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數(shù)據(jù): CSD18532Q5B 60V N 通道 NexFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. D)
這款采用5mm×6mm SON封裝的2.5mΩ,60V NexFET?功率MOSFET,用于最大程度的降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 /p>
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
? |
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VDS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
QG Typ (nC) |
Package (mm) |
VGS (V) |
VGSTH Typ (V) |
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
ID, package limited (A) |
Logic Level |
? |
CSD18532Q5B |
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60 ? ? |
Single ? ? |
4.3 ? ? |
3.2 ? ? |
400 ? ? |
44 ? ? |
SON5x6 ? ? |
20 ? ? |
1.8 ? ? |
172 ? ? |
100 ? ? |
Yes ? ? |
型號(hào):CSD18532Q5B 封裝:VSON-CLIP8
品牌:TI 描述:表面貼裝型 N 通道 60 V 100A(Ta) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-VSONP(5x6)
金額:¥6.18000
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