3.IGBT
IGBT自1980年代發(fā)明后很快走入市場并取得巨大成功。IGBT電壓應(yīng)用領(lǐng)域從370V到6500V,是中高功率應(yīng)用的主流開關(guān)器件。2010年全球IGBT市場銷售額較2009年增長56%,達(dá)到32億美元,占整個功率半導(dǎo)體市場份額10%。
隨著研發(fā)人員對IGBT器件物理的深入理解和微電子工藝的進(jìn)步,IGBT正向?qū)〞r漂移區(qū)非平衡載流子濃度分布控制以及關(guān)斷時快速抽取的所謂“集電極工程”、表面電子濃度增強(qiáng)的“柵工程”、IGBT芯片內(nèi)含續(xù)流二極管功能的逆導(dǎo)型IGBT,以及短路安全工作區(qū)和壓接式封裝等方面不斷取得進(jìn)展,各大公司不時宣布自己研制生產(chǎn)的IGBT進(jìn)入了第X代??傮w而言,可以把IGBT的演變歸納為以下六代。
第一代—CZ(Czochralski,直拉)晶片(異質(zhì)外延片)平面柵PT型(PunchThough,穿通)型,采用異質(zhì)雙外延在DMOS工藝基礎(chǔ)上制得;
第二代—CZ晶片(異質(zhì)外延片)精細(xì)結(jié)構(gòu)平面柵PT型;
第三代—CZ晶片(異質(zhì)外延片)槽柵(TrenchGate)PT型;
第四代—FZ(Float-Zone,區(qū)熔)晶片平面柵NPT(NonPunchThough,非穿通)型;
第五代—FZ晶片槽柵電場截止(FieldStop:FS或弱穿通LightPunch-Through:LPT)型,包含CSTBC(CarrierStoredTrenchgateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu),同時也包括逆導(dǎo)(ReverseConducting:RC)、逆阻(ReverseBlocking:RB)型結(jié)構(gòu)IGBT。
第六代—第五代基礎(chǔ)上有更薄的硅片,更精細(xì)的元胞結(jié)構(gòu)。
未來IGBT將繼續(xù)向精細(xì)圖形、槽柵結(jié)構(gòu)、載流子注入增強(qiáng)和薄片加工工藝發(fā)展,其中薄片加工工藝極具挑戰(zhàn)(Infineon公司2011年已經(jīng)展示其8英寸、40m厚的IGBT芯片)。同時,電網(wǎng)等應(yīng)用的壓接式IGBT、更多的集成也是IGBT的發(fā)展方向,如從中低功率向高功率發(fā)展的RC-IGBT。
除硅基IGBT外,SiC材料已被用于IGBT的研制,2007年,Purdu大學(xué)研制了阻斷電壓高達(dá)20kV的SiCP-IGBT,同年Cree公司也報(bào)道了12kV的SiCN-IGBT,美國DARPA高功率電子器件應(yīng)用計(jì)劃-HPE的目標(biāo)之一就是研制10-20kV的SiCIGBT。隨著SiC材料生長技術(shù)的進(jìn)一步完善,SiCIGBT將走向?qū)嵱谩?/p>
國內(nèi)在“八五”科技攻關(guān)中即安排了IGBT研發(fā),但長期以來只有樣品沒有產(chǎn)品,只有IGBT模塊生產(chǎn),沒有IGBT芯片國產(chǎn)化。近兩年,我國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項(xiàng)目的推動及市場牽引下得到了迅速發(fā)展,呈現(xiàn)出大尺寸FZ單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬勃發(fā)展的大好局面。天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司研制的6英寸FZ單晶材料已批量應(yīng)用,在國家“02”科技重大專項(xiàng)的推動下,8英寸FZ單晶材料已取得重大突破;電磁灶用1200VNPT型IGBT已由多家企業(yè)(江蘇東光、華潤華晶、山東科達(dá)等)批量供貨,這標(biāo)志著我國國產(chǎn)IGBT芯片打破了國外一統(tǒng)天下的局面;華潤上華和華虹NEC基于6英寸和8英寸的平面型和溝槽型600V、1200V、1700V、2500V和3300VIGBT芯片已研制成功,正進(jìn)行可靠性考核或部分進(jìn)入量產(chǎn);4500V和6500VIGBT芯片研制也在積極推進(jìn)中;杭州士蘭微基于全部自身芯片(IGBT、FRD、高壓DriverIC)的IPM模塊已研發(fā)成功正進(jìn)入用戶考核;封裝技術(shù)取得重大進(jìn)展。