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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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4435GJ-VB一款Single-P溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 4435GJ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 4435GJ-VB TO251 MOSFET 產(chǎn)品簡介

4435GJ-VB 是一款單通道 P 溝道場效應(yīng)管,采用 TO251 封裝,適用于各種電子應(yīng)用中的高效能管理。具有高可靠性和優(yōu)異的熱性能,適用于各種嚴苛環(huán)境下的穩(wěn)定運行。4435GJ-VB 的漏極-源極電壓(VDS)為 -30V,柵極-源極電壓(VGS)為 ±20V,具有良好的性能和可靠性。其低柵極閾值電壓(Vth)為 -1.7V,適用于低電壓電路。4435GJ-VB 采用 Trench 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻,提高能效并減少熱量產(chǎn)生。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**:TO251
- **配置**:單通道 P 溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:-30V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±20V
- **Vth(柵極閾值電壓)**:-1.7V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:22mΩ @ VGS = 4.5V,18mΩ @ VGS = 10V
- **ID(持續(xù)漏極電流)**:-40A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用示例

1. **電源管理**: 4435GJ-VB 可廣泛應(yīng)用于各種電源管理電路中,如開關(guān)電源、穩(wěn)壓器等,提高電路效率并減小設(shè)備尺寸。

2. **電池保護**: 在移動設(shè)備和電動工具中,可用于電池保護電路,確保電池的安全和穩(wěn)定性,延長電池使用壽命。

3. **電機控制**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,可用于各種類型的電機控制,如無刷直流電機(BLDC)的控制,提高工業(yè)設(shè)備的效率和可靠性。

4. **LED 驅(qū)動**: 由于其高電流和低導(dǎo)通電阻特性,適用于 LED 燈驅(qū)動電路,實現(xiàn)高效的 LED 燈控制,減少能量損耗和熱量產(chǎn)生。

5. **汽車電子**: 4435GJ-VB 可用于汽車電子領(lǐng)域,如汽車引擎控制單元(ECU)和車身控制單元(BCU),確保汽車電子系統(tǒng)的高效能和可靠性。

通過在這些領(lǐng)域中使用 4435GJ-VB MOSFET,設(shè)計者可以實現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計,滿足不同應(yīng)用的需求,提升產(chǎn)品的整體性能和可靠性。

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