AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款寬帶GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
2024-03-15 09:36:37
C4H27W400AVYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，2.3 至 2.69 GHz，400 W，15 dB，48 V，SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實(shí)也只有六七年的歷史，從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:00
1844 Ω MMIC Ku 頻率段高功率放大器應(yīng)用領(lǐng)域軍工用和商用 Ku 波段雷達(dá)產(chǎn)品規(guī)格描述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 波段 GaN MMIC 功率放大器最低頻率(MHz)：13500
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPA2309 C波段100W GaN功率放大器Qorvo QPA2309 C波段100W GaN（氮化鎵）功率放大器的工作頻率范圍為5GHz至6GHz，功率附加效率 (PAE) 高達(dá)
2024-02-26 23:01:12
Qorvo QPA2310 C波段50W GaN功率放大器Qorvo QPA2310 C波段50W GaN（氮化鎵）功率放大器的工作頻率范圍為5GHz至6GHz，功率附加效率 (PAE) 高達(dá)53
2024-02-26 23:00:18
Qorvo QPA2513 S波段125W GaN功率放大器Qorvo QPA2513 S波段125W GaN（氮化鎵）功率放大器在3.1GHz至3.5GHz脈沖射頻連續(xù)波下工作，提供51dBm飽和
2024-02-26 22:58:05
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001551 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）充電樁市場隨著高壓直流快充的推廣，在一些400kW以上的充電樁中已經(jīng)采用了SiC功率器件。同為第三代半導(dǎo)體的GaN，由于在高頻應(yīng)用上的優(yōu)勢，一些廠商也在推動GaN進(jìn)入到
2024-02-21 09:19:283849 事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
CREE的CMPA1E1F060 MMIC HPA系列借助性能卓越0.15um GaN on SiC制作工藝，兼容高至60W的功率。CMPA1E1F060的頻率范圍為13.4-15.5GHz，偏向
2023-12-26 09:52:16
SGN26C320I2D 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN26C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此
2023-12-25 11:57:02
SGN21C320I2D型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN21C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常
2023-12-25 11:51:32
SGN19C320I2D型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常
2023-12-25 11:44:59
SGN27C210I2D 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN27C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此
2023-12-23 20:37:06
SGN27C160I2D型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN27C160I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常
2023-12-23 20:31:32
EGN21C210I2D 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT EGN21C210I2D 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高
2023-12-22 16:29:03
EGN21C105I2D型號簡介Sumitomo的GaN HEMT EGN21C105I2D 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-22 16:17:13
SGN19C210I2D型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常
2023-12-22 15:49:08
SGC5259-300A-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-300A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配C波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號規(guī)格
2023-12-21 10:53:02
SGC5259-50A-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-50A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配C波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號規(guī)格 廠家
2023-12-21 10:45:36
SGK5254-30A-R型號簡介Sumitomo的SGK5254-30A-R是一種高功率GaN HEMT內(nèi)部匹配C波段雷達(dá)波段，以提供50歐姆系統(tǒng)中的最佳功率和增益。型號規(guī)格 廠家
2023-12-21 10:18:05
SGNH360M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGNH360M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常
2023-12-21 10:02:08
SGN36H120M1H 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H120M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高
2023-12-21 09:56:42
SGN36H080M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H080M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:50:11
SGN36H050M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H050M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:44:59
SGN26H241M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN26H241M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:38:56
SGN26H180M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN26H180M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:33:30
SGN26H120M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN26H120M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:26:36
SGN26H080M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN26H080M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:19:29
SGN21H181M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN21H181M1H 為50V高功率L波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品
2023-12-20 19:31:33
SGN21H180M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN21H180M1H為50V高功率L波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品
2023-12-20 19:20:05
SGN19H240M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H240M1H為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:12:57
SGN19H181M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H181M1H為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:06:21
SGNH240M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGNH240M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常
2023-12-20 18:24:01
CREE的CMPA1F1H060 MMIC HPA系列通過性能卓越0.15um GaN on SiC制作工藝，兼容高至80W的功率。CMPA1F1H060的頻率范圍為15.4-17.7GHz，兼容
2023-12-20 09:32:15
SGN3035-150H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN3035-150H-R為50V工作的s波段雷達(dá)應(yīng)用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達(dá)5微秒脈沖寬度
2023-12-17 11:25:38
SGN2731-500H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500H-R具有高功率、高效率和更高的一致性，適用于s波段雷達(dá)應(yīng)用，覆蓋2.7至3.1 GHz，工作電壓為
2023-12-17 11:18:51
SGN2731-130H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-130H-R為50V工作的s波段雷達(dá)應(yīng)用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達(dá)5微秒脈沖寬度
