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電子發(fā)燒友網(wǎng)>市場(chǎng)分析>欲挑戰(zhàn)韓國(guó),爾必達(dá)DRAM輸給了日元升值?

欲挑戰(zhàn)韓國(guó),爾必達(dá)DRAM輸給了日元升值?

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個(gè)月負(fù)增長(zhǎng)。芯片出口乏力嚴(yán)重拖累韓國(guó)整體出口。 ? 芯片是韓國(guó)最重要的出口商品之一,在其出口額中所占比重達(dá)到20%,其中在所有出口的芯片中,又以存儲(chǔ)芯片為主。韓國(guó)是全球最主要的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)地,特別是DRAM,三星及SK海力士?jī)杉夜揪驼嫉饺蚴袌?chǎng)份額的
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全球DRAM產(chǎn)業(yè)量?jī)r(jià)雙升,三大原廠(chǎng)獲益

三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者,在本季度DRAM營(yíng)收達(dá)到79.5億美元,環(huán)比增長(zhǎng)近50%,主要受益于1αnm DDR5的出貨提速,服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60%。
2024-03-05 15:40:57162

小馬智行與韓國(guó)公司GemVaxLink合資推進(jìn)韓國(guó)自動(dòng)駕駛布局

近日,小馬智行與韓國(guó)科技公司GemVaxLink在韓國(guó)首爾舉辦簽約儀式,宣布成立合資公司,通過(guò)深度整合雙方資源及技術(shù)優(yōu)勢(shì),面向韓國(guó)市場(chǎng)打造領(lǐng)先的自動(dòng)駕駛出行技術(shù)與服務(wù)。
2024-03-04 15:50:47728

日本政府?dāng)M補(bǔ)貼臺(tái)積電熊本第二工廠(chǎng)7300億日元

日本政府計(jì)劃向臺(tái)積電在熊本縣的第二家工廠(chǎng)提供約7300億日元的補(bǔ)貼,以支持其在日本的半導(dǎo)體生產(chǎn)擴(kuò)張計(jì)劃。據(jù)先前報(bào)道,臺(tái)積電有意向該工廠(chǎng)投資高達(dá)2萬(wàn)億日元,以增強(qiáng)其在亞洲,特別是日本的芯片制造能力。
2024-02-25 11:37:35390

日本擬補(bǔ)貼臺(tái)積電7300億日元 熊本縣第二工廠(chǎng)提上日程

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泛林集團(tuán)韓國(guó)公司業(yè)務(wù)總裁變更,面臨日電競(jìng)爭(zhēng)與與P的合作挑戰(zhàn)

韓國(guó)分公司新掌門(mén)人Park Joon-hong此前能在泛林集團(tuán)擔(dān)任多個(gè)關(guān)鍵職位,如蝕刻首席技術(shù)官及客戶(hù)關(guān)系主管。他有能力領(lǐng)導(dǎo)泛林集團(tuán)在韓的所有部門(mén),包括韓國(guó)制造公司和技術(shù)公司,后者擁有泛林集團(tuán)在韓乃至全球范圍內(nèi)的研究活動(dòng)。
2024-02-20 14:42:11313

DRAM存儲(chǔ)器為什么要刷新

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2024-02-19 10:56:36264

Stage X成為韓國(guó)新一家移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商

Stage X是一家由Stage Five主導(dǎo)的企業(yè)聯(lián)合體,最近在韓國(guó)的第五代移動(dòng)通信(5G)28GHz頻段競(jìng)拍中以4301億韓元的價(jià)格成功中標(biāo),成為韓國(guó)最新的移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商。韓國(guó)目前已有三家主要的移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商:SK電訊、韓國(guó)電信(KT)和LG U+。
2024-02-02 10:22:50289

新唐日本子公司計(jì)劃投入65億日元采購(gòu)設(shè)備

微控制器(MCU)廠(chǎng)商新唐科技,近日宣布其日本子公司新唐(NTCJ)將投入65億日元(約合人民幣3.15億元)的資本支出預(yù)算案。這筆資金將主要用于購(gòu)買(mǎi)生產(chǎn)設(shè)備和研發(fā)設(shè)備,以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求和推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。
2024-01-30 11:01:23415

2024年DRAM投片量:一季度微增,下半年劇增

DRAM稼動(dòng)率緩步改善,業(yè)界認(rèn)為,整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升,較2023年第4季小幅提升約5%左右,下半年投片量回升速度將明顯加快。
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開(kāi)關(guān)電源中用哪種AD芯片將電壓和電流傳輸給單片機(jī)比較好啊?

