若采用完全耗盡型SOI（FDSOI）技術，無需使晶體管立體化便可繼續(xù)推進SoC微細化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導體制造技術和設計技術，因此無需很多成本即可繼續(xù)推進微細化（
2012-12-24 08:30:26
2380 Samsung 5 日宣佈正式量產全球首款採用 10nm 制程生產的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個量產 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領先。
2016-04-06 09:04:56673 該成果利用具有優(yōu)異液相分散性的石墨烯納米帶，實現了超凈單電子晶體管的制備，為進一步研究液相石墨烯納米帶的自旋態(tài)和拓撲態(tài)提供了可能。
2023-02-16 12:03:11403 其實早在2002年Intel即發(fā)現了這一技術，一直處于試驗演示階段，現在終于把它變成了現實，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數量將達到10億。
2020-04-07 09:01:21
8050晶體管是一種小型設備，用于引導便攜式無線電中的電流。數字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數字名稱，以便更容易識別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
很多晶體管組成的。芯片制程是指在芯片中，晶體管的柵極寬度。因為在整個芯片中，晶體管的柵極是整個電路中最窄的線條。如果柵極寬度為10nm，則稱其為10nm制程。納米數越小，比如從10nm到 7nm，就可以
2019-12-10 14:38:41
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
（實際上有數nA~數10nA的漏電流），并認為OFF期間的功耗為零。合計以上各區(qū)間計算的積分值，除以1周期的長度400μs，為平均功耗，即而且，這里對雙極晶體管2SD2673例子的集電極電流IC
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y構
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
(1) 電流放大系數β和hFEβ是晶體管的交流放大系數，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
100V到700V，應有盡有．幾年前，晶體管的開關能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號的晶體管。 3．行推動管的選用彩色電視機中使用的行推動管，應選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應大于或等于10
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
碳納米纖維是指具有納米尺度的碳纖維，依其結構特性可分為納米碳管即空心碳納米纖維和實心碳納米纖維。
2019-09-20 09:02:43
AM81214-030晶體管產品介紹AM81214-030報價AM81214-030代理AM81214-030咨詢熱線AM81214-030現貨,王先生深圳市首質誠科技有限公司ASI為UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。核心指標方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方...
2021-07-20 06:51:04
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
與銷售集團總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
。這場戰(zhàn)役兩家大廠互有消長，首先是三星的14nm較臺積電的16nm搶先半年投入量產，因兩家大廠的鰭式晶體管(FinFET)設計也確有雷同之處，后續(xù)又衍生了競業(yè)禁止官司訴訟等故事，無論如何，最終臺積電還是
2018-06-14 14:25:19
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節(jié)計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度，晶體管可用于各種數字和模擬功能，包括放大器、開關、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產品的出現?！ ≡谠S多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導電氧化物材料制成?！ 〔贿^，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
MOSFET顯示出令人反感的短通道效應?！ 艠O長度（Lg）縮小到90 nm以下會產生明顯的漏電流，而在28 nm以下，漏電流過大，使晶體管失效。因此，隨著柵極長度的縮小，抑制關斷狀態(tài)泄漏至關重要。 提高
2023-02-24 15:25:29
