單結(jié)晶體管的使用問題

1.1　在第二基極B2上串聯(lián)1個(gè)限流電阻R2，限制單結(jié)管的峰值功率
1.2　電路中的CT或VP（峰值電壓）較大時(shí)，CT上應(yīng)串聯(lián)一個(gè)保護(hù)電阻，以保護(hù)發(fā)射極B1不受到電損傷。
1.3　在某些應(yīng)用中，用一只二極管與單結(jié)管的基極B2或發(fā)射極E相串聯(lián)，這樣可改善溫度穩(wěn)定性及減小電源電壓變化的影響。
1.4　單結(jié)管和硅可控整流器的抗輻照特性很差，不宜在輻照環(huán)境中使用。
單結(jié)晶體管的使用問題
單結(jié)晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡單，因此在各種開關(guān)應(yīng)用中，在構(gòu)成定時(shí)電路或觸發(fā)SCR等方面獲得了廣泛應(yīng)用。它的開關(guān)特性具有很高的溫度穩(wěn)定性，基本上不隨溫度而變化。
單結(jié)管又名雙基極二極管，它作為振蕩器的基本電路如圖2－5所示。

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為了提高使用可靠性，在使用過程中應(yīng)注意以下問題：
1.1　在第二基極B2上串聯(lián)1個(gè)限流電阻R2，限制單結(jié)管的峰值功率
因?yàn)殡娐饭ぷ鲿r(shí)，在B2和E間常常表現(xiàn)出很大的峰值功率。
R2應(yīng)滿足：R2 ＝0.4 RBB
?????????????????????????? ηV1
式中：V1－電源電壓; RBB＝RB1+RB2;　η ＝RBB
??????????????????????????????????????????????????????????????? RB1+RB2
1.2　電路中的CT或VP（峰值電壓）較大時(shí)，CT上應(yīng)串聯(lián)一個(gè)保護(hù)電阻，以保護(hù)發(fā)射極B1不受到電損傷。
例如：電容CT大于10μF或VP大于30V時(shí)就應(yīng)適當(dāng)串電阻，這個(gè)附加電阻的阻值至少應(yīng)取每微法CT串1Ω電阻。否則，較大的電容器放電電流會逐漸損傷單結(jié)管的EB1結(jié)，使振蕩器的振蕩頻率或單穩(wěn)電路的定時(shí)寬度隨著時(shí)間的增長而逐漸發(fā)生變化。
1.3　在某些應(yīng)用中，用一只二極管與單結(jié)管的基極B2或發(fā)射極E相串聯(lián)，這樣可改善溫度穩(wěn)定性及減小電源電壓變化的影響。
1.4　單結(jié)管和硅可控整流器的抗輻照特性很差，不宜在輻照環(huán)境中使用。