開(kāi)關(guān)電源中用哪種AD芯片將電壓和電流傳輸給單片機(jī)比較好???一直找不到啊
2024-01-09 07:54:23

DRAM漲價(jià)啟動(dòng)!Q1漲幅高達(dá)20%

有存儲(chǔ)模組廠(chǎng)收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià),但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價(jià)格上漲2%-3%,大幅提升DRAM價(jià)格,但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466

DRAM合約價(jià)一季度漲幅預(yù)計(jì)13~18%,移動(dòng)設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場(chǎng)

據(jù)DRAM產(chǎn)品分類(lèi)顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿(mǎn)足,買(mǎi)方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對(duì)于DDR4采購(gòu)量增幅不定。預(yù)計(jì)PC DRAM季度合約價(jià)變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195

利安隆擬向宜興創(chuàng)聚增資2億,收購(gòu)韓國(guó)IPI100%股權(quán)

據(jù)悉,宜興創(chuàng)聚已與韓國(guó)IPI除韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行外所有股東達(dá)成轉(zhuǎn)讓協(xié)議,以約308.65億韓元的代價(jià)收購(gòu)了該公司總計(jì)91.74%的股權(quán)。此外,雙方還簽訂了借款合同,宜興創(chuàng)聚將向韓國(guó)IPI提供不超過(guò)2000萬(wàn)元人民幣的股東貸款,用于回購(gòu)注銷(xiāo)韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行持有IPI 8.26%的優(yōu)先股。
2024-01-08 11:29:08270

傳三星/SK海力士已開(kāi)始訂購(gòu)DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開(kāi)始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu);此外,三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22387

三星與美光擬提DRAM價(jià)格,以求盈利回暖

部分存儲(chǔ)模組廠(chǎng)已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià),故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:21550

日本擴(kuò)大投資補(bǔ)貼,挑戰(zhàn)韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)主導(dǎo)地位

韓國(guó)新聞網(wǎng)站《東亞日?qǐng)?bào)》對(duì)此發(fā)表評(píng)論指出,面臨強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境,東京政府毅然推出了高達(dá)50%的半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃,這對(duì)于吸引當(dāng)?shù)丶皣?guó)際上的商業(yè)巨頭發(fā)揮著重要作用。預(yù)計(jì)本次大規(guī)模的補(bǔ)貼行為將使DRAM等多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在未來(lái)十年超越韓國(guó)。
2023-12-29 15:00:05334

富士電機(jī)將投2000億日元提高功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

據(jù)日經(jīng)新聞消息,日本富士電機(jī)(Fuji Electric)將在2024~2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元(折合人民幣約100億元)規(guī)模。
2023-12-29 10:22:26298

韓國(guó)ICT和汽車(chē)出口增長(zhǎng),有望在12月首次突破700億美元?

日前據(jù)韓國(guó)工業(yè)貿(mào)易能源部(MOTIE)數(shù)據(jù)顯示,11月份ICT出口上漲7.6%,僅次于8GB DRAM固定交易價(jià)格反彈(同比增長(zhǎng)36.4%)。其中,對(duì)中國(guó)(15.5%)、美國(guó)(12.5%)以及歐盟(5.4%)科技出口增長(zhǎng)顯著
2023-12-15 14:27:27151

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】+改進(jìn)計(jì)劃

大家好,很榮幸得到阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵 的測(cè)試使用名額,感謝阿達(dá)科技提供的樣品,以及發(fā)燒友論壇。 前端時(shí)間,我正好出差,這次就帶著這支阿達(dá)H-30T,實(shí)際使用了一番,特別好用,焊?jìng)€(gè)航插
2023-12-14 21:03:28

韓國(guó)荷蘭商定構(gòu)建“半導(dǎo)體同盟”

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,為進(jìn)一步深化戰(zhàn)略伙伴關(guān)系;荷蘭和韓國(guó)正商定構(gòu)建“半導(dǎo)體同盟”。該事件引發(fā)了眾多媒體的關(guān)注。 據(jù)悉。荷蘭和韓國(guó)的商務(wù)部門(mén)將設(shè)立雙方得對(duì)話(huà)機(jī)制,協(xié)調(diào)芯片政策,并建立基于關(guān)鍵品目供應(yīng)鏈合作
2023-12-14 19:11:11849

dram和nand的區(qū)別

dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003897

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開(kāi)始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢(xún)問(wèn)三星今后將開(kāi)發(fā)的技術(shù)時(shí),管理人員公開(kāi)了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】主要性能指標(biāo)實(shí)測(cè)結(jié)果分享