株洲南車時代電氣股份有限公司的IGBT功率模塊已在國內(nèi)地鐵及機(jī)車上裝車運(yùn)行,產(chǎn)品性能等同于國外產(chǎn)品。株洲南車在建立海外功率半導(dǎo)體研發(fā)中心的同時,正在湖南建設(shè)大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地,在擴(kuò)展IGBT模塊封裝線的基礎(chǔ)上,建設(shè)8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線。中國北車集團(tuán)屬下的西安永電電氣有限責(zé)任公司在國家“02”科技重大專項(xiàng)“高壓大功率IGBT模塊封裝技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目中研制的6500V/600AIGBT功率模塊已成功下線,使企業(yè)成為世界第四個、國內(nèi)第一個能夠封裝6500V以上電壓等級IGBT的廠家。此外,江蘇宏微的IGBT模塊已成功進(jìn)入電焊機(jī)市場,浙江嘉興斯達(dá)的IGBT模塊正積極向國外市場推廣。雖然國內(nèi)IGBT行業(yè)近年來取得了重大進(jìn)展,但我們必須清醒地看到,國內(nèi)IGBT行業(yè)與國外相比還存在巨大差距,主要是芯片生產(chǎn)技術(shù)上,在量大面廣的400V-600V薄片F(xiàn)S(場阻)結(jié)構(gòu)IGBT芯片生產(chǎn)、高可靠高性能IGBT芯片技術(shù)、壓接式IGBT功率模塊生產(chǎn)技術(shù)等領(lǐng)域我們與國際先進(jìn)水平還有較大差距。
4.SiCJFET、SiCSIT及硅基GaN開關(guān)器件
作為沒有肖特基接觸和MOS界面的單極器件JFET,由于采用p-n結(jié)柵極,避免了SiCMOSFET存在的低反型層溝道遷移率和SiO2層可靠性低的問題。SiCJFET功率開關(guān)已成為SiC單極器件的熱點(diǎn)研究領(lǐng)域,美國Rutgers大學(xué)報(bào)道的常關(guān)型Ti-VJFET器件的阻斷電壓已達(dá)到11kV,比導(dǎo)通電阻130m.cm2,品質(zhì)因子930MW/cm2。美國SemiSouth公司已商業(yè)推出從650V-1700V的系列SiCJFET產(chǎn)品。
靜電感應(yīng)晶體管(Staticinductiontransistors,SIT)是一種由pn結(jié)柵或肖特基結(jié)柵控制的多子導(dǎo)電器件,除了應(yīng)用在微波功率器件的低頻領(lǐng)域(UHF-C波段)外,SiCSIT是市場上第一款SiC功率開關(guān)器件。該SiCSIT器件耐壓為1200V,導(dǎo)通電阻為12m.cm2。
GaN材料具有3倍硅的禁帶寬度、10倍硅的臨界擊穿電場和2.5倍硅的飽和漂移速度,特別是基于GaN的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有更高的電子遷移率,使得GaN器件具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率,能滿足下一代電子裝備對功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。近年來,隨著GaN材料在光電器件領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,加速了GaN材料的發(fā)展,特別是大直徑硅襯底GaN外延生長技術(shù)的進(jìn)步以及逐步商業(yè)化,使得GaN具有更低廉的成本價(jià)格,有力地促進(jìn)了GaN功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
目前,基于GaN的功率開關(guān)器件主要包括AlGaN/GaNHEMT(HFET)、GaN基MOSFET和MIS-HEMT等結(jié)構(gòu)。其中,AlGaN/GaNHEMT具有工藝簡單、技術(shù)成熟、優(yōu)良的正向?qū)ㄌ匦院透叩墓ぷ黝l率等優(yōu)點(diǎn),成為GaN功率開關(guān)器件中最受關(guān)注的結(jié)構(gòu)。
