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電子發(fā)燒友網(wǎng)>業(yè)界新聞>廠商新聞>Numonyx與Intel 開發(fā)堆疊式交叉點相變化內(nèi)存技術(shù)

Numonyx與Intel 開發(fā)堆疊式交叉點相變化內(nèi)存技術(shù)

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2023-07-08 17:51:49340

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;     ADV3226/ADV3227含有16個獨立的輸出緩沖,可將其置于高阻抗狀態(tài),以實現(xiàn)交叉點輸出并聯(lián),從
2023-07-05 16:37:46

ADV3226ACPZ是一款開關(guān)

;  ADV3226/ADV3227含有16個獨立的輸出緩沖,可將其置于高阻抗狀態(tài),以實現(xiàn)交叉點輸出并聯(lián),從而防止關(guān)斷通道向輸出總線提供負載。ADV3
2023-07-05 16:35:44

在超純晶圓上堆疊超高純層的外延技術(shù)

廣義而言,半導(dǎo)體基板即為晶圓。我們可以直接在晶圓表面堆疊晶體管,即半導(dǎo)體電路的基本元件,也可以構(gòu)建新的一層,將其作為基板并在上面形成器件。特別是用于通信、軍事和光學(xué)元件等特殊用途的晶體管,或是高性能
2023-06-26 10:05:29417

如何在超純晶圓上堆疊超高純層的外延技術(shù)呢?

廣義而言,半導(dǎo)體基板即為晶圓。我們可以直接在晶圓表面堆疊晶體管,即半導(dǎo)體電路的基本元件,也可以構(gòu)建新的一層,將其作為基板并在上面形成器件。
2023-06-19 10:04:53370

交換機如何建立堆疊?

堆疊是指將多臺支持堆疊特性的交換機通過堆疊線纜連接在一起,從邏輯上虛擬成一臺交換設(shè)備,作為一個整體參與數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)。堆疊是目前廣泛應(yīng)用的一種橫向虛擬化技術(shù),具有提高可靠性、擴展端口數(shù)量、增大帶寬、簡化
2023-06-17 09:17:461363

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561723

LT8644數(shù)字交叉點開關(guān)規(guī)格書

LT8644是一個16×16數(shù)字交叉點開關(guān),具有16個差分CML兼容輸入以及16個差分CML輸出。LT8644針對不歸零(NRZ)信令進行了優(yōu)化每個端口的數(shù)據(jù)速率高達3.4Gbps。每個端口都提供
2023-06-13 17:35:210

閃測儀用途

的距離、孔到邊的距離、弧線中心到孔的距離、弧線中心到邊的距離、弧線高點到弧線高點的距離、交叉點交叉點的距離等。技術(shù)規(guī)格型號VX8300 圖像傳感器200
2023-05-31 13:35:39

GPT4技術(shù)原理之相變與涌現(xiàn)

物理系統(tǒng)中發(fā)生的相變最直觀,水結(jié)成冰或沸騰成蒸汽。在一定的溫度或壓力下,系統(tǒng)發(fā)生行為的突然變化,從一種相轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N相。轉(zhuǎn)變出現(xiàn)了之前相中沒有的新特性,例如冰的晶體結(jié)構(gòu)或蒸汽的氣態(tài)特性。
2023-05-29 14:09:34727

米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板 安裝交叉編譯器

米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板安裝交叉編譯器
2023-05-26 22:05:441656

多頁式或堆疊式分形面板分組

本文主要介紹如何在分形分組或多頁模式下對面板進行分組或?qū)⒚姘?b class="flag-6" style="color: red">堆疊在彼此上面,以及如何拖動面板以根據(jù)需要進行排列。
2023-05-24 17:39:16432

優(yōu)秀工程師和一般工程師的差距在哪里?

1、你是否愛你的原理圖,每一個字符放的位置,都認真的放置。沒有干涉,整齊清潔。原理圖是你的孩子,請愛護好你的孩子。 ? ? 2、上拉就要有一個上拉的樣子。該有交叉點的地方就應(yīng)該有交叉點,沒有交叉點
2023-05-24 08:44:47646

iPhone15機型基本敲定,融入靈動島和堆疊攝像頭

和iPhone 15 Plus機型將配備48MP像素攝像頭。這些型號上的48MP像素鏡頭將使用新的三層堆疊傳感器,可以捕獲更多光線以提高圖像質(zhì)量。但是堆疊傳感器面臨良率問題,可能導(dǎo)致iPhone 15
2023-05-16 09:49:08

Novator影像儀 二次元全自動影像測量儀

)、圓弧、中心、角度、距、線寬、孔位、孔徑、孔數(shù)、孔到孔的距離、孔到邊的距離、弧線中心到孔的距離、弧線中心到邊的距離、弧線高點到弧線高點的距離、交叉點交叉點的距
2023-04-27 13:58:32

