FDMF3030 FDMF3030 - 超小型高性能高頻DrMOS模塊

DrMOS系列器件是飛兆新一代完全優(yōu)化的超小型集成MOSFET及驅(qū)動器功率級解決方案，可用于高電流，高頻率，同步降壓DC-DC應(yīng)用.FDMF3030將驅(qū)動器IC，兩個功率MOSFET和自舉肖特基二極管集成到了一個熱增強(qiáng)的，超小型6x6mm封裝中。
通過集成方法，可實現(xiàn)完整開關(guān)功率級的驅(qū)動器，MOSFET動態(tài)性能，系統(tǒng)電感和功率MOSFET R _{DS （ON）}優(yōu)化.FDMF3030采用飛兆的高性能PowerTrench ^? MOSFET技術(shù)，可以顯著減少開關(guān)振鈴，省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用的緩沖器電路。驅(qū)動器IC通過減少死區(qū)時間和傳播延遲，可進(jìn)一步提高性能。熱警告功能會指示潛在過溫情況.FDMF3030還具有可提高輕負(fù)載效率的過零檢測（ZCD_EN＃引腳）功能，并提供能夠兼容大量PWM控制器的三態(tài)5V PWM輸入。

特性
超過93％的峰值效率
高電流處理能力：50A
高性能PQFN銅片封裝
三態(tài)5V PWM輸入驅(qū)動器
通過ZCD_EN＃輸入使能的二極管自動仿真（跳頻模式）
為過溫情況提供熱警告標(biāo)志
驅(qū)動器輸出禁用功能（DISB＃引腳）
ZCD_EN＃輸入和DISB＃輸入各自的內(nèi)部上拉和下拉
飛兆PowerTrench?技術(shù)MOSFET，可提供干凈的電壓波形并降低振鈴噪聲
低端MOSFET中的飛兆SyncFET?技術(shù)（集成肖特基二極管）
集成自舉肖特基二極管
實現(xiàn)直通保護(hù)的自適應(yīng)柵驅(qū)動時序
欠壓閉鎖（UVLO）
為實現(xiàn)開關(guān)頻率達(dá)到1MHz而優(yōu)化
薄型SMD封裝
基于英特爾?4.0DrMOS標(biāo)準(zhǔn)
飛兆綠色封裝并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)