行動裝置系統(tǒng)耗電量可望顯著下降。處理器、電源管理晶片(PMIC)與感測器業(yè)者正分頭布局行動裝置應(yīng)用處理器和螢?zāi)皇‰姺桨福ㄐ乱淮?a target="_blank">CPU/GPU 協(xié)同運(yùn)算和big.LITTLE大小核設(shè)計(jì)架構(gòu)、面板自動刷新、高整合度PMIC,以及主動調(diào)節(jié)背光源(PRISM)等節(jié)能技術(shù),皆是相關(guān)業(yè)者今年的產(chǎn)品發(fā)展重點(diǎn)。
晶片大廠競相出招 手機(jī)AP/顯示器功耗大減
拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體中心研究員許漢州(圖1)表示,手機(jī)螢?zāi)缓蛻?yīng)用處理器功耗各占約30?60%系統(tǒng)耗電量,因此要延長續(xù)航力勢必從這兩方面著手。在處理器部分,高通(Qualcomm)、叁星(Samsung)、聯(lián)發(fā)科及安謀國際(ARM)正致力革新晶片設(shè)計(jì),除共同推動中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)協(xié)同運(yùn)算的異質(zhì)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)標(biāo)準(zhǔn),減輕CPU負(fù)擔(dān)與耗電外,亦相繼推出高效能CPU核心搭配低功耗核心的big.LITTLE方案,更進(jìn)一步減少處理器漏電流與動態(tài)功耗。
隨著處理器規(guī)格轉(zhuǎn)變,PMIC業(yè)者亦緊鑼密鼓研發(fā)新一代電源管理技術(shù),除因應(yīng)big.LITTLE大小核心切換需求,推升PMIC的電壓、電流動態(tài)調(diào)整速度外,也將發(fā)展大電流輸出方案,以滿足HSA處理器同時(shí)驅(qū)動CPU、GPU等異質(zhì)核心的供電需求。
至于螢?zāi)还?jié)能方面,許漢州指出,輝達(dá)(NVIDIA)已在最新行動處理器平臺中導(dǎo)入第二代PRISM技術(shù);該方案透過多核心GPU加高階影像演算法,將畫面切割成不同區(qū)塊并偵測明暗變化,由處理器動態(tài)調(diào)整LED背光源亮度,進(jìn)而省下40%顯示器功耗。
許漢州透露,一線處理器大廠亦計(jì)畫在下一代產(chǎn)品中,導(dǎo)入eDP 1.3版的PSR功能,讓GPU在螢?zāi)划嬅骒o止時(shí)休眠,直接由顯示面板的時(shí)序控制器(TCON)執(zhí)行資料更新,以節(jié)省面板傳輸介面的耗電量。
除改良硬體設(shè)計(jì)外,要確實(shí)降低系統(tǒng)功耗還須軟體的配合。益華電腦(Cadence)亞太區(qū)技術(shù)協(xié)理張永專(圖2)指出,由于處理器邁向多核心、大小核混搭架構(gòu),因而產(chǎn)生更細(xì)、更復(fù)雜的電源管理區(qū)塊,驅(qū)動處理器、電源晶片和電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)工具商提出新的低功耗電源管理技術(shù),包括動態(tài)電壓頻率調(diào)整 (DVFS)、CCOpt(Clock Concurrent Optimization)和MBCI(Multi-bit Cell Inferencing)等。
張永專分析,處理器中尤以時(shí)脈樹(Clock Tree)的運(yùn)作功耗最高,係邁向節(jié)能的首要關(guān)鍵;對此,益華已開發(fā)一套系統(tǒng)層級功耗管理工具,包括處理器核心配置、電源模擬與驗(yàn)證機(jī)制等,可協(xié)助晶片商精確掌握時(shí)脈樹工作狀況,進(jìn)而改善多核心處理器電路布局,實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計(jì)。
值此同時(shí),處理器導(dǎo)入28奈米以下先進(jìn)製程后,漏電流問題對晶片輕載耗電量影響將更加突顯,因此,張永專透露,益華已與臺積電、安謀國際合作,針對28、20和14奈米晶片漏電流進(jìn)行優(yōu)化,未來益華將在新一代EDA工具中導(dǎo)入漏電流演算法,協(xié)助晶片商解決輕載耗電問題。