本帖最后由 jf_37047872 于 2023-12-2 12:56 編輯 上一篇針對(duì)阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵的外觀(guān)進(jìn)行了解讀,如果希望查看的可以點(diǎn)擊以下鏈接: 【阿達(dá)H-30T恒溫
2023-11-30 23:05:32

韓國(guó)歡迎放寬向中國(guó)出口芯片工具的新規(guī)定

中國(guó)是韓國(guó)最大的貿(mào)易伙伴,也是韓國(guó)許多出口產(chǎn)品的主要目的地,其中包括半導(dǎo)體等高科技產(chǎn)品。很多韓國(guó)企業(yè)在勞動(dòng)力比韓國(guó)低廉的中國(guó)設(shè)有工廠(chǎng)。
2023-11-29 11:25:32383

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】開(kāi)箱與靜態(tài)參數(shù)試用體驗(yàn)

本帖最后由 jf_37047872 于 2023-11-29 08:44 編輯 首先,感謝官方提供阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用機(jī)會(huì)。經(jīng)過(guò)一個(gè)月左右的試用,我將分別從靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)兩個(gè)部分
2023-11-28 08:32:10

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】+實(shí)際焊接與體驗(yàn)

又到了周末了,有時(shí)間來(lái)折騰試用的烙鐵。每天上班都會(huì)接觸到烙鐵,這可是我的老朋友,今天我要真實(shí)體驗(yàn)一把阿達(dá)烙鐵的焊接和融錫過(guò)程。話(huà)說(shuō)我在淘寶上找到了烙鐵的鏈接,新品也這么快上市,點(diǎn)贊一下
2023-11-25 19:38:04

DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程

DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代(不到20nm世代)已經(jīng)過(guò)去五年了。過(guò)去五年,DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此,本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:15536

萊法透氣度測(cè)試儀

PAPT-B01葛萊法透氣度測(cè)試儀PAPT-B01透氣度測(cè)定儀是用本特生法(葛萊法、肖伯爾法可選)測(cè)試高分子材料、薄膜、紙張等空氣透過(guò)量測(cè)定??蓪?shí)現(xiàn)以下三種透氣測(cè)定方法:本特生法:恒定壓差
2023-11-23 11:54:49

淺析DRAM測(cè)試和檢查設(shè)計(jì)方案

 DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程,包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。
2023-11-22 16:52:11906

DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜?

芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也有成熟的工藝,而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】實(shí)際使用

稍微有些閑暇,繼續(xù)試用阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵。 不小心又陽(yáng),感覺(jué)手腦已不大協(xié)調(diào)??戳丝词诌呴e置多年的焊錫絲,回想起上次實(shí)際動(dòng)手焊接還是在上次,感覺(jué)弄不好要翻車(chē)。為了降低難度,正好手頭也有,還是
2023-11-22 14:13:10

#英偉達(dá) #顯卡 英偉達(dá)全新旗艦顯卡RTX 5090性能暴漲70%

顯卡英偉達(dá)
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-11-20 14:19:25

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】+開(kāi)箱+使用感受1

首先感謝阿達(dá)&發(fā)燒友給我試用機(jī)會(huì),感謝!感謝!感謝!重要的事情說(shuō)三遍! 1.開(kāi)箱圖 ◆電源輸入:交流90~230;三相插頭保證插座的穩(wěn)定性,可靠性;控制器到插頭的長(zhǎng)度有點(diǎn)短
2023-11-15 15:45:29

芯片設(shè)計(jì)中DRAM類(lèi)型如何選擇

DRAM有多種類(lèi)型可供選擇。有些速度非???,如HBM,但也很昂貴。其他類(lèi)型速度較慢,但價(jià)格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,變化的是,在異構(gòu)架構(gòu)中,兩者都可以發(fā)揮重要作用,以及多種其他DRAM類(lèi)型和更狹義的存儲(chǔ)器,如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)

