(xiàn)離子的成像、注入、刻蝕和沉積。 截面分析是SEM/FIB（Scanning Electron Microscope/Focused Ion beam）雙束系統(tǒng)
2023-10-07 14:44:41393 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252067 
有過深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會(huì)遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171446 
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
通常，我們需要將巖性模式轉(zhuǎn)換為多個(gè)。一次蝕刻通道中的膠片類型
2023-09-26 11:20:00130 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03995 
應(yīng)用于研究監(jiān)測(cè)土壤的力學(xué)結(jié)構(gòu)變化, 一般用于山體, 巖石和凍土等環(huán)境研究的物理量傳感器 MEMS,
2023-09-20 11:48:19193 
9月17日，北方華創(chuàng)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司前期已經(jīng)發(fā)布了首臺(tái)國(guó)產(chǎn)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備研發(fā)成功有關(guān)信息，目前已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其優(yōu)秀的工藝均勻性、穩(wěn)定性贏得客戶高度評(píng)價(jià)。
2023-09-20 10:09:49558 半導(dǎo)體工程裝備、北方華創(chuàng)的主要品種是刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長(zhǎng)等核心技術(shù)裝備，廣泛應(yīng)用邏輯部件，存儲(chǔ)半導(dǎo)體零部件、先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、新型顯示、新能源，襯底材料制造等工藝過程。
2023-09-18 09:47:19578 激光打標(biāo)機(jī)的參數(shù)主要包括：1.激光功率：通常，激光功率越強(qiáng)，刻蝕深度越深。2.光斑形狀：不同的光斑形狀可以打出不同的標(biāo)記。例如，圓形光斑可以打出橢圓形或圓形的標(biāo)記，矩形光斑可以打出方框或直線的標(biāo)記
2023-09-06 09:34:311487 
?維碼是現(xiàn)代信息化發(fā)展的產(chǎn)物，包含信息?泛，被?泛才?到?業(yè)?產(chǎn)當(dāng)中，與?業(yè)?動(dòng)化相結(jié)合，通過條碼槍讀取節(jié)省??錄?環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)??智能化管理和追溯，應(yīng)???常?泛，包含各類?屬材料，?屬材料包含不銹鋼、鑄鐵、陽極鋁、鋁合?、?、銀、銅等；??屬材料包含玻璃、PCB、PET、塑料、??等等。
2023-09-01 11:38:23663 
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長(zhǎng)在設(shè)計(jì)的區(qū)域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，這種刻蝕對(duì)＜111＞晶體硅具有高的選擇性。
2023-08-25 09:50:401716 
雙色紅外探測(cè)器具有抗干擾能力強(qiáng)、探測(cè)波段范圍廣、目標(biāo)特征信息豐富等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于導(dǎo)彈預(yù)警、氣象服務(wù)、精確制導(dǎo)、光電對(duì)抗和遙感衛(wèi)星等領(lǐng)域。雙色紅外探測(cè)技術(shù)可降低虛警率，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜背景下的目標(biāo)識(shí)別，從而顯著提高系統(tǒng)性能。碲鎘汞材料、量子阱材料和銻化物Ⅱ類超晶格材料均可用于制備雙色紅外探測(cè)器。其中，InAs/GaSb Ⅱ類超晶格材料因其帶隙靈活可調(diào)、電子有效質(zhì)量更大、大面積均勻性高等特點(diǎn)以及成本優(yōu)勢(shì)，成為制備雙色
2023-08-25 09:16:42886 
光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過光罩的設(shè)計(jì)和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422265 各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù)，旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進(jìn)行蝕刻。 然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01407 PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855 對(duì)于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k電介質(zhì)的和覆蓋層(下圖(a))。
2023-08-14 10:22:56910 
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10505 在微電子制造中，刻蝕技術(shù)是制作集成電路和其他微型電子器件的關(guān)鍵步驟之一。通過刻蝕技術(shù)，微電子行業(yè)能夠在硅晶片上創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)。本文旨在探討刻蝕設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模以及行業(yè)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)格局。
2023-08-02 10:01:08623 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383904 的成熟程度也間接決定了產(chǎn)品的良率和吞吐量。 ? 這每一道工序中，都有所需的對(duì)應(yīng)設(shè)備，比如光刻所需的EUV、DUV光刻機(jī)，刻蝕所需的干法、濕法刻蝕機(jī)，以及化學(xué)、物理氣相沉積所需的CVD、PVD設(shè)備等等。光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心
2023-07-30 03:24:481556 
刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594138 Accura BE作為國(guó)產(chǎn)首臺(tái)12英寸晶邊刻蝕設(shè)備，其技術(shù)性能已達(dá)到業(yè)界主流水平。” Accura BE通過軟件系統(tǒng)調(diào)度優(yōu)化和特有傳輸平臺(tái)的結(jié)合，可以提升客戶的產(chǎn)能。
2023-07-19 16:50:011140 據(jù)介紹，在器件制造過程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機(jī)械拋光等工藝步驟的大幅增長(zhǎng)，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風(fēng)險(xiǎn)成為產(chǎn)品良率的嚴(yán)重威脅。
2023-07-19 15:02:26607 在集成電路領(lǐng)域中，深寬比被定義為刻蝕深度與刻蝕圖形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一個(gè)重要指標(biāo)，通常與刻蝕的特征圖形的尺寸相關(guān)聯(lián)，包括有淺槽隔離的間隙、晶體管