2023-12-17 11:12:19
SGN2731-120H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-120H-R提供高為50V操作的S波段雷達(dá)應(yīng)用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低點(diǎn)熱阻允許使用高達(dá)
2023-12-17 11:04:55
SGN2729-600H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R為s波段雷達(dá)應(yīng)用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆蓋2.7至2.9 GHz，工作電壓為50V
2023-12-17 10:56:07
SGN2729-250H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆蓋2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達(dá)脈沖條件的雷達(dá)
2023-12-16 21:29:05
SGN1214-220H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN1214-220H-R提供高功率、高效率、易于匹配和更大的一致性，適用于50V工作的L波段雷達(dá)應(yīng)用，覆蓋1.2至1.4
2023-12-16 21:13:08
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
SGC5259-400B-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-400B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號規(guī)格 廠家
2023-12-10 21:17:16
SGC7178-100A型號簡介Sumitomo的SGC7178-100A是一款高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配C波段應(yīng)用，可在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號規(guī)格 廠家
2023-12-10 21:10:23
SGN3133-260H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260H-R為50V工作的s波段雷達(dá)應(yīng)用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達(dá)200μsec
2023-12-10 20:51:52
SGC5259-300B-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-300B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號規(guī)格
2023-12-10 14:37:28
SGC52589-50B-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-50B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號規(guī)格
2023-12-10 14:22:48
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點(diǎn)，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:03350 
GaN市場規(guī)模還高出數(shù)倍。 ? 這一筆大規(guī)模交易的背后，是對功率GaN市場發(fā)展?jié)摿Φ目春?。相比于SiC的功率應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化較早，GaN材料最初在LED、射頻等領(lǐng)域經(jīng)歷了漫長的發(fā)展，功率GaN的市場嚴(yán)格來說是從19年才真正上規(guī)模。 ? 因此功率GaN市場發(fā)展?jié)摿Ρ粡V泛看好，集邦咨詢的預(yù)測
2023-11-10 00:24:001758 
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25657 
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 16:10:10555 
Wolfspeed的CG2H40120是款前所未有的類產(chǎn)品；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CG2H40120選用28伏電源軌工作；具備通用型應(yīng)用領(lǐng)域；適合各種射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域
2023-08-07 17:07:10227 70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
120-W；射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用 28 伏電源軌
2023-08-07 09:25:11
120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 09:22:52
120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用
2023-08-07 09:20:30
120-W; DC – 8000-MHz; 28 V; GaN HEMT Die 沃爾夫斯派特的cg2h80120d是一種氦氮化鈉(GAN)高電動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優(yōu)于硅或
2023-08-04 17:25:02
60-W; 8.0-GHz; GaN HEMT Die沃爾夫斯派特公司的cg2h80060d是一種氦氮化鎂(GAN)高電動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優(yōu)于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高
2023-08-04 16:58:59
CG2H80045D 沃爾夫斯派特的CG2H80045D是一種氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優(yōu)于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高的飽和電子漂移速度和較高
2023-08-04 16:43:55
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供寬帶
2023-08-04 16:41:15
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供寬帶
2023-08-04 16:29:07
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供寬帶
2023-08-04 16:17:49
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供
2023-08-04 15:56:50
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻
2023-08-04 15:49:22
35-W射頻功率沃爾夫斯捷爾公司的cgh40035f是無與倫比的,它是高電勢晶體管(HEMT)。cgh40035f;在28伏特軌道上運(yùn)行;提供通用;寬帶解決方案的各種射頻和微波應(yīng)用。甘赫姆茨提供
2023-08-04 10:16:16
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻
2023-08-04 10:04:25
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供
2023-08-04 09:18:43
30-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括
2023-08-03 17:00:22
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:43:09
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:08:51
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 14:55:55
15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越
2023-08-03 14:06:49
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28
2023-08-03 13:41:45
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 13:36:27
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 11:58:27
高功率多波段UV-LED點(diǎn)光源光波導(dǎo)傳輸，光固化等應(yīng)用昊量光電新推出用于紫外光固化工藝的模塊化光譜組合的高功率多波段UV-LED點(diǎn)光源。模塊化理念，基于UV-LED技術(shù)、VIS-LED技術(shù)
2023-06-26 10:01:07528 
200W的負(fù)載電阻。
圖7 GaN Class D系統(tǒng)半橋逆變電路
測試時(shí)調(diào)制波頻率設(shè)置在人耳可聽到的音頻范圍20Hz-20kHz內(nèi)，這里取為2kHz。當(dāng)輸出功率為100W時(shí)，記錄系統(tǒng)的工作波形如圖8所示
2023-06-25 15:59:21
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計(jì)
2023-06-21 07:35:15
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
今天，我們接著來說E波段毫米波雷達(dá)的功率。在這之前，先來看一個(gè)汽車?yán)走_(dá)的有趣應(yīng)用。
2023-05-04 09:29:302051 
我想降低有源和 LPCD 模式下的射頻功率，以減少讀取范圍和功耗。我目前正在讀取 70mm 的 ISO 卡。
當(dāng)前配置如下：
我想我應(yīng)該降低 VDDPA，但有很多與此相關(guān)的設(shè)置。
TXLDO_VDDPA_MAX_RDR（0008h）設(shè)置為3V3，但讀取范圍相同。
我應(yīng)該觸摸哪些鍵設(shè)置？
2023-04-28 07:24:02
您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
L，S 波段中功率單刀雙擲開關(guān)
2023-03-25 00:47:37
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