作為一名DIY愛(ài)好者,我非常喜歡嘗試各種新產(chǎn)品。最近,我有幸試用了阿達(dá)H-30T高溫休眠版恒溫電烙鐵,并分享一下我的使用體驗(yàn)。 首先,我要贊揚(yáng)阿達(dá)的設(shè)計(jì),這款電烙鐵非常精致,手感非常舒適。它
2023-11-15 08:53:28

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】一支很用心的烙鐵,阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵

首先感謝 阿達(dá) & 發(fā)燒友 給與的測(cè)試機(jī)會(huì)! 一、開(kāi)箱 拿到STO快遞后,一個(gè)簡(jiǎn)單的長(zhǎng)方體盒子,里面就是阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵。 白色的標(biāo)簽上H-30T很顯眼,標(biāo)簽上的核心參數(shù)
2023-11-13 23:00:57

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】簡(jiǎn)單開(kāi)箱

感謝電子發(fā)燒友論壇提供試用機(jī)會(huì),首先簡(jiǎn)單開(kāi)箱一下阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵。 常規(guī)紙盒包裝,極簡(jiǎn)風(fēng),無(wú)額外印刷,貼有產(chǎn)品貼紙,提供主要參數(shù),一目了然。 開(kāi)盒,內(nèi)有電烙跌和保修卡。 保修卡上有樣品標(biāo)記
2023-11-13 13:25:05

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】+使用體驗(yàn)

和看法吧。 1、我很認(rèn)可阿達(dá)的全球110v-230V電源通用的技術(shù)指標(biāo)。這樣,產(chǎn)品的實(shí)用范圍很廣。出門(mén)在外,我最需要的是產(chǎn)品的穩(wěn)定性與適用范圍廣。 2、關(guān)于熔錫時(shí)間,我都用上的這種焊筆,我還在乎這幾
2023-11-12 18:57:43

【阿達(dá)H-30T恒溫電烙鐵試用體驗(yàn)】+初識(shí)與開(kāi)箱

的阿達(dá)H-30T就非常強(qiáng)大,功能不但很多還非常人性化,可以說(shuō)充分考慮用戶(hù)的感受。這次能夠申請(qǐng)成功,我首先要感謝平臺(tái)提供的機(jī)會(huì),也要感謝廠(chǎng)家的信任。 打開(kāi)包裝,烙鐵用一個(gè)長(zhǎng)方形的盒子裝著,顯得精致而
2023-11-11 14:26:25

日本官員:將宣布為臺(tái)積電第二工廠(chǎng)補(bǔ)貼9000億日元

甘利明在此次內(nèi)閣修訂案中表示,日本半導(dǎo)體補(bǔ)貼、日本企業(yè)補(bǔ)貼和臺(tái)灣半導(dǎo)體芯片二期擴(kuò)建工程將分別確保1.9萬(wàn)億日元、5900億日元和9000億日元,今后將用于幫助索尼生產(chǎn)和銷(xiāo)售cmos影像傳感器。
2023-11-10 10:27:03450

三星與SK海力士DRAM繼續(xù)漲價(jià)

筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲(chǔ)器模組合約價(jià),10 月也較9 月上漲11.5%,到每單位33 美元。智能手機(jī)DRAM合約價(jià)也開(kāi)始漲價(jià)。TrendForce 預(yù)計(jì)第四季行動(dòng)DRAM
2023-11-03 17:23:09958

DRAM的技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)

在2023年2月在國(guó)際學(xué)會(huì)ISSCC上,三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲(chǔ)容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下圖左)和硅芯片(下圖右)。
2023-10-29 09:46:58783

#高通 #英特 #Elite 高通X Elite芯片或終結(jié)蘋(píng)果、英特的芯片王朝

高通英特蘋(píng)果
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-27 16:46:07

DRAM先進(jìn)制程進(jìn)展如何?

美光1β DDR5 DRAM支持計(jì)算能力向更高的性能擴(kuò)展,能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶(hù)端平臺(tái)上的人工智能(AI)訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)(IMDB)等應(yīng)用。
2023-10-26 14:19:24136

SK海力士全球最高速LPDDR5T移動(dòng)DRAM與高通完成性能驗(yàn)證

完成與高通最新移動(dòng)處理器的兼容性驗(yàn)證,正式開(kāi)始向客戶(hù)提供產(chǎn)品 "將通過(guò)加強(qiáng)與高通的合作,實(shí)現(xiàn)智能手機(jī)發(fā)展為AI時(shí)代的核心應(yīng)用。" 韓國(guó)首爾2023年10月25日?/美通社/ -- SK海力士25
2023-10-25 18:17:54711