一文詳解交叉極化干擾技術(shù)

交叉極化干擾是一種自衛(wèi)技術(shù),包含交叉極化干擾信號的產(chǎn)生。這種干擾技術(shù)能夠使單脈沖雷達失去對目標的角跟蹤。任何在天線中具有前向幾何結(jié)構(gòu)(如拋物面碟形反射器)的雷達,其交叉極化波瓣的方向與雷達的視向相反,如圖1所示。
2023-04-26 15:03:561275

深度剖析單相變壓器并聯(lián)運行

  單相變壓器并聯(lián)運行是指具有相同極性、相同匝數(shù)比、相同相序和相同電壓比的兩個或多個變壓器相互并聯(lián)連接。   兩臺并聯(lián)的單相變壓器A和B的電路圖如下所示:      讓一個1是變壓器A的匝數(shù)比a2
2023-04-24 18:19:15

相變壓器是如何構(gòu)建的?

的絕緣。支路a和c的磁路大于支路b的磁路,結(jié)構(gòu)不對稱,導(dǎo)致磁化電流不平衡。   殼相變壓器   殼相變壓器可以通過堆疊三臺單相殼變壓器來構(gòu)造,如下圖所示。中心單元b的繞組方向與單元a和c的繞組
2023-04-23 17:48:56

今日看點丨美國將四家中國公司加入SDN名單?。籗K海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

為由,將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ,已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191453

相變壓器和三相變壓器額定值之間有什么關(guān)系嗎?

相變壓器和三相變壓器額定值之間有什么關(guān)系嗎?
2023-04-07 10:10:17

了解電阻觸摸屏的原理及其應(yīng)用

,當觸摸面和驅(qū)動面接觸時,就會形成電阻閉合電路,從而產(chǎn)生電流和電壓的變化,從而檢測出觸摸的坐標。二、電阻觸摸屏的應(yīng)用1.手機電阻觸摸屏作為一種新型觸摸技術(shù),由于具有良好的靈敏度,不易受外界干擾
2023-04-06 10:41:27

新手求助三相變壓器中性至繞組之間有沒有電流呢?

新手求助三相變壓器中性至繞組之間有沒有電流呢?
2023-04-03 11:50:54

N32G430C8L7_STB開發(fā)

N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12

N32G4FRML-STB開發(fā)

高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā),開發(fā)板主MCU芯片型號N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12

成功開發(fā)嵌入軟件的技巧有哪些?

嘿大家,我想開始討論嵌入軟件開發(fā)并分享一些對我的工作有幫助的技巧。首先,清楚了解項目的要求和限制很重要。這包括諸如處理能力、內(nèi)存和輸入/輸出能力之類的東西。此信息將有助于指導(dǎo)您的設(shè)計決策并確保軟件
2023-03-31 08:28:45

嵌入式開發(fā)學(xué)習的6大階段

本帖最后由 cdhqyj 于 2023-3-29 13:55 編輯 嵌入式開發(fā)學(xué)習的6大階段 第一階段:嵌入系統(tǒng)開發(fā)基礎(chǔ)理論階段目標掌握Linux操作系統(tǒng)的使用,精通使用C語言編程,熟練掌握
2023-03-29 11:25:43

相變微膠囊儲能材料原理特性及作用

相變材料可分為無機相變材料和有機相變材料。有機相變材料與無機相變材料相比,具有自核、共熔、無相分離、低過冷度等優(yōu)點,具有良好的應(yīng)用前景。然而,有機相變材料的體積變化大、泄漏和導(dǎo)熱系數(shù)低等問題限制
2023-03-29 10:17:521302

相變頻器和三相變頻器就電機接線方法上有何區(qū)別?為什么?

變頻器控制電路中電機用三角形接法還是用星型接法?單相變頻器和三相有何區(qū)別?單相變頻器和三相變頻器就電機接線方法上有何區(qū)別?為什么?
2023-03-28 16:46:02

ATK-Mini Linux開發(fā)板-EMMC

ATK-Mini Linux開發(fā)板-EMMC
2023-03-28 13:05:54

ATK-Mini Linux開發(fā)板-NAND

ATK-Mini Linux開發(fā)板-NAND
2023-03-28 13:05:54

新型DDR5內(nèi)存的應(yīng)用

各家的Intel 600、700系列主板都已陸續(xù)更新BIOS,搭檔12代、13代酷睿,可以順利使用24GB、48GB內(nèi)存,AMD平臺呢?
2023-03-27 14:27:49294

CC2541開發(fā)套件

TI CC2541開發(fā)套件
2023-03-25 01:27:25

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