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TS5N118是一款高帶寬FET總線開(kāi)關(guān),利用電荷泵提升傳輸晶體管的柵極電壓,提供低而平坦的導(dǎo)通狀態(tài)阻力(r on )。低而平坦的導(dǎo)通電阻允許最小的傳播延遲,并支持?jǐn)?shù)據(jù)輸入/輸出(I /O)端口上的軌到軌切換。該器件還具有低數(shù)據(jù)I /O電容,可最大限度地減少數(shù)據(jù)總線上的電容負(fù)載和信號(hào)失真。 TS5N118專為支持高帶寬應(yīng)用而設(shè)計(jì),提供優(yōu)化的接口解決方案,非常適合寬帶通信,網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)密集型計(jì)算系統(tǒng)。
TS5N118是1/8復(fù)用器/解復(fù)用器使用單個(gè)輸出啟用(> OE )輸入。選擇(S0,S1,S2)輸入控制多路復(fù)用器/多路分解器的數(shù)據(jù)路徑。當(dāng) OE 為低電平時(shí),多路復(fù)用器/多路分解器啟用,A端口連接到B端口,允許端口之間的雙向數(shù)據(jù)流。當(dāng) OE 為高電平時(shí),多路復(fù)用器/多路分解器被禁用,A和B端口之間存在高阻態(tài)。
此設(shè)備完全為使用I off 的部分?jǐn)嚯姂?yīng)用指定。 I off 電路可防止在斷電時(shí)損壞通過(guò)器件的電流。在斷電期間,器件具有隔離功能。
為確保上電或斷電期間的高阻態(tài), OE 應(yīng)綁定到V CC 通過(guò)上拉電阻;電阻的最小值由驅(qū)動(dòng)器的電流吸收能力決定。
<小>
Configuration |
Number of Channels (#) |
VCC (Min) (V) |
VCC (Max) (V) |
Ron (Typ) (Ohms) |
Input/Ouput Voltage (Min) (V) |
Input/Ouput Voltage (Max) (V) |
ICC (Max) (uA) |
Bandwidth (MHz) |
Operating Temperature Range (C) |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Package Group |
ESD Charged Device Model (kV) |
Input/Output Continuous Current (Max) (mA) |
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF) |
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF) |
OFF-state leakage current (Max) (µA) |
Ron (Max) (Ohms) |
VIH (Min) (V) |
VIL (Max) (V) |
TS5N118 |
---|
8:1 |
1 |
4.75 |
5.25 |
3 |
0 |
10 |
10000 |
25 |
-40 to 85 |
16SSOP: 29 mm2: 6 x 4.9(SSOP) |
SSOP |
1 |
100 |
20 |
160 |
10 |
12.5 |
2 |
0.8 |