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陜西天士立科技有限公司

陜西天士立科技有限公司,源頭廠家,自有工廠研發(fā)制造,主營業(yè)務:半導體器件專用設備制造、儀器儀表制造、電子元器件制造、機械電氣設備制造等

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半導體熱特性試驗系統(tǒng)

型號: ST-PCX

--- 產品參數(shù) ---

  • 主機規(guī)格 200/W*136/D*150/H(cm)
  • 主機質量 <600kg
  • 水冷卻機 105/W*56/D*116/H(cm)
  • 水冷卻機 <310kg
  • 環(huán)境溫度 5~40℃
  • 相對濕度 不大于80%RH
  • 電網環(huán)境 AC380V,三相五線(PC)
  • MAX功率 32KW

--- 產品詳情 ---

 

 

 

半導體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX

基礎能力

試驗對象

各種封裝的Diode、BJT、MOS-FET、SCR、IGBT、IPM等

試驗能力

  1. 功率循環(huán)秒級/PCsec 
  2. 功率循環(huán)分鐘級/PCmin 
  3. 被動循環(huán)/TC 
  4. 瞬態(tài)熱阻/Zth 
  5. 穩(wěn)態(tài)熱阻/Rth 
  6. K曲線/Kcurve

試驗標準

MIL-STD-750E、JEDEC、JESD51、AEC-Q101、AQG324、GJB128A、 IEC60747

物理規(guī)格及環(huán)境要求

  1. 主機規(guī)格:200/W*136/D*150/H(cm)
  2. 主機質量:<600kg 
  3. 水冷卻機:105/W*56/D*116/H(cm)
  4. 水冷卻機:<310kg 
  5. 環(huán)境溫度:5~40℃ 
  6. 相對濕度:不大于80%RH 
  7. 電網環(huán)境:AC380V,三相五線(PC)
  8. MAX功率:32KW 
  9. 供水要求:無雜質自來水,<30℃ 
  10. 接地保護:整機需要接地保護

 

半導體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX

性能規(guī)格

  1. 一平臺兩試驗:一套設備同時進行功率循環(huán)和熱測試。
  2. 熱阻分析軟件:自主軟件,具有熱瞬態(tài)測試及結構函數(shù)分析方法。
  3. 結構函數(shù)診斷,獲取循環(huán)過程中缺陷,對應循環(huán)數(shù)及失效原因等。
  4. 50pA分辨率的柵極電流測試能力,范圍500pA~100uA。
  5. 柵極電壓電范圍-10V~+20V,分辨率0.1V,精度0.5%±0.25。
  6. 加熱電流:0~3000A(可分檔選),500mA分辯率,精度0.1%±0.3%。最小脈寬500ms,50ms脈沖開啟,50us脈沖關閉。支持0~12V,Vce器件導通電壓。
  7. 數(shù)據(jù)采集能力:3通道采集PCT和Z/Rth數(shù)據(jù)。每通道±12V輸入。每通道MAX10uV電壓分辨率,采樣時間1us、結溫精度0.01℃。
  8. 7個熱電偶溫度測量點:左右液冷板出水口2個、左右冷板上方共2個、器件殼體3個、分辯率0.1℃,精度±1%/±0.5℃。
  9. 數(shù)據(jù)監(jiān)測:記錄每個試驗通道的ICE、VCE@IH、VCE@IM、IGE、VGE、RthJc、ON\OFFTime、F(壓接型器件)循環(huán)數(shù),DeltaTj、Tjmax、Tjmin、出水口和器件外殼溫度等,可記錄數(shù)21000000次。
  10. K系數(shù):電流0~2A,精度≦0.1%+5mA,分辨率0.1mA。VF量程0.02000V~4.00000V,精度:±0.01%,顯示精度:0.00001V。恒溫系統(tǒng)20~200°℃,精度±0.5℃,分辨率0.1°℃。
  11. Zth/Rth:結溫測試采樣速度1MHz,VF測量MAX分辨率0.01mV,對應測量結溫的精度是0.01°℃。殼溫測試采樣1KHz,精度±1%/±0.5℃??焖訇P斷,加熱電流可1ps內去除。Zthjc,Zthja測試能力。Rth顯示范圍0.001~10.000。積分、微分結構函數(shù)曲線。

