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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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SGN21C320I2D 高壓 大功率GaN HEMT

型號(hào)： SGN21C320I2D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號(hào) SGN21C320I2D
  • 名稱 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGN21C320I2D

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT SGN21C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常適合用于2.1GHz LTE設(shè)計(jì)要求，因?yàn)樗峁┝烁咴鲆?、長(zhǎng)期可靠性和易用性。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號(hào)                    SGN21C320I2D
名稱                    用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號(hào)參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：55dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
線性增益：18.5dB（典型值）@f=2.14GHz
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性
僅適用于Doherty放大器的峰值級(jí)


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