HMC8038 高隔離度、硅SPDT、非反射開關(guān)，0.1 GHz至6.0 GHz

優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 非反射式50 ?設(shè)計(jì)
• 高隔離度： 60 dB（典型值）
• 低插入損耗： 0.8 dB（典型值）
• 高功率處理
  34 dBm（通過(guò)路徑）
  29 dBm（端接路徑）
• 高線性度
  0.1 dB壓縮(P0.1dB)： 35 dBm（典型值）
  輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： 60 dBm（典型值）

• ESD額定值
  4 kV人體模型(HBM)，3A類
  1.25 kV充電器模型(CDM)
• 單正電源
  3.3 V至5 V
  1.8 V兼容控制
• 欲了解更多特性，請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)

產(chǎn)品詳情

HMC8038是一款高隔離度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、單刀雙擲(SPDT)開關(guān)芯片，采用無(wú)引腳、表貼封裝。 該開關(guān)非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)4.0 GHz的62 dB隔離、高達(dá)4.0 GHz的0.8 dB低插入損耗和60 dBm輸入三階交調(diào)截點(diǎn)。 擁有高達(dá)6.0 GHz的出色功率處理能力，并提供針對(duì)35 dBm的0.1 dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)的輸入功率(VDD = 5 V)。 片內(nèi)電路在極低直流下采用3.3 V至5 V的單正電源電壓，以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的單正電壓控制。 使能輸入(EN)設(shè)為邏輯高電平將該開關(guān)置于全部關(guān)斷狀態(tài)，其中RFC為反射式。

HMC8038的所有器件引腳均提供ESD保護(hù)，包括RF接口，并可承受4 kV HMB和1.25 kV CDM。 HMC8038分別提供150 ns和170 ns的快速開關(guān)和RF建立時(shí)間性能。 該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。

應(yīng)用

• 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
• 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
• 汽車遠(yuǎn)程信息系統(tǒng)
• 移動(dòng)無(wú)線電
• 測(cè)試設(shè)備

方框圖