眾所周知,基于AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的晶體管是耗盡型(常開型)器件,而具有正閾值電壓的增強(qiáng)型(常關(guān)型)功率開關(guān)器件能夠確保功率電子系統(tǒng)的安全性、降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性等,是功率系統(tǒng)中的首選器件。因此,對于AlGaN/GaNHEMT器件而言,增強(qiáng)型HEMT器件實(shí)現(xiàn)技術(shù)也是研究者們極其關(guān)注的問題。目前國際上多采用超薄AlGaN層、凹槽柵、P型柵和氟離子注入等方法實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型導(dǎo)電溝道。
目前基于6英寸硅基GaN平臺,IR公司和EPC公司分別推出了30V和100V/200V的GaN場效應(yīng)電力電子器件,600V-900VGaN器件在近期也將推向市場。以歐洲微電子研究中心為代表的研發(fā)機(jī)構(gòu)正開展8英寸硅基GaN電力電子器件研究。
?。ㄈ┚чl管類器件
在半導(dǎo)體功率開關(guān)器件中,晶閘管是目前具有最高耐壓容量與最大電流容量的器件,其最大電流額定值達(dá)到10kA,電壓額定值可達(dá)12kV。ABB公司和株洲南車時代公司已分別在150mm直徑的硅片上工業(yè)化生產(chǎn)8.5kV/4kA和7.2kV/4.5kA的晶閘管。
晶閘管改變了整流管“不可控”的整流特性,為方便地調(diào)節(jié)輸出電壓提供了條件。但其控制極(門極)僅有控制晶閘管導(dǎo)通的作用,不能使業(yè)已導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài),只有借助將陽極電流減小至維持電流以下或陰、陽極間電壓反向來關(guān)斷晶閘管。在整流電路中,交流電源的負(fù)半周自然會關(guān)斷晶閘管,但在直流電路中,要想關(guān)斷晶閘管必須設(shè)置能給其施加反向電壓的換向電路才行,這給應(yīng)用帶來很大麻煩。一種通過門極控制其導(dǎo)通和關(guān)斷的晶閘管?門極關(guān)斷晶閘管GTO在這種情況下應(yīng)運(yùn)而生并得到發(fā)展,目前已有包括日本三菱電機(jī)公司、瑞典ABB等多家廠商能在6英寸硅片上生產(chǎn)6kV/6kA,頻率1kHz的GTO,研制水平已達(dá)8kV/8kA。但GTO仍然有著復(fù)雜的門極驅(qū)動電路、低耐量的di/dt和dV/dt,小的安全工作區(qū)(SafeOperatingArea—SOA),以及在工作時需要一個龐大的吸收(Snubber)電路等缺點(diǎn)。針對GTO的上述缺陷,在充分發(fā)揮GTO高壓大電流下單芯片工作和低導(dǎo)通損耗特點(diǎn)的基礎(chǔ)上,多種MOS柵控制且具有硬關(guān)斷(HardSwitching)能力的新型大功率半導(dǎo)體器件在上世紀(jì)九十年代相繼問世并陸續(xù)走向市場。所謂硬關(guān)斷晶閘管即是在關(guān)斷時能在一個很短的時間內(nèi)(如1?s)完成全部陽極電流向門(柵)極的轉(zhuǎn)移,此時的晶閘管關(guān)斷變成了一個pnp晶體管關(guān)斷模式,因而無需設(shè)置龐大、笨重且昂貴的吸收電路。硬關(guān)斷晶閘管的代表性產(chǎn)品包括瑞典ABB公司研制的集成柵換流晶閘管IGCT、美國硅功率公司提出的MOS關(guān)斷晶閘管MTO和由美國AlexHuang提出的發(fā)射極關(guān)斷晶閘管ETO。在硬關(guān)斷晶閘管中,IGCT應(yīng)用較為廣泛。IGCT是集成門極驅(qū)動電路和門極換流晶閘管(GCT)的總稱,其中GCT部分是在GTO基礎(chǔ)上做重大改進(jìn)而形成,是一種較理想的兆瓦(MW)級中高壓半導(dǎo)體開關(guān)器件。我國株洲南車時代公司也量產(chǎn)有4.5kV/4kA的IGCT。
?。ㄋ模┕β始呻娐?/p>