 

半導體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX

性能規(guī)格·系統(tǒng)部件

液冷板 

本設備配置3個液冷板,液冷板的尺寸:300*200mm

加熱電流 

  1. 3臺品牌電源 
  2. 輸出電壓范圍:0~10V,精度:額定電壓的0.05%
  3. 輸出電流范圍:0~1000A,精度:額定電流的0.3%
  4. 3臺電源并聯(lián)后,MAX輸出電流可達3000A
  5. 該加熱電流源用于熱阻測試和功率循環(huán) 

IM測試電流源 

  1. 數(shù)量:3路(每個通道對應1路)
  2. 電壓16V,電流10mA~1000mA,控制精度≦0.5/±0.2mA;n溫度范圍(TA/Ta/TC/TL):10.0℃~200℃,精度:0.2%±0.2℃
  3. 該電流源用于穩(wěn)態(tài)熱阻測試、瞬態(tài)熱阻測試、功率循環(huán)

電壓測量單元 

  1. 數(shù)量:12套(每個器件對應1套) 
  2. 電壓測量范圍:0.02V~4.000V 
  3. 分辯率:10uV; 
  4. 測量精度:≦±150uV(小于0.1mV±0.1%) 
  5. 采檢間隔時間:最小1us 

輔助電源 

  1. 數(shù)量:12套(每個器件對應1套) 
  2. 8套輔助電源均為不共地電源(浮地電源),每套電源包括1個-20V~+20V的可調電源

溫度測量裝置

  1. 數(shù)量:24路(每個通道8路,共計24路) 
  2. 冷板:進水口、出水口、平臺中心K型熱電偶監(jiān)測器件TC
  3. 一組Tc用外接備用熱電偶
  4. 預留溫度接口:每個通道預留3路溫度接口,可接Pt100、熱敏電阻等 
  5. 溫度測量范圍:0℃~200℃,精度:0.2%±0.2℃ 

工控機系統(tǒng) 

  1. 系統(tǒng)配置研華工控機一臺 
  2. CPU:I5-6200u 
  3. 硬盤:512G,至少可存儲連續(xù)試驗一年的測試數(shù)據(jù) 
  4. 內存:4G 
  5. 顯示屏:21寸,分辯率:1920*1080高清 

開關控制 

  1. 數(shù)量:3套 
  2. 用于熱阻測試和功率循環(huán)試驗時對加熱電流的開通和關斷;Ton/Toff時間:0.5秒~999秒 
  3. 小于50ms的脈沖開啟時間
  4. 小于100us脈沖關閉時間 

K系數(shù)測試單元 

K系數(shù)獨立測試單元,包括一個溫度可程控的高溫試驗箱,一個K系數(shù)測試單元,一塊測試板。(可測MOSFET的K系數(shù),二極管的K系數(shù))

 

 

 

半導體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX

性能規(guī)格·熱阻單元

穩(wěn)態(tài)熱阻

  1. 結溫和殼溫Rthjc=(Tj-Tc)/Pw;
  2. 參考標準:MIL-STD-750-3100
  3. 測試電流:范圍10~1000mA,精度≤1%±0.1mA,分辨率0.1mA;
  4. 加熱電流:范圍0~1000A,精度≤0.1%Set±0.3%range;,分辨率0.1A;
  5. 正向壓降VF測量范圍:0.0200V~4.0000V,
  6. 測量精度:≤±150uV,顯示精度:10uV;
  7. 電壓測量頻率:1MHZ,每次取樣間隔時間:最小1us
  8. 結溫測量精度:≤0.1℃
  9. 恒溫系統(tǒng):范圍-20~200℃,穩(wěn)定度±0.01℃,分辨率0.01℃;
  10. 溫度范圍(TA/Ta/TC/TL):10.0℃~200℃,精度:0.2%±0.2℃;
  11. 每次最多只能對1個器件測量穩(wěn)態(tài)熱阻。
  12. 測量方法:關斷加熱電流快速采樣電壓值,根據(jù)K系數(shù)曲線及采樣間隔時間,算關斷瞬間結溫值,測穩(wěn)態(tài)工作的TA/Ta/TL/TC值,得穩(wěn)態(tài)熱阻值。