單芯片超過(guò) 100Gb,三星表示將挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會(huì)議上表示:“從2023年5月開(kāi)始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram,目前正在開(kāi)發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度。”另外,三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架,并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485

#消費(fèi)級(jí)顯示被禁止出口 英偉達(dá)RTX 4090顯卡遭遇下架風(fēng)波

英偉達(dá)
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-19 15:58:35

AISpeech 思馳 思馳語(yǔ)音算法與芯片的完美結(jié)合 人機(jī)交互

TH1520芯片解決方案AISpeech 思馳  深圳羲頓科技有限公司 TH1520是深聰智能(思馳旗下的芯片設(shè)計(jì)企業(yè))根據(jù)語(yǔ)音交互市場(chǎng)及算法的需求及發(fā)展方向,自主定義開(kāi)發(fā)
2023-10-18 14:43:57

韓國(guó)NAND閃存芯片出口額恢復(fù)增長(zhǎng)

據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部16日公布的資料顯示,韓國(guó)9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%,但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3354萬(wàn)dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個(gè)月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244

季漲約3~8%,DRAM合約價(jià)大幅回升!

據(jù)TrendForce的研究顯示,第4季DRAM與NAND Flash均價(jià)將開(kāi)始全面上漲。特別是DRAM,預(yù)計(jì)第4季的合約價(jià)將季漲幅約在3%到8%之間。然而,這波上漲是否能持續(xù),取決于供應(yīng)商是否堅(jiān)守減產(chǎn)策略以及實(shí)際需求的回升程度,尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:18376

臺(tái)積電日本二廠(chǎng)將獲9000億日元高額補(bǔ)助

據(jù)多位政府相關(guān)人士透露,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省計(jì)劃將半導(dǎo)體相關(guān)追加更正預(yù)算調(diào)整為3.4萬(wàn)億日元,要求增加為支援半導(dǎo)體生產(chǎn)、研究開(kāi)發(fā)(r&d)而設(shè)立的3個(gè)基金的規(guī)模。這是去年修改預(yù)算(1.3萬(wàn)億日元)的2.6倍。
2023-10-12 11:03:54258

同時(shí)取代閃存和DRAM,ULTRARAM真有這個(gè)潛力嗎?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在近期的閃存峰會(huì)上,一家由英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM,一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001310

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠(chǎng)投資

 平澤p3 晶圓廠(chǎng)是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃將p3工廠(chǎng)的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762

MRAM會(huì)取代DDR嗎?簡(jiǎn)單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別

在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221688

DRAM的工作原理 DRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)過(guò)程說(shuō)明

內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開(kāi)的話(huà)題,稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM,并且DRAM是除CPU之外,最為復(fù)雜也最貴的核心部件了,其設(shè)計(jì),仿真,調(diào)試,焊接,等等都非常復(fù)雜,且重要。對(duì)DRAM
2023-09-25 11:38:421901

DRAM芯片價(jià)格有望隨NAND溫和上漲

據(jù)消息人士透露,nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開(kāi)始逐漸反彈,到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示:“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50503

三星計(jì)劃提高DRAM和NAND芯片價(jià)格

日前有消息稱(chēng),存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來(lái)一輪明顯的復(fù)蘇,特別是移動(dòng)DRAM芯片銷(xiāo)售行業(yè)。
2023-09-14 10:42:471045

DRAM的變數(shù)

2022年第四季度DRAM行業(yè)營(yíng)收環(huán)比下降超過(guò)三成,跌幅超過(guò)2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內(nèi)存價(jià)格環(huán)比下降23-28%,DDR5內(nèi)存價(jià)格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758

堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)分析

在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:25592

三星開(kāi)發(fā)新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,速度延遲降低50%

有傳聞稱(chēng),三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu,但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉,hbm可以將多個(gè)dram垂直連接起來(lái),提高數(shù)據(jù)處理速度,因此,現(xiàn)金dram僅用一個(gè)芯片就可以?xún)?chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32399

堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝介紹

在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖,虛線(xiàn)表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:371168

內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程

內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285

派視代碼

請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有會(huì)寫(xiě)派視PC1058k的代碼的,有的請(qǐng)聯(lián)系我,尋求合作,謝謝?。?!
2023-08-30 17:25:16

