搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內不再提示

      FCP099N65S3 N溝道SuperFET

      數(shù)據(jù)：

      產(chǎn)品信息

      SuperFET
      III MOSFET是安森美半導體的全新高壓超結（SJ）MOSFET系列，利用均衡技術實現(xiàn)出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進技術專為最大限度地減少傳導損耗，提供更高的開關性能和更高的dv / dt速率而定制。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電力系統(tǒng)。 700 V @ TJ = 150 C 超低柵極電荷（典型值Qg = 61 nC） 低效輸出電容（典型值Coss（eff。）= 544 pF） 優(yōu)化電容 Typ。 R =79mΩ 100％雪崩測試 符合RoHS