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陜西航晶微電子有限公司

從事厚膜混合集成電路和半導(dǎo)體集成電路的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和服務(wù)的高新科技企業(yè)。

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HJ393A/B/C耐高溫SiC-MOSFET/IGBT隔離式驅(qū)動(dòng)器

型號(hào)： HJ393A/B/C

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 帶DC/DC隔離電源 系統(tǒng)只需要提供數(shù)字5V即可
  • 1800VDC 峰值隔離
  • 高共模瞬變抑制 CMTI≥50KV/μS
  • 最高工作溫度可達(dá) 200℃
  • 能實(shí)現(xiàn) IGBT管/SiC-MOS管的負(fù)電壓關(guān)斷
  • 輸入輸出 信號(hào)隔離
  • 充放電時(shí)間快 延遲時(shí)間短：（tr、tf≤50nS）
  • 0-100%占空比應(yīng) 用適合高壓大功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用
  • 最高工作頻率 HJ393A:500KHz; HJ393B:800KHz;
  • 瞬態(tài)峰值驅(qū)動(dòng)電流 HJ393A：±9A; HJ393B：-2.5A/+5A;

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

HJ393A.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

    HJ393A/B/C是耐高溫SiC-MOSFET/IGBT隔離式驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)含DC/DC驅(qū)動(dòng)、變壓器、整流濾波、高速數(shù)字隔離和柵驅(qū)動(dòng)器，實(shí)現(xiàn)單電源+5V供電。該電路內(nèi)部產(chǎn)生隔離的VCC（+16V～+20 V）正電源電壓和VEE（-3V～-6V）負(fù)電源電壓。HJ393A能將最大500KHz占空比為0-100%的TTL /CMOS電平PWM信號(hào)轉(zhuǎn)換成隔離的VCC到VEE的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，HJ393B最大輸入頻率為800KHz，HJ393C最大輸入頻率為1MHz。由于超寬的禁帶能級(jí)，使得用SiC材質(zhì)制作的NMOS管的正向跨導(dǎo)比傳統(tǒng)的Si材質(zhì)的小，故為了達(dá)到額定的ID電流，那么需要的柵源電壓要大一些。另外，為了保證在Tj≥250℃下MOS管能夠可靠關(guān)斷，保證高溫下輸入低電平的噪聲容限，SiC-MOS管需要一個(gè)負(fù)偏壓關(guān)斷，這點(diǎn)類(lèi)似于IGBT管。該器件可滿(mǎn)足SiC-MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)的要求，確保SiC-MOS管/IGBT管的可靠導(dǎo)通和關(guān)斷。其最大瞬態(tài)峰值驅(qū)動(dòng)電流為4A，且具有較高的隔離度和抗擾度，確保在高頻PWM信號(hào)和D極高電壓的情況下電路可靠工作。主要特點(diǎn)有：

  • 自帶DC/DC隔離電源
  • 1800VDC峰值隔離
  • 高共模瞬變抑制：CMTI≥50KV/μS
  • 最高工作溫度可達(dá)200℃
  • 輸入輸出信號(hào)隔離
  • 0-100%占空比應(yīng)用
  • 能實(shí)現(xiàn)IGBT管/SiC-MOS管的負(fù)電壓關(guān)斷
  • 最高工作頻率達(dá)HJ393A:500KHz，HJ393B:800KHz，HJ393C:1MHz
  • 瞬態(tài)峰值驅(qū)動(dòng)電流HJ393A：±9A，HJ393B：-2.5A/+5A，J393C:±1.5A
  • 充放電時(shí)間快，延遲時(shí)間短：（tr、tf≤50nS）

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