瞬態(tài)熱阻

  1. 雙界面法測量,參考標準:JESD51-14
  2. 測試電流:范圍10~1000mA,精度≤1%±0.1mA,分辨率0.1mA;
  3. 加熱電流:范圍0~1KA,精度s0.1%Set±0.3% range;,分辨率0.1A;
  4. 正向壓降VF測量范圍:0.0200V~4.0000V,
  5. 測量精度:≤±150uV,顯示精度:10uV;
  6. 電壓測量頻率:1MHZ,每次取樣間隔時間:最小1us
  7. 結溫測量精度:≤0.1℃
  8. 恒溫系統(tǒng):范圍-20~200℃,穩(wěn)定度±0.01℃,分辨率0.01℃;
  9. Zthjc、Zthja測試能力;
  10. 顯示積分、微分結構函數(shù)曲線

 

 

半導體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX

性能規(guī)格·功率循環(huán)

1.設備能力 

  1. 整機配置3個測試通道,每個通道4顆器件,整機共可同時測試8顆器件
  2. 測試電流:范圍10~1000mA,精度≦0.5%±0.2mA,分辨率0.1mA
  3. 加熱電流:范圍0~1000A,精度≦0.1%±0.3%分辨率0.1A
  4. 2通道并聯(lián)后可提供MAX2000A電流能力
  5. 正向壓降VF測量范圍:0.0200V~4.0000V 
  6. 測量精度:≦±150uV,顯示精度:10uV
  7. 電壓測量頻率:1MHZ,每次取樣間隔時間:最小1us
  8. 具有秒級(PCsec)和分鐘級(PCmin)試驗能力 
  9. 試驗過程中測量瞬態(tài)熱阻,并生成微分積分結構函數(shù),觀察試驗過程中熱阻變化情況。通過結構函數(shù),快速得到循環(huán)過程中的缺陷、及對應的 循環(huán)次數(shù),失效原因等 

2.PCsec 

  1. 結溫測試:變速采樣,MAX1MHz,精度1℃,分辨率0.1℃
  2. 殼溫測試:采樣速度1KHz,精度2℃,分辨率0.1℃
  3. 典型條件:0.5s
  4. 老化模式:恒電流(最嚴酷),恒定結溫Tjmax/ΔTjmax,恒定功率P
  5. 數(shù)據(jù)記錄:加熱電流IH,Ton,Toff,Tjmax,ΔTj,Tjmin,進水口、出水口溫度Tw,水流量F,冷板溫度,循環(huán)數(shù),熱阻值 

3.PCmin 

  1. 結溫測試:變速采樣,MAX1MHz,精度1℃,分辨率0.1℃
  2. 殼溫測試:采樣速度1KHz,精度2℃,分辨率0.1℃
  3. 典型條件:2min
  4. 老化模式:恒電流(最嚴酷),恒定結溫TCmin/ΔTC,恒定功率P 
  5. 數(shù)據(jù)記錄:加熱電流IH,Ton,Toff,Tcmax,ΔTc,Tcmin,進水口、出水口溫度Tw,水流量F,冷板溫度,循環(huán)數(shù),熱阻值 

4.工作模式 

多種工作模式:恒電流、恒功率、恒結溫差、恒殼溫差、恒開關時間

5.器件固定 

導軌及鎖緊夾具。DUT與冷板之間需有導熱硅脂

 

 

半導體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX

 

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