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內最重要的代工企業(yè)臺積電、三星和GF（格羅方德），在半導體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結（稱這個PN結為“發(fā)射結”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10進行數據采集？如何用LabVIEW顯示單結晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
小弟想問，有誰可以告訴我。晶體管transistor part number(UTC MCR101L 6UDA)是NPN 還是PNP。如果找不到同一樣的晶體管(transistor)那我該買什么晶體管(transistor)來替換。急求。。。。。。。答案。。。。。
2011-06-21 13:38:28
判斷為不合格。正確觀點A：首先為了啟動數字晶體管，加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B：漸漸降低電壓，到規(guī)格書規(guī)定的3V時停止。因仍保持ON狀態(tài)，故該產品為合格。C：如果繼續(xù)降低基極電壓，不能完全保持
2019-04-09 21:49:36
：首先為了啟動數字晶體管，加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B：漸漸降低電壓，到規(guī)格書規(guī)定的3V時停止。因仍保持ON狀態(tài)，故該產品為合格。C：如果繼續(xù)降低基極電壓，不能完全保持ON狀態(tài)，而向OFF狀態(tài)
2019-04-22 05:39:52
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導體之一，普渡大學通過這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔起原本半導體的職責，而納米碳管則負責控制邏輯門中電子的流向。眼下，這一研究還停留在初級階段，畢竟在14nm的制程下，一個模具上就有超過10億個晶體管，而要
2016-10-08 09:25:15
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業(yè)內隔離式
2023-02-27 09:37:29
一、電子管和晶體管及集成電路的發(fā)明1.電子管的發(fā)明1877年，愛迪生發(fā)明碳絲電燈，應用不久即出現了壽命太短的問題，這是因為碳絲難耐高溫，使用不久即告“蒸發(fā)”，燈泡的壽命也就完結了。愛迪生設法改進這種
2021-07-23 08:40:38
，越往下線寬越窄，越靠近器件層。 這是CPU的截面視圖，可以清晰的看到層狀的CPU結構，芯片內部采用的是層級排列方式，這個CPU大概是有10層。其中最下層為器件層，即是MOSFET晶體管
2020-07-07 11:36:10
近日，SIA發(fā)了個聳人聽聞的新聞，說intel放棄了10nm工藝的研發(fā)，當然這肯定是假消息就是了，今天intel也出面辟謠。不過相信很多人也會覺得奇怪，那邊TSMC 7...
2021-07-26 08:10:47
`如圖所示，使用STM32輸出通過光耦驅動晶體管陣列MC1413(同ULN2003)，但是輸出端測不到，求指教電路是否合適，謝謝。順便貼上MC1413的電氣特性。`
2019-03-18 09:56:56
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
英飛凌科技公司（Infineon），設在慕尼黑的實驗室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發(fā)出全球最小的納米晶體管，其溝槽長度僅為18納米，幾乎是當前最先進的晶
2006-03-11 22:10:39993 來自IBM、蘇黎世理工學院和美國普渡大學的工程師近日表示，他們構建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29843 導語：聯發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產。
2016-07-28 19:00:27680 據報道，三星超車臺積電，高通8日宣布全球首顆10nm服務器芯片已送客戶，搶攻長期由英特爾獨霸市場；高通10nm手機芯片也委由三星代工，但7nm訂單重返臺積電，臺積電仍是大贏家。
2016-12-09 10:38:52337 臺積電為了趕進度已在當前試產10nm工藝，不過臺媒指其10nm工藝存在較嚴重的良率問題，這意味著其10nm工藝產能將相當有限，在它優(yōu)先將該工藝產能供給蘋果的情況下，對另一大客戶聯發(fā)科顯然不是好消息。
2016-12-23 10:36:28555 在CES2017上高通是唯一一家展示10nm半導體工藝的廠家，在聯發(fā)科以及海思即將推出10nm芯片的當下高通犀利指出，聯發(fā)科、海思的10納米芯片和高通的驍龍835完全不在同一個水平上，談不上是競爭對手，凸顯了高通對于這款處理器的強大自信。
2017-01-10 09:22:57873 雖然摩爾定律即將走向終結，但半導體制程工藝推進的腳步卻一直沒有停下過。臺積電和三星作為ARM芯片代工陣營的領軍企業(yè)，雙方你追我趕大打制程戰(zhàn)，已將制程工藝推進至10nm，而高通聯發(fā)科等我們所熟知的IC
2017-01-11 10:49:113863 