平板解析度/性能激增 PMIC拓?fù)浼軜?gòu)大換血
除手機(jī)電源方案加速改朝換代外,平板PMIC亦隨著螢?zāi)唤馕龆?、系統(tǒng)運(yùn)算效能大增,規(guī)格不斷升級;相關(guān)晶片商除致力推升產(chǎn)品整合度外,更開始導(dǎo)入筆電電源拓?fù)?,以及手機(jī)PMIC的封裝技術(shù),期縮減導(dǎo)通損耗與零組件用量,進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率。
安恩科技(iML)應(yīng)用技術(shù)部資深經(jīng)理高進(jìn)發(fā)(圖3)表示,平板PMIC將逐漸引進(jìn)高階電源拓?fù)湓O(shè)計(jì)架構(gòu),包括以往在筆電電源晶片中採用的橋式整流器 (Bridge Regulator)、同步整流方案,以及新一代單電感多重輸出(Single Inductor Multiple Output)技術(shù),進(jìn)而提高裝置電源轉(zhuǎn)換效率。
高進(jìn)發(fā)進(jìn)一步指出,自從new iPad推出以來,平板已全面邁向全高畫質(zhì)(FHD)以上的螢?zāi)唤馕龆仍O(shè)計(jì),由于背光模組、面板驅(qū)動的復(fù)雜度大增,因此儘管其PMIC導(dǎo)入高階拓?fù)鋵⒃黾映杀?,相關(guān)晶片商仍義無反顧投入研發(fā),并逐步將PMIC介面改為I2C可編程設(shè)計(jì),以優(yōu)化面板調(diào)光、開關(guān)等參數(shù)的調(diào)整機(jī)制。
據(jù)悉,同步整流拓?fù)湓诠P電電源晶片中已行之有年,平板PMIC改搭此一架構(gòu)后,將可改善約3?5%的轉(zhuǎn)換效率。另外,PMIC導(dǎo)入橋式整流器結(jié)構(gòu)亦有助精簡面板供電步驟,可直接由電池輸入端取得電力,進(jìn)而縮減電力轉(zhuǎn)換耗損。
高進(jìn)發(fā)更透露,愈來愈多電源晶片商在中小尺寸面板電源管理方案中,採用PMIC整合位準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器(Level Shifter)的設(shè)計(jì),主要係友達(dá)、群創(chuàng)等面板廠跟進(jìn)韓系廠商策略,將閘極驅(qū)動器(Gate Driver)電路直接內(nèi)嵌在面板中,開發(fā)GIP(Gate in Panel)方案提高組裝靈活性,使過去大多與閘極驅(qū)動器整合的位準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器獨(dú)立出來,PMIC廠為進(jìn)一步改善系統(tǒng)功耗與體積,遂開始整合其他分離的電源切換元件。
不僅如此,在手機(jī)平板化的設(shè)計(jì)趨勢帶動下,品牌廠對通用型PMIC的需求也更加殷切,已吸引晶片商大舉投入研發(fā)高整合度、小尺寸PMIC,并發(fā)展新興電源管理系統(tǒng)布局方式,以同時(shí)改善電源效率、占位空間和散熱機(jī)制,協(xié)助行動裝置製造商快速開發(fā)手機(jī)、平板和平板手機(jī)(Phablet)等多樣尺寸產(chǎn)品。
手機(jī)/平板漸融合 通用型PMIC加速發(fā)展
奧地利微電子(Austria Microelectronics)市場經(jīng)理Don Travers(圖4)表示,以往手機(jī)、平板PMIC規(guī)格有所差異,隨著產(chǎn)品尺寸日益多元,上市時(shí)程壓力劇增,品牌和處理器業(yè)者均希望盡量縮減設(shè)計(jì)改變幅度和成本,并達(dá)到新產(chǎn)品快速上市的目標(biāo),已刺激手機(jī)、平板通用型PMIC方案崛起。