PIC出現(xiàn)于七十年代后期,由于單芯片集成,PIC減少了系統(tǒng)中的元件數(shù)、互連數(shù)和焊點(diǎn)數(shù),不僅提高了系統(tǒng)的可靠性、穩(wěn)定性,而且減少了系統(tǒng)的功耗、體積、重量和成本。但由于當(dāng)時的功率器件主要為雙極型晶體管、GTO等,功率器件所需的驅(qū)動電流大,驅(qū)動和保護(hù)電路復(fù)雜,PIC的研究并未取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。直至八十年代,由MOS柵控制、具有高輸入阻抗、低驅(qū)動功耗、容易保護(hù)等特點(diǎn)的新型MOS類功率器件如功率MOS器件、IGBT等的出現(xiàn),使得驅(qū)動電路簡單且容易與功率器件集成,才迅速帶動了PIC的發(fā)展,但復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)計(jì)和昂貴的工藝成本限制了PIC的應(yīng)用。進(jìn)入九十年代后,PIC的設(shè)計(jì)與工藝水平不斷提高,性能價(jià)格比不斷改進(jìn),PIC逐步進(jìn)入了實(shí)用階段。迄今已有系列PIC產(chǎn)品問世,包括功率MOS智能開關(guān),電源管理電路、半橋或全橋逆變器、兩相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器、三相無刷電機(jī)驅(qū)動器、直流電機(jī)單相斬波器、PWM專用PIC、線性集成穩(wěn)壓器、開關(guān)集成穩(wěn)壓器等。一些著名國際公司在功率集成技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,如德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)、仙童半導(dǎo)體(Fairchild)、國際整流器(IR)、安森美(On-Semi)、PowerIntegration(PI)等世界著名的半導(dǎo)體公司,它們已將功率集成電路產(chǎn)品系列化、標(biāo)準(zhǔn)化。
近幾年隨著移動通信、數(shù)字消費(fèi)電子和計(jì)算機(jī)等產(chǎn)品制造業(yè)的強(qiáng)勁增長,以電壓調(diào)整器為代表的電源管理集成電路得到迅速發(fā)展。有人認(rèn)為功率集成電路重在高低壓兼容的功率集成(PowerIntegration),而電源管理集成電路重在功率管理(PowerManagement),故應(yīng)獨(dú)立于功率集成電路之外。筆者認(rèn)為功率集成電路即是進(jìn)行功率處理的集成電路,電源管理集成電路應(yīng)置于功率集成電路的范圍之內(nèi)。
SOI集成電路具有高速、高集成度、低功耗和抗輻照等優(yōu)點(diǎn),SOI技術(shù)已成為先進(jìn)硅集成技術(shù)的主流技術(shù)之一。由于SOI具有易于隔離的特性,使其在功率半導(dǎo)體技術(shù)中也有著廣泛的應(yīng)用前景。日本東芝已利用SOI技術(shù)研制成功500V/1A的三相DC無刷馬達(dá)驅(qū)動電路并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),SOI高壓集成電路已廣泛用于等離子體顯示平板(PDP)驅(qū)動電路和高性能IGBT大功率模塊的柵驅(qū)動中。
BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技術(shù)是指將Bipolar模擬電路、CMOS邏輯電路和DMOS基高壓功率器件集成在同一塊芯片上的工藝集成技術(shù),BCD已成為功率集成電路的主流工藝技術(shù)。
BCD技術(shù)的眾多特殊要求適應(yīng)了不同的應(yīng)用需要,產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀也證明不存在“通用”的BCD技術(shù)規(guī)范,按照工藝特點(diǎn),BCD技術(shù)可以分為高壓BCD、大功率BCD、高集成度BCD等。高壓BCD主要用于PDP等要求高耐壓(100V以上)但工作電流不大的領(lǐng)域,大功率BCD主要用于自動控制等要求大電流、中等電壓(50V左右)的領(lǐng)域,高集成度BCD則主要用于需要與CMOS非易失性存儲電路工藝兼容的領(lǐng)域。根據(jù)系統(tǒng)應(yīng)用電壓的不同,也可以將基于BCD工藝的功率集成電路分為三類:100V以下,100V-300V及300V以上。100V以下的產(chǎn)品種類最多,應(yīng)用最廣泛,包括DC-DC轉(zhuǎn)換、LCD顯示驅(qū)動、背光LED顯示驅(qū)動、PoE、CAN和LIN等。100V-300V的產(chǎn)品主要是PDP顯示驅(qū)動和電機(jī)驅(qū)動等。300V以上的產(chǎn)品主要是半橋/全橋驅(qū)動、AC/DC電源轉(zhuǎn)換和高壓照明LED驅(qū)動等。