2023-07-14 16:31:311150 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463213 
Research Corporation，以下簡(jiǎn)稱“科林研發(fā)”）提起的侵犯商業(yè)秘密案中贏得二審勝訴。 在上海市高級(jí)人民法院2023年6月30日的終審判決中，法院命令科林研發(fā)銷毀其非法獲取的與中微公司等離子刻蝕機(jī)有關(guān)的一份技術(shù)文件和兩張照片。法院還禁止科林研發(fā)及科林研發(fā)的兩名
2023-07-12 13:45:41299 在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
干法電極工藝再獲國(guó)際車企巨頭“力挺”。
2023-06-28 09:55:171027 Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。
2023-06-20 09:49:163684 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會(huì)撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對(duì)
2023-06-20 09:48:563989 
13和43型是經(jīng)過溫度補(bǔ)償，采用TO-8金屬封裝結(jié)構(gòu)的硅壓阻式壓力傳感器。它具有優(yōu)異的性能和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。該產(chǎn)品有表壓和絕壓兩種類型，量程范圍從0～2PSI至0～250PSI。通過激光刻蝕的電阻實(shí)現(xiàn)了
2023-06-19 11:58:27
環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式，環(huán)氧塑封器件開封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法，化學(xué)方法是最廣泛使用的方法，又分手動(dòng)開封和機(jī)械開封兩種。
2023-06-18 09:56:28314 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571176 
均勻性（1 σ）達(dá)到 離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機(jī)的核心部件,?KRi? 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng), 滿足
2023-06-15 14:58:47665 
刻蝕和薄膜沉積設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域關(guān)鍵零部件的精密制造專家，亦是國(guó)內(nèi)少數(shù)已量產(chǎn)供應(yīng)7nm及以下國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備關(guān)鍵零部件的供應(yīng)商。本次先鋒精科將公開發(fā)行不超過5059.50萬股股票，募集7億元資金，用于靖江精密裝配零部件制造基地?cái)U(kuò)容升級(jí)項(xiàng)目等。 天眼查顯
2023-06-14 00:45:001555 
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-12 11:19:55562 
無論是從鋰電池輥壓工藝革新進(jìn)化，還是從“干法電極技術(shù)”產(chǎn)業(yè)化視角來看，2023年都是關(guān)鍵的一年。
2023-06-11 14:35:412993 芯片前道制造可以劃分為七個(gè)環(huán)節(jié)，即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。
2023-06-08 10:57:093765 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353314 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長(zhǎng)（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散爐）、離子注入（離子注入機(jī)）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對(duì)Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對(duì)金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機(jī)。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代，要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比，刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升，從25%提至50%。
2023-05-22 12:50:532158 
采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng)，采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到硅片邊緣，在那里與硅進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物四氟化硅而被去除。
2023-05-06 15:08:232903 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
GaAs基VCSEL已廣泛應(yīng)用于三維成像、無人駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)通訊等領(lǐng)域，同時(shí)在光電對(duì)抗、激光雷達(dá)、航空航天等高精尖領(lǐng)域也發(fā)揮著巨大的作用和潛能。
2023-04-21 09:23:25806 等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對(duì)于成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統(tǒng)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，可以為客戶節(jié)省大量費(fèi)用，有可能
2023-04-21 09:20:221347 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 的圓臺(tái)硅通孔，采用的是在頂部不斷橫向刻蝕的方式實(shí)現(xiàn)的，不利于封裝 密度的提高，且對(duì)于光刻設(shè)備的分辨率有一定的要求。針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的問題，一種嚴(yán)格控制橫向 刻蝕尺寸 （僅占原始特征尺寸的 3%~12
2023-04-12 14:35:411569 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 陜西光電子先導(dǎo)院先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺(tái)3月30日在西安全面啟用。該平臺(tái)具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項(xiàng)核心工藝，將為光子產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目提供產(chǎn)品研發(fā)、中試、檢測(cè)等全流程技術(shù)服務(wù)，為光子產(chǎn)業(yè)各類
2023-03-30 19:09:10410 
FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182458
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