此外,行動裝置處理器與PMIC之間溝通緊密,傳統(tǒng)設(shè)計(jì)上大多將兩顆晶片的距離拉近,以減輕資料傳輸負(fù)擔(dān)與功耗,卻也引發(fā)熱源集中的問題,反而影響系統(tǒng)效率。為改進(jìn)散熱問題,PMIC業(yè)者競相提出新的系統(tǒng)布局模式,并針對大尺寸手機(jī)更加復(fù)雜的多核心處理器、背光模組功率管理需求,取法平板電源控制的優(yōu)點(diǎn),以兼顧手機(jī)效能與續(xù)航力。
Travers強(qiáng)調(diào),因應(yīng)市場需求,奧地利微電子即跳脫一般PMIC商專攻手機(jī)或平板的單線發(fā)展模式,除積極擴(kuò)張手機(jī)、平板通用型PMIC陣容外,近期更發(fā)布一項(xiàng)PMIC遠(yuǎn)端回饋線路專利,大幅簡化行動裝置系統(tǒng)設(shè)計(jì)與散熱問題。
據(jù)悉,該方案目標(biāo)係簡化電源管理系統(tǒng)布線,并拉開處理器與PMIC的距離以分散熱源,透過在處理器端外掛一顆功率級(Power Stage)模組,再以遠(yuǎn)端回饋線路串連高整合度PMIC,可因應(yīng)處理器動態(tài)電源負(fù)載變化做出迅速反應(yīng),同時(shí)提供較高的轉(zhuǎn)換效率及更靈活的印刷電路板 (PCB)布局。
隨著PMIC整合更多控制元件與電路,并引進(jìn)數(shù)位設(shè)計(jì)拓?fù)涮嵘?,晶圓代工廠和電源晶片商也研擬導(dǎo)入先進(jìn)製程,開發(fā)新一代異質(zhì)功能整合PMIC,滿足復(fù)雜的系統(tǒng)電源管理需求。
邁向異質(zhì)功能整合 PMIC加速制程演進(jìn)腳步
聯(lián)電市場行銷處技術(shù)經(jīng)理?xiàng)畹翘模▓D5)表示,高通、戴樂格(Dialog)正積極布局整合MCU及DSP核心的下世代PMIC,藉以提升晶片整合度,讓行動裝置業(yè)者有更多設(shè)計(jì)空間塞進(jìn)新應(yīng)用功能,并提高電源管理效率。隨著類比/數(shù)位異質(zhì)晶片融合需求浮現(xiàn),PMIC晶片商將改變以往類比IC不追求先進(jìn)製程的概念,加速從現(xiàn)階段主流的0.18微米製程,跨入0.13/0.11微米,甚至在1?2年內(nèi)朝90、65/55奈米邁進(jìn)。
不同于數(shù)位晶片、隨機(jī)存取記憶體(RAM)均須倚賴奈米先進(jìn)制程,才能提高邏輯密度及運(yùn)算效能,同時(shí)減輕功耗、尺寸及生產(chǎn)成本;PMIC等各種類比晶片對電晶體密度的要求則較低,反而著重在晶圓后段導(dǎo)線製作或深溝層隔離(Deep Trench Isolation, DTI)等技術(shù),以改善導(dǎo)通電阻(RDS(ON))及各種操作特性,因此主流製程仍停留在0.18微米以上,晶圓尺寸也還在用六吋、八吋方案,每2年晶片體積微縮比率僅有10~25%。
然而,楊登棠分析,目前行動裝置PMIC內(nèi)部至少都有二十到五十個功能區(qū)塊,且接腳數(shù)超過兩百個;加上晶片商正致力研發(fā)類比/數(shù)位異質(zhì)晶片整合型 PMIC,而新增的MCU、DSP、雜訊消除IC等數(shù)位核心一定要以先進(jìn)製程來做才能發(fā)揮經(jīng)濟(jì)效益,在PMIC整合度不斷翻升之下,朝奈米製程演進(jìn)的需求已開始涌現(xiàn)。同時(shí),相關(guān)大廠考量先進(jìn)製程成本較高,更研擬在2?3年內(nèi)全面改搭12吋晶圓生產(chǎn),將晶片產(chǎn)出數(shù)量提升兩倍以上,進(jìn)而縮減10%左右的量產(chǎn)成本。
因應(yīng)新世代PMIC製作需求,楊登棠透露,聯(lián)電將部署0.11微米、65/55奈米BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)等多元製程。其中,0.11微米方案已開始試產(chǎn),今年底將正式上線,該公司旗下七個八吋晶圓廠將有五個支援此製程節(jié)點(diǎn),至于65/55奈米BCD方案則是未來主攻重點(diǎn),將持續(xù)加碼投資。此外,聯(lián)電近期還與一家晶片廠攜手合作90奈米客製化PMIC製程,并已進(jìn)入測試階段。
事實(shí)上,行動裝置品牌廠不僅希望節(jié)省晶片耗電,也須要開闢更多電力來源,以滿足用戶行動運(yùn)算的需求,因而帶動晶片商投入發(fā)展微型、高效率交流對直流(AC-DC)充電方案。