英特爾此前已經談論過多次 10 納米的 Cannon Lake 芯片了，超級10nm領先一切對手,性能升25%功耗降45%,英特爾已經有能力在1平方毫米中塞下1億個晶體管，絕對是行業(yè)歷史上史無前例的。
2017-04-05 18:01:142082 IBM宣布在晶體管的制造上獲得了巨大的突破，運用最新工藝研制出了300億個5納米晶體管。和10nm芯片對比同等效率下，5納米芯片可以節(jié)省74%電能。
2017-12-27 12:39:19995 作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm制程已經跳票三年之久，每當一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:005069 由于晶體管制造的復雜性，每代晶體管制程針對不同用途的制造技術版本，不同廠商的代次間統(tǒng)計算法也完全不同，單純用代次來比較并不準確。根據目前業(yè)界常用晶體管密度來衡量制程水平，英特爾最新10nm制程的晶體管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。
2018-07-10 16:31:003921 
Cannonlake架構的Core i3-8121處理器，通過分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達到了100MTr/mm2，是14nm節(jié)點的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
2018-06-14 11:08:005919 無疑這收獲了業(yè)界潮水般的質疑，為何其10nm一直難以出師？有分析稱，10nm工藝之難產的一個關鍵是最初指標定的太高。相比14nm工藝，10nm工藝的晶體管密度是前者的2.7倍，也就是2.7x的縮放
2018-12-18 10:37:332586 5月28日，臺北電腦展，Intel終于發(fā)布了萬眾期待多年的首個10nm工藝產品家族，代號Ice Lake的第十代酷睿移動筆記本處理器，包括酷睿i7、酷睿i5、酷睿i3三大序列和銳炬Iris Plus核芯顯卡，而且都更換了新的LOGO標識。
2019-05-28 15:03:53884 CPU使用數十億個微型晶體管，電子門打開和關閉以執(zhí)行計算。晶體管越小，所需的功率就會越小。7nm和10nm是這些晶體管尺寸的測量尺寸。nm是納米和微小長度的縮寫，以此來判斷特定CPU有多強大的有用指標。
2019-08-18 10:02:176421 晶體管是電子計算行業(yè)的基礎，目前我們使用的多是硅基晶體管，但是隨著摩爾定律逐漸失效，硅基半導體在10nm以下正面臨各種困難。在新一代晶體管技術中，碳納米管被視為理想的材料，日前美國麻省理工的科學家用14000個晶體管成功制作了16位處理器，并運行了一段程序。
2019-08-29 17:23:083445 據Digitimes報道稱，Intel正在加速獨顯的發(fā)布速度，旗下首個10nm獨立顯卡“Xe”預計將于2020年年中推出。
2019-10-21 14:59:28596 Intel的10nm處理器遲遲沒有高性能桌面版，估計跟10nm的性能上限不如14nm有關，畢竟后者實現了5．3GHz的加速頻率，這一點10nm工藝做不到。
2020-04-10 17:07:473642 Intel正在各個領域實現從14nm向10nm的過渡：輕薄本上代還是14/10nm混合，現在已經完全是10nm；游戲本、服務器馬上就都會首次嘗鮮10nm；桌面則要等到明年底的12代最終實現交接。
2020-12-07 10:00:071764 隨著Tiger Lake處理器的量產，Intel的10nm工藝已經解決了產能、性能等問題，現在使用的是10nm SuperFin（以下簡稱10nm SF）工藝，下半年則會有更新的增強版10nm SF工藝，12代酷睿會首發(fā)。
2021-01-14 09:48:283121 
過時。IBM?在 2021?年就證明了這一點，其突破性的 2?納米芯片技術顛覆了市場。這個新的制造時代得益于減少芯片納米的競賽。? 今天，晶體管的標準長度是10納米，而且隨著最新研究，頂級公司已經生產了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35436 在2021年5月份，IBM發(fā)布全球首個2nm制程芯片制造技術，全球首顆2nm芯片正式問世。近期，臺積電正式宣布用于生產納米片晶體管架構的2nm芯片，預計在2025年量產，三星電子也已經開始大規(guī)模生產3nm芯片，2nm將于2025年量產。
2022-06-29 09:38:042826 現在的芯片技術越來越先進，人們常常能夠聽到某某公司又研發(fā)出5nm、4nm芯片的消息，而目前全球所研發(fā)出的最先進的芯片是IBM公司的2nm芯片，我們都知道芯片內部有很多晶體管，那么2nm芯片的晶體管
2022-07-04 09:15:363936 的NMN910 5G SoC 芯片，也被稱為麒麟9000。 這款芯片集成了49億個晶體管，尺寸為 5 納米，成為了全球首個量產的5nm 5G SoC芯片。這是一個重要的里程碑，它意味著華為已經成為了第一個推出5nm工藝技術的芯片制造商，并且在性能方面達到了全球領先的水平。 首先我們
2023-09-01 16:47:357031
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工商網監(jiān)
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