賽普拉斯推出串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用。新的器件最高工作頻率可分別達(dá)到104MHz(SPI器件)和3.4MHz(I2C器件)。同時，用戶還可以選擇集成實時時鐘(RTC)，用于給重要的數(shù)據(jù)打上時間標(biāo)記，以便備份。

　　賽普拉斯的nvSRAM采用其S8™ 0.13-微米 SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲器技術(shù)制造，擁有卓越的可靠性和改善的性能。nvSRAM對于要求數(shù)據(jù)的絕對非易失性的應(yīng)用(如智能電表、PLC、馬達(dá)驅(qū)動、汽車電子數(shù)據(jù)記錄儀、RAID系統(tǒng)、醫(yī)療和數(shù)據(jù)通訊系統(tǒng))而言，是理想的選擇。

　　新的串行nvSRAM系列產(chǎn)品包括具有多種配置的1-Mbit，512-Kbit，256-Kbit和64-Kbit器件。這些器件具有卓越的性能， SPI運行頻率可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的104MHz，具有SPI模式0和3、無限次讀寫和取回周期，數(shù)據(jù)保存時間長達(dá)20年。這些器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的8-SOIC 和16-SOIC小尺寸封裝方式。

　　賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級總監(jiān)Jithender Majjiga說：“由于nvSRAM基于可行的、高產(chǎn)的CMOS技術(shù)，我們的客戶鼓勵我們將這些串行接口產(chǎn)品添加到我們現(xiàn)有的并行nvSRAM產(chǎn)品線中。競爭方案傾向于使用非標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)，且必須力保供應(yīng)源的持續(xù)性。賽普拉斯的供應(yīng)鏈很靈活穩(wěn)定，擁有高質(zhì)量的制造工藝，因而能滿足需求巨大的串行市場。”

　　賽普拉斯是SONOS工藝技術(shù)的領(lǐng)先廠商，在其下一代PSoC®混合信號陣列、可編程時鐘和其他產(chǎn)品中都采用了S8技術(shù)。SONOS與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS技術(shù)兼容，并且具有高耐用性、低功耗和抗輻射的優(yōu)勢。賽普拉斯的S8™ 0.13-微米 SONOS工藝在其自身的芯片廠和多個合作芯片廠中都有使用。與其他基于磁和鐵電的非易失性存儲技術(shù)相比，SONOS技術(shù)在規(guī)模擴展和可制造性方面具有突出的優(yōu)勢。

　　賽普拉斯的串行nvSRAM具有I2C (1-Mbit: CY14B101J) 和 SPI (1-Mbit: CY14B101QA)兩種接口，封裝方式為小尺寸8-SOIC 和 16-SOIC。這些器件還具有512-Kbit, 256-Kbit 和64-Kbit容量規(guī)格，以及可選配的實時時鐘。目前，這些器件出于樣品階段，預(yù)計四月份開始量產(chǎn)。