BCD工藝正向高壓、高功率、高密度方向發(fā)展,2003年意法半導(dǎo)體引入了采用0.18/0.15?m的體硅BCD8工藝;2006年日本Renesas公司報(bào)道了0.25?m的SOIBCD工藝;2009年東芝公司推出了60V0.13?m的體硅BCD工藝,可應(yīng)用于高效DC-DC的電源管理和SoC的單片集成;1200V的BCD技術(shù)也已在Fairchild完成。
除硅基和SOI功率集成技術(shù)在不斷發(fā)展外,GaN功率集成在近兩年也受到國際關(guān)注。GaN智能功率技術(shù)將實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)硅功率芯片技術(shù)所不能達(dá)到的工作安全性、工作速度及高溫承受能力。2009年香港科技大學(xué)率先報(bào)道了單片集成功率晶體管和功率整流器的GaNBoost轉(zhuǎn)換器,并在此基礎(chǔ)上開發(fā)出GaN智能功率集成技術(shù)平臺雛形。由于GaN電力電子器件可基于硅襯底進(jìn)行研制,因此異質(zhì)集成有可能成為GaN功率半導(dǎo)體的研究熱點(diǎn)
在國內(nèi),在“02專項(xiàng)”的支持下,HHNEC、華潤上華、上海宏力和杭州士蘭微等單位開展了40V-600V高壓BCD工藝技術(shù)研發(fā),較好地支撐了國內(nèi)功率IC的發(fā)展,但與FLASH等存儲工藝兼容的高密度BCD工藝平臺目前尚屬空白。
四、我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
國際著名市場調(diào)研公司HISISuppliResearch公司2012年9月給出的全球前10大功率半導(dǎo)體供應(yīng)商是TI、ST、Infineon、Mitsubishi、Renesas、Toshiba、Maxim、Fairchild、IR和ONSemi,而據(jù)IMSResearch公司2012年6月給出的報(bào)告,全球前10大功率半導(dǎo)體分立器件和模塊供應(yīng)商是Infineon、Mitsubishi、Toshiba、ST、IR、FujiElectric、Fairchild、Vishay、Renesas和Semikron。這些供應(yīng)商均是大型IDM企業(yè),同時我們注意到,全球前三大功率半導(dǎo)體分立器件和模塊供應(yīng)商均(或曾)屬于整機(jī)企業(yè)。
在國內(nèi),功率半導(dǎo)體器件的作用長期以來沒有引起人們足夠的重視,國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)處于小、散狀態(tài),相較于TI、Infineon已開始在12英寸晶園上生產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,國內(nèi)目前還沒有一家功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)擁有8英寸生產(chǎn)線。國內(nèi)大部分功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)傳統(tǒng)上以硅基二極管、三極管和晶閘管為主,國際功率半導(dǎo)體器件的主流產(chǎn)品功率MOS器件和IGBT只是近年才有所涉及。寬禁帶半導(dǎo)體器件主要以微波功率器件(SiCMESFET和GaNHEMT)為主,針對市場應(yīng)用的寬禁帶電力電子器件產(chǎn)品研發(fā)剛剛起步。目前市場熱點(diǎn)的高壓BCD集成技術(shù)雖然引起了從功率半導(dǎo)體器件IDM廠家到集成電路代工廠的高度關(guān)注,但發(fā)展水平與國際先進(jìn)相比仍有較大差距。雖然“02專項(xiàng)”支持了低壓BCD工藝和600V硅基/SOI基高壓BCD工藝開發(fā),但內(nèi)嵌FLASH的高密度BCD工藝尚屬空白。功率半導(dǎo)體是汽車電子的重要領(lǐng)域,但獲得汽車電子產(chǎn)品認(rèn)證的國內(nèi)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)寥寥無幾,絕大部分車用功率半導(dǎo)體依賴國外進(jìn)口。
