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數(shù)據(jù): CSD16570Q5B 25V N 通道 NexFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)
這款25V,0.49mΩ,SON 5mm×6mm NexFET?功率MOSFET用于最大限度地減小ORing和熱拔插應(yīng)用的電阻,不適用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
? |
---|
VDS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
QG Typ (nC) |
QGD Typ (nC) |
Package (mm) |
VGS (V) |
VGSTH Typ (V) |
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
ID, package limited (A) |
Logic Level |
? |
CSD16570Q5B |
---|
25 ? ? |
Single ? ? |
0.82 ? ? |
0.59 ? ? |
400 ? ? |
95 ? ? |
31 ? ? |
SON5x6 ? ? |
20 ? ? |
1.5 ? ? |
456 ? ? |
100 ? ? |
Yes ? ? |
型號(hào):CSD16570Q5B 封裝:VSON8_5X6MM
品牌:TI 描述:MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=590mΩ@10V
金額:¥
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