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      NLAS4717EP 模擬開關 雙SPDT 高帶寬 USB 1.1

      數(shù)據：

      NLAS4717EP是采用亞微米硅柵CMOS技術制造的先進CMOS模擬開關。該器件是雙獨立單刀雙擲（SPDT）開關，在3.0 V時具有4.5歐姆的低R DS（on）。該器件還具有保證Break-Before-Make（BBM） ）切換，確保開關永遠不會使驅動器短路。
      NLAS4717EP有兩種小尺寸封裝：
      WQFN：1.4 x 1.8 mm mm
      微型泵：2.0 x 1.5 mm
      <臺式=“border：none; width：100％;”> 特性
      • 低R DS（on）：4.5Ω@ 3.0V
      • 開關之間匹配.5Ω
      • 寬電壓范圍：1.8 V至5.5 V
      • 高帶寬> 90 MHz
      • 1.65 V至5.5 V工作范圍
      • 低引腳4和8上的閾值電壓（CTRL引腳）
      • 超低電荷注入

      技術文檔

      數(shù)據手冊（1） 相關資料（3）
      元器件購買 NLAS4717EP 相關庫存

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