日本將向頂尖AI人才每人每年發(fā)放2000萬(wàn)日元補(bǔ)貼

日本政府計(jì)劃,作為新制度的費(fèi)用,在2024年度預(yù)算案的估算要求中包括25億日元。每年支付2000萬(wàn)日元的對(duì)象是獲得博士學(xué)位未滿(mǎn)10年的50名年輕人。目標(biāo)是在大學(xué)或民間企業(yè)等繼續(xù)進(jìn)行最尖端研究或以后在這些機(jī)關(guān)就業(yè)的年輕研究人力。
2023-08-30 09:29:09407

DRAM內(nèi)存分為哪幾種 dram存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)原理是什么

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021022

2023上半年日本企業(yè)并購(gòu)額同比猛增約80%,達(dá)6.8萬(wàn)億日元

據(jù)refinitiv數(shù)據(jù)顯示,從今年1月到6月,日本企業(yè)相關(guān)的m&a活動(dòng)總額約為10.8億日元,約增加了20%。其中,日本企業(yè)間的m&a交易占63%,是2009年(75%)以后的最高值。
2023-08-15 10:33:28902

3D DRAM時(shí)代即將到來(lái),泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。 技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代,芯片整體
2023-08-08 14:24:12744

傳感器企業(yè)羅姆將出資 3000 億日元聯(lián)合收購(gòu)東芝

7 月 19 日消息,今年 2 月,日經(jīng)新聞表示東芝接受 JIP(Japan Industrial Partners)牽頭財(cái)團(tuán)的收購(gòu)要約,交易的規(guī)模約為 2 萬(wàn)億日元(當(dāng)前約 1036 億元
2023-08-03 18:35:10342

DRAM價(jià)格觸底反彈,專(zhuān)家曝真實(shí)原因

挑戰(zhàn)。 然而,近期出現(xiàn)了一些積極跡象。主要DRAM制造商,例如三星、SK海力士和美光相繼宣布減產(chǎn),有針對(duì)性地緩解了供應(yīng)過(guò)剩的問(wèn)題。這一舉措使得DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)了觸底反彈的跡象,報(bào)價(jià)連續(xù)兩個(gè)月保持持平,這在過(guò)去一年多以來(lái)尚屬首次。 根據(jù)《
2023-08-03 15:18:57841

3D DRAM架構(gòu)的未來(lái)趨勢(shì)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649

韓國(guó)服務(wù)器有哪些優(yōu)勢(shì),為什么這么熱門(mén)?

韓國(guó)服務(wù)器是一種高性能、高速和穩(wěn)定的服務(wù)器,適用于游戲、視頻流和流媒體服務(wù)等應(yīng)用。但需要注意的是,使用韓國(guó)服務(wù)器需要遵守當(dāng)?shù)氐姆煞ㄒ?guī),并注意版權(quán)問(wèn)題。 除了香港美國(guó)以外,韓國(guó)服務(wù)器在海外
2023-08-03 09:12:27269

6月份DRAM價(jià)格停止大幅下跌

引言:DRAM價(jià)格已連續(xù)兩個(gè)月未出現(xiàn)大幅下跌。
2023-08-02 10:33:42682

韓國(guó):芯片7月出口額同比下滑34%

韓國(guó):芯片7月出口額同比下滑34% 經(jīng)濟(jì)下行、政治動(dòng)蕩、全球電子消費(fèi)市場(chǎng)下滑等原因?qū)е滦酒枨罅看蠓陆担簧傩酒倘兆佣疾缓眠^(guò),甚至已經(jīng)開(kāi)啟大幅裁員、無(wú)故開(kāi)除、斷臂求生。根據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部8月1日公布
2023-08-02 10:27:29905

dram存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204

1萬(wàn)億日元的半導(dǎo)體收購(gòu)案是怎么回事

為了完成這次收購(gòu),JIC計(jì)劃成立一家新公司,并籌集5000億日元(35億美元)的資金。瑞穗銀行將提供4000億日元的融資,其余的1000億日元則預(yù)計(jì)通過(guò)多家銀行的次級(jí)貸款和優(yōu)先股發(fā)行來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2023-06-25 17:34:29763

LTC3878是一款控制器

EXTVCC 引腳的應(yīng)用中,LTC3878 與 LTC1778 引腳兼容,并且提供更佳的效率。如驗(yàn)證兼容性,請(qǐng)與凌力特查詢(xún)。該器件的工作頻率由一
2023-06-06 11:27:53

比特錯(cuò)誤模式對(duì)DRAM故障預(yù)測(cè)有何影響?