確保充電快又準(zhǔn) 充電器/測試方案翻新
恩智浦(NXP)電源方案資深產(chǎn)品行銷經(jīng)理張錫亮(圖6)強(qiáng)調(diào),EuP Lot 6節(jié)能規(guī)範(fàn)施行后,行動裝置業(yè)者已面臨更嚴(yán)格的產(chǎn)品功耗要求,包括在待機(jī)模式下不得超過1瓦(W);而關(guān)機(jī)模式則須低于0.5瓦耗電量等規(guī)範(fàn),因而須導(dǎo)入更新一代的電源轉(zhuǎn)換器晶片方案,提高電源轉(zhuǎn)換效率。
張錫亮分析,要降低待機(jī)功耗的首要關(guān)鍵就是減少系統(tǒng)零組件用量,因此電源晶片商正競相發(fā)展一次側(cè)回授(PSR)、同步整流AC-DC拓?fù)湓O(shè)計(jì)方案,將充電器的零組件控制在叁十顆以下,并滿足各種國際節(jié)能規(guī)範(fàn)的電源效率要求。
尤其近來手機(jī)和平板充電器共用的設(shè)計(jì)趨勢成形,更將驅(qū)動AC-DC電源設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變。張錫亮指出,由于手機(jī)充電功率為5瓦,而平板多在11瓦左右,因此新一代充電器須偵測裝置所需電壓,以辨別并切換手機(jī)或平板充電模式。目前恩智浦已開發(fā)一套小型化AC-DC解決方案,可透過在二次側(cè)偵測負(fù)載變化,動態(tài)調(diào)整一次側(cè)的開關(guān)模式電源(SMPS)控制器,同步支援平板、手機(jī)充電。
隨著行動裝置充電技術(shù)革新,新興系統(tǒng)與電池電流量測方案的需求也開始涌現(xiàn)。安捷倫應(yīng)用工程部資深專案經(jīng)理祁子年(圖7)表示,手機(jī)廠在開發(fā)軟硬體時(shí)須執(zhí)行一系列標(biāo)竿測試,包括評估整體裝置與電路的電池消耗,以及驗(yàn)證應(yīng)用程式對系統(tǒng)電力供應(yīng)的影響等。
祁子年指出,行動裝置大多皆導(dǎo)入省電模式,以短叢發(fā)的發(fā)訊方式運(yùn)作節(jié)省電力,由于裝置在此模式下耗電流非常低,傳統(tǒng)量測方案的動態(tài)範(fàn)圍無法準(zhǔn)確測量出系統(tǒng)功耗變化,因此業(yè)界正興起互補(bǔ)累計(jì)分布函數(shù)(CCDF)量測方案,并搭配脈衝式電流抽取技術(shù),同時(shí)擴(kuò)充儀器的動態(tài)電流範(fàn)圍,從而分析并最佳化行動裝置省電模式的運(yùn)作模式。
增加手機(jī)電力來源 電池廠競逐新材料技術(shù)
儘管系統(tǒng)節(jié)能設(shè)計(jì)功夫已有長足進(jìn)步,但手機(jī)廠最終的期待仍是擴(kuò)充電池容量,工研院IEK產(chǎn)業(yè)分析師呂學(xué)?。▓D8)表示,手機(jī)電池效能每年提升比重僅約 5~8%,遠(yuǎn)不及新產(chǎn)品功能演進(jìn)速度,因此,電池業(yè)者已規(guī)畫從電池正負(fù)極材料、驅(qū)動電壓和極板設(shè)計(jì)叁方面著手,期能兼顧電池體積、容量和成本。
呂學(xué)隆透露,叁星SDI近期已在電池表面鍍上新材料,開發(fā)出4.4伏特(V)高壓驅(qū)動的鋰電池方案,藉以改善電流耗損過多的問題,并妥善利用每一分電力;同時(shí),該公司也利用涂布製程及特殊復(fù)合材料,提高電池極板的能量密度。至于樂金化學(xué)(LG Chemical)和日本戶田工業(yè)等日韓電池材料大廠,則投入開發(fā)下世代正負(fù)極材料,將以鋰叁元系、氧化硅等方案增加蓄電量。
顯而易見,隨著行動裝置功能規(guī)格迅速攀升,晶片商、電池和量測業(yè)者均不遺余力發(fā)展「開源節(jié)流」的解決方案。其中,由于PMIC掌管系統(tǒng)供電,對新一代行動裝置的發(fā)展尤其重要,產(chǎn)值可望從2012年的15億美元,飆升至2016年的24億美元,為相關(guān)業(yè)者帶來更多商機(jī)。
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