ADG1211 低電容、低電荷注入、±15 V/+12 V iCMOS、四通道單刀單擲開關

優(yōu)勢和特點

• 1 pF關斷電容
• 2.6 pF導通電容
• 電荷注入小于1 pC
• 電源電壓范圍：33 V
• 導通電阻：120 Ω
• 額定電源電壓：±15 V、+12 V
• 無需 V_L電源
• 3 V邏輯兼容輸入
• 軌到軌工作
• 16引腳TSSOP和16引腳LFCSP封裝
• 典型功耗：<0.03 μW

產(chǎn)品詳情

ADG1211/ ADG1212 / ADG1213均為單芯片互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件，內置四個采用 iCMOS? （工業(yè)CMOS）工藝設計的獨立可選開關。 iCMOS是一種模塊式制造工藝，集高電壓CMOS與雙極性技術于一體。利用這種工藝，可以開發(fā)工作電壓達33 V的各種高性能模擬IC，并實現(xiàn)以往的高壓器件所無法實現(xiàn)的尺寸。與采用傳統(tǒng)CMOS工藝的模擬IC不同， iCMOS器件不但可以承受高電源電壓，同時還能提升性能、大幅降低功耗并減小封裝尺寸。

這些開關具有超低電容和電荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立時間的數(shù)據(jù)采集與采樣保持應用的理想解決方案。較快的開關速度及高信號帶寬，使這些器件適合視頻信號切換應用。

iCMOS結構可確保功耗極低，因而這些器件非常適合便攜式電池供電儀表。

ADG1211 / ADG1212 / ADG1213內置四個獨立的單極/單擲(SPST)開關。ADG1211和ADG1212的唯一不同之處就是數(shù)字控制邏輯相反。ADG1211開關的接通條件是相關控制輸入為邏輯0，而ADG1212則要求邏輯1。ADG1213有兩個開關的數(shù)字控制邏輯與ADG1211相似；但其它兩個開關的控制邏輯則相反。ADG1213為先開后合式開關，適合多路復用器應用。

當接通時，各開關在兩個方向的導電性能相同，輸入信號范圍可擴展至電源電壓范圍。在斷開條件下，達到電源電壓的信號電平被阻止。

產(chǎn)品特色

1. 超低電容
2. 電荷注入小于1 pC。
3. 3 V邏輯兼容數(shù)字輸入：VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。
4. 無需VL 邏輯電源。
5. 超低功耗：<0.03 μW。
6. 16引腳TSSOP和3 mm × 3 mm LFCSP封裝。

應用

• 自動測試設備
• 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
• 電池供電系統(tǒng)
• 采樣保持系統(tǒng)
• 音頻信號路由
• 視頻信號路由
• 通信系統(tǒng)

方框圖