DRAM錯(cuò)誤數(shù)據(jù)主要通過(guò)Linux檢錯(cuò)糾錯(cuò)驅(qū)動(dòng)程序采集。同時(shí)獲取每個(gè)CE的微觀(guān)地址信息,即channel、rank、bank、row和column。
2023-06-01 14:34:21183

反超SK海力士,美光躍居第二大DRAM供應(yīng)商

在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國(guó)芯片制造商美光科技公司九年來(lái)首次超越韓國(guó) SK 海力士公司成為全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 市場(chǎng)的第二大廠(chǎng)商。 根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550

如何看待3D DRAM技術(shù)?

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。
2023-05-31 11:41:58358

DRAM連接32位SDRAM時(shí),sdram支持多大的容量?

DRAM 連接32位SDRAM時(shí),最大支持64Mx32bit?
2023-05-26 07:27:07

三星電子研發(fā)首款DRAM 擴(kuò)大CXL生態(tài)系統(tǒng)

基于先進(jìn)CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn),加速下一代存儲(chǔ)器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179

UPLUSbattery-韓國(guó)UPLUS蓄電池-總代理

UPLUSbattery-韓國(guó)UPLUS蓄電池、汽車(chē)電瓶-UPLUS能源技術(shù)有限公司是一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型企業(yè),專(zhuān)門(mén)從事汽車(chē)和商用卡車(chē)電池的研發(fā)和生產(chǎn)。UPLUS工廠(chǎng)占地30萬(wàn)平方米,每年可生產(chǎn)1億個(gè)電池
2023-05-11 16:50:26

8倍密度,像做3D NAND一樣做DRAM

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在存儲(chǔ)行業(yè)有些萎靡不振的當(dāng)下,大部分廠(chǎng)商都在絞盡腦汁地去庫(kù)存,也有的廠(chǎng)商考慮從新的技術(shù)方向給存儲(chǔ)行業(yè)注入生機(jī),比如最近發(fā)布了3D X-DRAM技術(shù)的NEO
2023-05-08 07:09:001982

達(dá)便攜式速熱智能休眠恒溫烙鐵試用體驗(yàn)

降低成本。 發(fā)熱芯,此款產(chǎn)品的發(fā)熱芯是阿達(dá)定制的,可以承受800度高溫的同時(shí),不影響使用壽命,可以說(shuō)是兼顧效率與成本。 溫度調(diào)節(jié): 溫度調(diào)節(jié)通過(guò)旋鈕,雖然只能是調(diào)到個(gè)大約的值,無(wú)法設(shè)定溫度值
2023-05-04 16:13:01

使用調(diào)試器將程序加載到DRAM中,為什么配置工具會(huì)出現(xiàn)此錯(cuò)誤?

文件。我為配置工具提供一個(gè)自定義的 dcd.bin 文件。 最近我對(duì)我的程序進(jìn)行了更改:我更改了分散文件以將目標(biāo)文件之一存儲(chǔ)在 DRAM 的未緩存部分中。由于我進(jìn)行了此更改,配置工具在嘗試構(gòu)建
2023-04-28 07:02:14

如何使用低延遲 DRAM 用戶(hù)手冊(cè)(M19202EJ1V0UM00)

如何使用低延遲 DRAM 用戶(hù)手冊(cè) (M19202EJ1V0UM00)
2023-04-26 20:28:110

今日看點(diǎn)丨分析師稱(chēng)臺(tái)積電正推進(jìn) 3nm 工藝:當(dāng)前良率 55%;日本將向Rapidus追加2600億日元補(bǔ)貼

1. 日本將向Rapidus 追加2600 億日元補(bǔ)貼 ? 據(jù)報(bào)道,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔宣布,將向Rapidus追加2600億日元(約合人民幣133億元)補(bǔ)貼,用于其投資計(jì)劃在北海道千歲市建設(shè)
2023-04-26 10:35:47892

需要一個(gè)TJA1102SHN/0Z的宜思模型用于模擬目的,求分享

我需要一個(gè) TJA1102SHN/0Z 的宜思模型用于模擬目的。你能提供嗎?
2023-04-23 06:12:03

AI訓(xùn)練不可或缺的存儲(chǔ),HBM3 DRAM再升級(jí)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶) SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片,成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002616

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