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廣東順燁電子有限公司

專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)二極管,整流橋{貼片},小信號(hào),MOS,模塊。

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瞬態(tài)抑制二極管圖片分類(lèi)_pin二極管參數(shù)產(chǎn)品_順燁電子

型號(hào): 1.5KE6.8
品牌: shunye(順燁)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 參數(shù) 已上傳

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TVS的電路符號(hào)與普通穩(wěn)壓二極管相同。其正向特性與普通二極管相同;反向特性是典型的PN結(jié)雪崩裝置。

在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用下,流過(guò)TVS的電流,由原來(lái)的反向漏電流ID上升到IR時(shí),其兩極呈現(xiàn)的電壓由額定反向關(guān)斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR,TVS被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現(xiàn),通過(guò)TVS的電流達(dá)到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預(yù)定的大箝位電壓以下。隨后,隨著脈沖電流按指數(shù)衰減,TVS兩極電壓也在下降,終恢復(fù)到起始狀態(tài)。這就是TVS抑制可能出現(xiàn)的浪涌脈沖功率,保護(hù)電子元器件的整個(gè)過(guò)程。

參數(shù)

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①大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM。

VWM是TVS大的作的大直流或脈沖電壓。當(dāng)反向電壓加入TVS的兩極間時(shí),它處于反向關(guān)閉狀態(tài),其電流應(yīng)小于或等于其大反向泄漏電流ID。

②小擊穿電壓VBR和擊穿電流IR

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VBR是TVS小的雪崩電壓。25℃時(shí),在這個(gè)電壓之前,TVS是不導(dǎo)通的。當(dāng)TVS流過(guò)規(guī)定的1mA電流(IR)時(shí),加入TVS兩極間的電壓為其小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標(biāo)準(zhǔn)值的離散程度,可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。VWM=0.85VBR用于±5%VBR;VWM=0.81VBR用于±10%VBR。

③大箝拉電壓VC和大峰值脈沖電流IPP

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當(dāng)持續(xù)時(shí)間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過(guò)TVS時(shí),在其兩極間出現(xiàn)的大峰值電壓為VC。它是串聯(lián)電阻上和因溫度系數(shù)兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱(chēng)為鉗位因子,一般在1.2~1.4之間。

④電容量C

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電容量C是TVS雪崩結(jié)截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測(cè)得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比,C過(guò)大將使信號(hào)衰減。因此,C是數(shù)據(jù)接口電路選用TVS的重要參數(shù)。

⑤大峰值脈沖功耗PM

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PM是TVS能承受的大峰值脈沖耗散功率。其規(guī)定的試驗(yàn)脈沖波形和各種TVS的PM值,請(qǐng)查閱有關(guān)產(chǎn)品手冊(cè)。在給定的大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大;在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。此外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續(xù)時(shí)間和環(huán)境溫度有關(guān)。而且TVS能承受的瞬態(tài)脈沖不重復(fù),設(shè)備規(guī)定的脈沖重復(fù)頻率(持續(xù)時(shí)間與間歇時(shí)間之比)為0.01%。如果電路中有重復(fù)脈沖,應(yīng)考慮脈沖功率的積累,這可能會(huì)損壞TVS。

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⑥箝位時(shí)間TC

TC是TVS兩端電壓從零到小擊穿電壓VBR的時(shí)間。對(duì)單極性TVS一般是1×10-12秒;對(duì)雙極性TVS一般是1×10-11秒。

 


 

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