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TLE2064BM JFET 輸入低功耗高驅(qū)動(dòng)四路運(yùn)算放大器

數(shù)據(jù):

描述

TLE206x系列低功耗JFET輸入運(yùn)算放大器可將前一代TL06x和TL03x BiFET系列的帶寬提高一倍,而不會(huì)顯著增加功耗。德州儀器Excalibur工藝還具有比TL06x和TL03x更低的本底噪聲。片內(nèi)齊納調(diào)整偏移電壓可為直流耦合應(yīng)用提供精密等級(jí)。 TL206x器件與其他TI BiFET引腳兼容;它們可以用來(lái)使TL06x和TL03x電路的帶寬加倍,或者將TL05x,TL07x和TL08x電路的功耗降低近90%。

BiFET運(yùn)算放大器提供固有的更高輸入阻抗JFET輸入晶體管,不會(huì)犧牲與雙極放大器相關(guān)的輸出驅(qū)動(dòng)。這使它們更適合與高阻抗傳感器或極低電平交流信號(hào)接口。與具有相當(dāng)功耗的雙極或CMOS器件相比,它們還具有固有的更好的交流響應(yīng)。 TLE206x系列具有高輸出驅(qū)動(dòng)電路,能夠驅(qū)動(dòng)100- 負(fù)載低至±5 V.這使得它們非常適合在調(diào)制解調(diào)器和其他需要良好交流特性,低功耗和高輸出驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)變壓器負(fù)載。

因?yàn)锽iFET運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)用于雙電源在使用單電源供電時(shí),必須注意觀察共模輸入電壓限制和輸出擺幅。需要對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行直流偏置,并且應(yīng)將負(fù)載端接到中間電源的虛擬接地節(jié)點(diǎn)。當(dāng)使用單電源工作時(shí),德州儀器(TI)TLE2426集成虛擬地發(fā)生器非常有用。

TLE206x的額定電壓為±15 V和±5 V.適用于低壓和/或單電源供電系統(tǒng),推薦使用德州儀器LinCMOS系列運(yùn)算放大器(TLC和TLV前綴)。從BiFET轉(zhuǎn)換到CMOS放大器時(shí),應(yīng)特別注意轉(zhuǎn)換速率和帶寬要求以及輸出負(fù)載。 Texas Instrument TLV2432和TLV2442 CMOS運(yùn)算放大器是值得考慮的絕佳選擇。

特性

  • TL06x和TL03x運(yùn)算放大器的2×帶寬(2 MHz)
  • 低電源電流...290μA /Ch Typ
  • 片內(nèi)偏移電壓調(diào)整可提高直流性能
  • 高輸出驅(qū)動(dòng),指定為100- 載荷
  • 比低功率BiFET的早期低噪聲層

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?運(yùn)算放大器

?
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Output Current (Typ) (mA)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Architecture
IIB (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
TLE2064BM
4 ? ?
7 ? ?
36 ? ?
2 ? ?
3.4 ? ?
In to V+ ? ?
2 ? ?
0.312 ? ?
Military ? ?
-55 to 125 ? ?
CDIP
LCCC ? ?
45 ? ?
6 ? ?
40 ? ?
FET ? ?
60 ? ?
90 ? ?
See datasheet (CDIP)
20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC) ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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