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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMD5029功率晶體管TT Electronics

型號： DMD5029

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 工作電壓 20V
  • 功率輸出 5W
  • 測試頻率 1GHz
  • 應(yīng)用范圍 1-1000MHz
  • 有源FET配置 3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMD5029是TT Electronics鍍金多用途硅 DMOS RF FET。

DMD5029


特征
簡化的放大器設(shè)計
適用于寬帶應(yīng)用
低溫
RSS
簡單的偏置電路
低噪聲
高增益 – 最小 16 dB

 

鍍金
多用途硅
DMOS射頻場效應(yīng)管
100W – 28V – 500MHz
單端


包裹：DP
配置：單端
工作電壓：20V
功率輸出: 5W
最低效率：50
獲得：13
測試頻率 ：1GHz
應(yīng)用范圍 ：1-1000MHz
有源FET配置：3
BV(Dss):65V

 

應(yīng)用
VHF/UHF 通信
從直流到 2 GHz

 

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