但我們必須欣喜地看到,在市場需求的牽引下,在國家政府項(xiàng)目,特別是國家“02”科技重大專項(xiàng)支持引導(dǎo)下,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的局面:國內(nèi)眾多6寸線、8寸線開始涉足功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn);深圳華為、株洲南車、北車永濟(jì)、廣東美的、國家電網(wǎng)等國內(nèi)骨干整機(jī)(系統(tǒng))企業(yè)開始研發(fā)或投資建設(shè)以IGBT為代表的先進(jìn)功率半導(dǎo)體器件;一大批功率半導(dǎo)體領(lǐng)域海外留學(xué)人員回國創(chuàng)業(yè)。
筆者認(rèn)為,功率半導(dǎo)體是最適合中國發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),相對于超大規(guī)模集成電路而言,其資金投入較低、產(chǎn)品周期較長、市場關(guān)聯(lián)度更高、且還沒有形成如英特爾和三星那樣的壟斷企業(yè)(全球規(guī)模化功率半導(dǎo)體企業(yè)超過100家,前10大功率半導(dǎo)體企業(yè)銷售額只占全球份額的50%)。但中國功率半導(dǎo)體的發(fā)展必須改變目前封裝強(qiáng)于芯片、芯片強(qiáng)于設(shè)計(jì)的局面,應(yīng)加強(qiáng)與整機(jī)企業(yè)的聯(lián)動,大力發(fā)展設(shè)計(jì)技術(shù),以市場帶動設(shè)計(jì)、以設(shè)計(jì)促進(jìn)芯片、以芯片壯大產(chǎn)業(yè)。
功率半導(dǎo)體芯片不同于以數(shù)字集成電路為基礎(chǔ)的超大規(guī)模集成電路,功率半導(dǎo)體芯片屬于模擬器件的范疇。功率器件和功率集成電路的設(shè)計(jì)與工藝制造密切相關(guān),因此國際上著名的功率器件和功率集成電路提供商均屬于IDM企業(yè)。國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)(包括代工企業(yè))在提升工藝水平的同時,應(yīng)加強(qiáng)與系統(tǒng)廠商的合作,不斷提高國內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新力度和產(chǎn)品性能,以滿足高端市場的需求,促進(jìn)功率半導(dǎo)體市場的健康發(fā)展。
設(shè)計(jì)弱于芯片的局面起源于設(shè)計(jì)力量的薄弱。企業(yè)應(yīng)加強(qiáng)技術(shù)人才的培養(yǎng)與引進(jìn),積極開展產(chǎn)學(xué)研協(xié)作,以雄厚的技術(shù)實(shí)力支撐企業(yè)的發(fā)展。
我國功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展最終還應(yīng)依靠功率半導(dǎo)體IDM企業(yè),在目前自身生產(chǎn)條件落后于國際先進(jìn)水平的狀況下,IDM企業(yè)不能局限于自身產(chǎn)品線的生產(chǎn)能力,應(yīng)充分依托國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件龐大的市場空間,用技術(shù)去開拓市場,逐漸從替代產(chǎn)品向產(chǎn)品創(chuàng)新、牽引整機(jī)發(fā)展轉(zhuǎn)變;大力發(fā)展設(shè)計(jì)能力,一方面依靠自身工藝線進(jìn)行生產(chǎn),加強(qiáng)技術(shù)改造和具有自身工藝特色的產(chǎn)品創(chuàng)新,另一方面借用先進(jìn)代工線的生產(chǎn)能力,壯大自身產(chǎn)品線,加速企業(yè)發(fā)展;同時擇機(jī)從芯片向器件,從芯片向模塊,從模塊向組件、整機(jī)發(fā)展。
從國際知名功率半導(dǎo)體企業(yè),特別是功率半導(dǎo)體模塊企業(yè)分析,有著系統(tǒng)整機(jī)應(yīng)用的IDM企業(yè)具有得天獨(dú)厚的發(fā)展機(jī)會,因此我們期望更多的系統(tǒng)整機(jī)企業(yè)向株洲南車那樣,面向國際競爭,完善核心技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈,進(jìn)而推動中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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