--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 服務(wù)區(qū)域 全國(guó)
- 服務(wù)資質(zhì) CMA/CNAS
- 服務(wù)周期 常規(guī)3-5個(gè)工作日
- 服務(wù)形式 寄送樣品或現(xiàn)場(chǎng)操作
- 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) 視具體產(chǎn)品或用戶需求而定
- 報(bào)告語(yǔ)言 中英文
- 報(bào)告形式 電子/紙質(zhì)報(bào)告
--- 產(chǎn)品詳情 ---
服務(wù)介紹
醫(yī)療設(shè)備的性能水平是醫(yī)院提供高水平醫(yī)療服務(wù)的基礎(chǔ),電磁兼容試驗(yàn)是眾多醫(yī)療設(shè)備獲得相關(guān)部門認(rèn)證許可必不可少的重要指標(biāo)。
產(chǎn)品范圍
電子血壓計(jì)、中頻治療儀、電動(dòng)輪椅、手術(shù)床、骨密度檢查儀、CT等。
測(cè)試周期
7個(gè)工作日左右
測(cè)試項(xiàng)目
測(cè)試項(xiàng)目 | 覆蓋標(biāo)準(zhǔn) |
傳導(dǎo)騷擾CE | CISPR 11 IEC 61000-4-2/-3/-4/-5/-6/-8/-11/ IEC 61000-3-2/-3 IEC 60601系列 IEC 61326系列 GB 4824 GB/T 17626.2/.3/.4/.5/.6/.8/.11 GB 17625.1/.2 YY 0505 |
輻射騷擾RE | |
靜電放電抗擾度ESD | |
射頻輻射抗擾度RS | |
電快速瞬變脈沖群抗擾度EFT | |
浪涌(沖擊)抗擾度Surge | |
射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)抗擾度CS | |
工頻磁場(chǎng)抗擾度PFMF | |
脈沖磁場(chǎng)抗擾度PMF | |
電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度DIP |
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引言氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)盡顯,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等熱門領(lǐng)域,發(fā)揮重要的作用。面向中高功率市場(chǎng)的氮化鎵半導(dǎo)體IDM遠(yuǎn)山半導(dǎo)體是一家第三代半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)企業(yè),具備完整的“外延材料+芯片制造”自主核心技術(shù)與生 -
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